Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures
- Tez No: 312672
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 90
Özet
Bu çalışmada, 1 kHz-1 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralığında Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapının dielektrik özellikleri incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) ölçümleri 5 Hz-13 MHz frekans aralığına sahip HP 4192A LF Empedans Analizörü kullanılarak yapıldı. Dielektrik parametrelerin hesaplamalarında, C-V ve G/ ? -V ölçümleri kullanılmıştır. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. Dielektrik sabiti (?') ve dielektrik kayıp (?'') artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac iletkenlik (sac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Ayrıca, deneysel sonuçlardan düşük frekans bölgesinde arayüzeysel kutuplanmanın, yüksek frekans bölgesinde ise yönelimli kutuplanmanın etkili olduğu bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
In this study, dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structure were investigated in the frequency range of 1 kHz-1 MHz and temperature range of 80-400 K. The capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ ? -V) measurements were performed by use of HP 4192A LF Impedance Analyser having a frequency range of 5 Hz-13 MHz. In calculations of dielectric parameters, the C-V and G/ ? -V measurements were used. Experimental results show that both electrical and dielectric parameters are dependent on frequency and temperature. Dielectric constant (?') and dielectric loss (?'') decrease with increasing frequency while increase with increasing temperature. Also, the ac conductivity increases with both increasing frequency and temperature. Moreover, from experimental results, it was found that interfacial polarization is dominant in low-frequency region and orientational polarization is dominant in high-frequency region.
Benzer Tezler
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi
The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structures
ŞENAY SEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi
An investigation into current- voltage (I-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS)structures
FATMA ZEHRA PÜR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri
The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer
RAZİYE ERTUĞRUL UYAR
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures
FATİH YİĞİTEROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor
SEMA YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TATAROĞLU