Geri Dön

InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi

The fabrication of InGaAsP/InP multi quantum well ridge waveguide laser diodes and the analysis of lazer diode parameters

  1. Tez No: 268871
  2. Yazar: AYLİN BENGİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada kullanılan 1,3 ve 1,55 ?m ışıma dalgaboylu InxGa1-xAsyP1-y/InPçoklu kuantum kuyulu lazer diyot yapıları metal organik kimyasal buharbiriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütüldü. Büyütülen yapıların çatı dalgakılavuzlu Fabry-Perot lazer diyot fabrikasyonu farklı tipteki pasivasyontabakaları (SiO2 ve SiNx) kullanılarak fotolitografi sistemi yardımıyla yapıldı.Lazer diyot parametre analizleri sonucunda, SiO2 pasivasyon tabakalı lazerindaha düşük eşik akımına, diferansiyel dirence ve daha yüksek çıkış gücünesahip olduğu görüldü. p-InGaAs kontak tabakalı lazer diyotlar için omikkontakların geliştirilmesi amacıyla Transmisyon Çizgi Modeli (TLM)numunelerinin fabrikasyonu yapıldı. Bilgimiz dahilinde, p-InGaAs tabakası içinaltın içeren ve içermeyen nadir bulunur metal silikat omik kontaklar ilk defaoluşturularak, kontakların analizi TLM kullanılarak gerçekleştirildi. Yapılananalizler sonucunda, elde edilen karakteristik kontak direncinin günümüzoptoelektronik aygıtlarının sahip olduğu karakteristik kontak direnci ile aynımertebede olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

The 1,3 and 1,5 ?m emission wavelength InxGa1-xAsyP1-y/InP multi quantumwell (MQW) laser diode structures used in this work were grown using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The fabrication ofridge waveguide Fabry-Perot laser diodes with different passivation layers (SiO2and SiNx) were made using photolithography system. The laser parameteranalysing results shows that the laser diode with SiO2 passivation layer haslower threshold current, differential resistance and higher output power. Toimprove the ohmic contact properties the Transmission Line Model (TLM)samples were fabricated. According to our knowledge, the Au and non-Aubased rare earth metal silicate ohmic contacts were formed for the first timeand the analyzing of ohmic contacts were performed using TLM. As a result,the obtained specific contact resistivities were found in the same order ofnowadays optoelectronic device?s contact resistivities.

Benzer Tezler

  1. Dual and single color mid-wavelength infrared quantum well photodetectors

    Çift ve tek renkli orta dalgaboyu kızılötesi kuantum kuyulu fotodedektörler

    MELİH KALDIRIM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ

  2. High performance focal plane array technologies from short to long wavelength infrared bands

    Kısadan uzun dalga boyu kızılötesi bandına kadar yüksek performanslı odak düzlem dizini teknolojileri

    YETKİN ARSLAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  3. 9xx-10xx nm dalga boyunda ışıyan yüksek güçlü lazer diyot yapısının tasarımı ve mocvd yöntemi kullanılarak epitaksiyel tabakaların büyütülmesi

    Design and epitaxial layer growth of 9xx-10xx nm wavelenght high power laser diodes by using mocvd system

    ALİYE ALEV KIZILBULUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  4. Silicon germanium multi quantum wells for high efficiency optoelectronic devices

    Silisyum germanyum çoklu kuantum kuyuları içeren yüksek verimli optoelektronik aygıtlar

    ALPER YEŞİLYURT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  5. Physics and technology of the infrared detection systems based on heterojunctions

    Çoklu eklem tabanlı kızılötesi algılama sistemlerinin fiziği ve teknolojisi

    BÜLENT ASLAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN