Geri Dön

Yarıiletkenlerde elektron taşınımının Monte Carlo yöntemi ile incelenmesi

Investigation of electron transport in semiconductors using Monte Carlo method

  1. Tez No: 95508
  2. Yazar: MEHMET ESEN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Simulasyon, Rasgele Saçılma, Yarıiletken, Monte Carlo Metodu, Mobilite, Simulation, Random Scattering, Semiconductor, Monte Carlo Method, Mobility II XCTOKSEM
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 43

Özet

oz YÜKSEK LİSANS TEZİ YARIİLETKENLERDE ELEKTRON TAŞINIMININ MONTE CARLO YÖNTEMİ İLE İNCELENMESİ Mehmet ESEN ÇUKUROVA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANABİLİM DALI Danışman: Y. Doç. Dr. Metin ÖZDE M İR Yd: 2000, Sayfa:39 Jüri: Y. Doç. Dr. Metin ÖZDEMİR : Doç. Dr. Ramazan ESEN : Doç. Dr. Halime PAKSOY Bu çalışmada yarıiletkenlerde elektron taşınımı Monte Carlo yöntemi kullanılarak incelendi. Yarıiletken malzemelerde farklı yöntemlerle elektron taşınımını sağlamak mümkündür. Taşıyıcılar ortama uygulanan elektrik veya magnetik alan etkisinde hareket ederler. Yük taşınımının nasıl olduğu fizikçiler ve yarıiletken teknolojisini kullanan elektronik tasarım ve üretim mühendisleri açısından önemlidir. Çalışmada daha önce yaygın kullanılan (Si) silikon, (Ge) germanyum ve (GaAs) galyum arsenür gibi yarıiletkenlerin malzeme parametreleri ( enerji band yapısı, etkin kütle, deformasyon potansiyel katsayıları ) kullanılacaktır. Ayrıca elektronların etkileştiği saçılma merkezleri de yöntem de güz önüne alınacaktır. Elektronun yarıiletken malzeme içinde hareket ederken saçılma mekanizmalarından hangisi ile bir etkileşimde bulunacağı ve ne zaman bulunacağı rasgele bir olaydır. Etkileşimlerin fiziği çok iyi bilinsede olayların sıralanışı rasgeledir ve önceden bilinemez. Bu rasgelelik Monte Carlo yönteminin kullanılmasına büyük ölçüde uyum sağlar. Bir elektronun etkileşimden sonra ne durumda olacağı yine Monte Carlo yöntemi ile tahmin edilebilir dolayısı ile elektronun malzeme içinde hareketi kolaylıkla simule edilebilir. Yöntemle sınırları doğru belirlenmiş simulasyonlar hızla ve deneysel sonuçlara yakın bir şekilde gözlemlenebilir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT MSc THESIS ELECTRON TRANSPORT PROBLEM IN SEMICONDUCTORS USING MONTE CARLO METHOD Mehmet ESEN DEPARTMENT OF PHYSICS INSTITUTE OF NATURAL AND APPLD2D SCIENCES UNIVERSITY OF ÇUKUROVA Supervisor: Assist. Prof. Metin Ö2DEMİR Year: 2000, Pages:39 Jury: Assist. Prof. Metin ÖZDEMİR : Prof. Ramazan ESEN : Assoc Prof. Halime PAKSOY In this study, the electron transport problem in semiconductors is investigated using the Monte Carlo method. It is possible to transport electrons in semiconductors by various means. The carriers move under the action of applied electric and magnetic fields. The transport of carriers is important for physicists as well as design and production engineers of semiconductor devices. In this study, the material parameters of widely used semiconductors such as Si, Ge and GaAs will be used. The centers that lead to electron scattering should also be considered. The interaction of a carrier with a scattering center while transported in the crystal is entirely a random process. Even if hte physics of interactions is known very well, the order of occurrance of scatterings is random and can not be predicted before hand. This randomness is can be simulated by Monte Carlo method. Further the state of an electron after scattering can be found using the same method, that is the motion of a carrier in a semiconductor can be simulated very easily and effectively. If properly used, results can be achieved quickly and accurately (compared to experiments).

Benzer Tezler

  1. III-V nitrit yarıiletkenlerde yük taşınımının monte carlo simülasyonu ile incelenmesi

    Investigation of particle transportation in III-V nitrite semiconductors by monte carlo simulation

    MUHAMMED VEHBİ PEKTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU

  2. AlGaAs yarıiletken bileşiğinde elektron taşınım özelliklerinin monte carlo simulasyonu ile incelenmesi

    Investigation of electron transport properties in AlGaAs semiconductor compound by monte carlo simulation

    TUNA ÖZKAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU

  3. Modeling localized heating induced size effects in semiconductor devices

    Yarı iletkenlerde lokal ısınmadan kaynaklanan boyut etkilerinin modellenmesi

    CANBERK DÜNDAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Makine MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN

  4. Synthesis and characterization of semiconductor thin films for photovoltaic applications

    Bükülebilir fotovoltaik uygulamalar için yarı iletken ince filmlerin sentezi ve karakterizasyonu

    TAMER TEZEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZUHAL KÜÇÜKYAVUZ

    YRD. DOÇ. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR

  5. GaN based high efficiency class AB power amplifier design for sub-6GHz 5G transmitter systems

    6GHz altı 5G verici sistemleri için GaN tabalı yüksek verimliliğe sahip AB sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı

    KUDRET ÜNAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN