Geri Dön

Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi

The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures

  1. Tez No: 312672
  2. Yazar: TUĞÇE ATASEVEN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 90

Özet

Bu çalışmada, 1 kHz-1 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralığında Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapının dielektrik özellikleri incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) ölçümleri 5 Hz-13 MHz frekans aralığına sahip HP 4192A LF Empedans Analizörü kullanılarak yapıldı. Dielektrik parametrelerin hesaplamalarında, C-V ve G/ ? -V ölçümleri kullanılmıştır. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. Dielektrik sabiti (?') ve dielektrik kayıp (?'') artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac iletkenlik (sac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Ayrıca, deneysel sonuçlardan düşük frekans bölgesinde arayüzeysel kutuplanmanın, yüksek frekans bölgesinde ise yönelimli kutuplanmanın etkili olduğu bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

In this study, dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structure were investigated in the frequency range of 1 kHz-1 MHz and temperature range of 80-400 K. The capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ ? -V) measurements were performed by use of HP 4192A LF Impedance Analyser having a frequency range of 5 Hz-13 MHz. In calculations of dielectric parameters, the C-V and G/ ? -V measurements were used. Experimental results show that both electrical and dielectric parameters are dependent on frequency and temperature. Dielectric constant (?') and dielectric loss (?'') decrease with increasing frequency while increase with increasing temperature. Also, the ac conductivity increases with both increasing frequency and temperature. Moreover, from experimental results, it was found that interfacial polarization is dominant in low-frequency region and orientational polarization is dominant in high-frequency region.

Benzer Tezler

  1. Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi

    The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structures

    ŞENAY SEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  2. Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

    An investigation into current- voltage (I-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS)structures

    FATMA ZEHRA PÜR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  3. Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri

    The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer

    RAZİYE ERTUĞRUL UYAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  4. Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures

    FATİH YİĞİTEROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ

  5. Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor

    SEMA YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADEM TATAROĞLU