Geri Dön

Kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmiş MnS ince filmlerin özelliklerine ısısal tavlamanın etkisi

Annealing effect on properties of MnS thin films grown with the chemical bath deposition method

  1. Tez No: 244201
  2. Yazar: CEMAL ULUTAŞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 140

Özet

Bu çalışmada, MnS yarıiletken filmleri farklı depolama sürelerinde ve farklı sıcaklıklarda (27-40-50-60-70-80 oC) cam alttabanlar üzerine kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin kristal ve hekzagonal yapıda oldukları saptanmıştır. Absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden filmlerin doğrudan bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığının 3.7-3.9eV arasında değiştiği belirlenmiştir. I-V ölçümlerinden ohmik iletim mekanizması gözlenmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik değerleri (1-8).10-6(?.cm)-1 arasındadır. Elde edilen filmler 100-200-300-400-500 ºC'de azot ortamında bir saat tavlama işlemine tabi tutulmuş ve tavlamanın optiksel ve yapısal özellikler üzerine etkisi araştırılmıştır. Sıcaklığa bağlı akım ölçümlerinden aktivasyon enerjileri 0.2-0.58 eV bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

In this study, MnS semiconductor films have been obtained with different deposition times and different temperature (27-40-50-60-70-80 oC) on to the glass substrates by the chemical bath deposition method. X-ray diffraction spectra of the films have shown that the films are crystal and wurtzite MnS in structure. MnS films have been determined to have direct band gap characteristics with the band gap values lying in the range between 3.7-3.9 eV by using optical method. The ohmic conduction mechanisms have been observed in the I-V characteristics of the films. The electrical conductivity values of the films have been found to vary in the range, (1-8).10-6 (?.cm)-1. MnS films annealed in azot atmosfer at one hour and investigated of optical and structural properties. The activation energy values have been found 0.2-0.58 eV using the temperature-dependent current measurements.

Benzer Tezler

  1. Kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmiş SnS ince filmlerin yapısal , elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Structural, electrical and optical properties of sns thin films grown with the chemical bath deposition method

    EMİNE GÜNERİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ

  2. Kimyasal banyo depolama yöntemiyle hazırlanmış ZrO2 ince filmlerin yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Structural and optical properties of ZrO2 thin films grown with the chemical bath deposition method

    CENGİZ ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OSMAN PAKMA

  3. Çinko oksit (ZnO) nanoyapıların organik güneş pillerinde uygulaması

    Organic solar cells on ZnO nanostructures

    FARUK BALLIPINAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİGEN KADIRGAN

  4. Mikroenkapsülasyon işleminin ekstra sızma zeytinyağı tozunun depolanması sırasında oksidatif stabilite, sorpsiyon ve fiziksel kalite kriterleri üzerine etkisi

    Effect of microencapsulation proses on oxidative stability, sorption and physical quality criteria of extra virgin olive oil powder during storage

    ASLI ZUNGUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Gıda MühendisliğiEge Üniversitesi

    Gıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİGEN ERTEKİN