Yüksek özdirençli P-tipi silisyumda sıcaklığa bağlı enine magnetorezistans
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 24751
- Danışmanlar: Belirtilmemiş.
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1992
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 76
Özet
Bu çalışmada, oda sıcaklığında özdirenci 1150 ûcm olan P-SI kristalinden ve tipi numuneler ve ayrıca ışınlama etkisine bakmak için tipi kesilen kristallerden bir kısmı 1012 nötron/cm2-sn akıya sahip bir termal ve hızlı nötron karış mı şua ile 45 dk ışınlanarak hazırlandı. Her üç numune için, 120-290 K aralığında alınan enine magnetorezistans ve Hail ölçüleri kullanılarak enine magnetorezistans katsayısı, Hail katsayısı, magnetorezistans mobilitesi, Hail mobi'itesi, sürüklenme mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu değerleri hesaplandı. Hesaolama sonuçlarına göre enine magnetorezistans katsayısının numunede numuneden daha büyük ve ışınlanmış numunedekinin ışınlanmamışınkine göre daha büyük olduğu gözlendi. ve numunelerde sıcaklık azaldıkça enine magr etorezistans katsayısının 160-290 K arasında arttığı, 120-160 K arasında azaldığı gözlendi. Işınlanmış numunede ise sıcaklık azaldıkçca enine magnetorezistans katsayısının 120-290 K aralığında arttığı gözlendi. Hail katsayısı, Hali mobilitesi, sürüklenme mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu ve numunelerde yaklaşık aynı değerlere sahip olmasına rağmen, ışınlanmış numunede taşıyıcı konsantrasyonunun artmasından dolayı bu büyüklüklerin değiştiği tesbit edildi.
Özet (Çeviri)
this study, , samples are prepared from p-SI crystals having the resistivity 1150 cm2-sn at the room temperature. In aditlon, some of samples are irradiated by mixed termal and fast neutrons having a flux of Q= 1012n/cm2-s for 45 minutes to study radiaton effect. The transverse magnetorezlstance and Hall coefficient, magnetoresistance, Hall and drift mobility, carrier concentration are calcu'ated by using transverse magnetorezlstance and Hall mensurments in the range 120-î:90 K. According to the results, the transverse magnetoresistance coefficient of the sample is greater than sample and irradiated samples have greater values than unirradiated samples. The transverse magnetoresistance increases by decreasing the temperature at the temperature range 160-290 K and decreases by decreasing the temperature at the temperature range 120-160 K.The transverse magnetoresistance coefficient of the Irradiated sample increases by decreasing the temperature at temperature range 120-290 K. Hall coefficient, Hall mobility, drift mobility and carrier concentration on and samples have same values. However these parameters depend on the change of the carrier concontration.
Benzer Tezler
- Sn/p-Si metal- yarıiletken yapıların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Sn/p-Si semiconductor structures inventigation of the electrical and dielectric properties based temperature
ZEKERİYA KARA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures
MUHAMMED CAN ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TURUT
- Silisyum yarı iletkeninden yapılan ve p+ pp+ ve MPP+ yapılarında akım iletimine sıcaklığın etkisi
Başlık çevirisi yok
SEBAHATTİN TÜZEMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. NECATİ YALÇIN
- SCL akımları yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-germanyum alaşımı n-i-n sandviç yapılarda elektronik kusur dağılımlarının incelenmesi
Investigation of electronic defect distribution on amorphous silicon-germanium alloy n-i-n sandwich structure by using SCL current
ZEYNEP RUKİYE ÖZGE CAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ
- Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes
HAMZA TEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ