InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi
The fabrication of InGaAsP/InP multi quantum well ridge waveguide laser diodes and the analysis of lazer diode parameters
- Tez No: 268871
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 148
Özet
Bu çalışmada kullanılan 1,3 ve 1,55 ?m ışıma dalgaboylu InxGa1-xAsyP1-y/InPçoklu kuantum kuyulu lazer diyot yapıları metal organik kimyasal buharbiriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütüldü. Büyütülen yapıların çatı dalgakılavuzlu Fabry-Perot lazer diyot fabrikasyonu farklı tipteki pasivasyontabakaları (SiO2 ve SiNx) kullanılarak fotolitografi sistemi yardımıyla yapıldı.Lazer diyot parametre analizleri sonucunda, SiO2 pasivasyon tabakalı lazerindaha düşük eşik akımına, diferansiyel dirence ve daha yüksek çıkış gücünesahip olduğu görüldü. p-InGaAs kontak tabakalı lazer diyotlar için omikkontakların geliştirilmesi amacıyla Transmisyon Çizgi Modeli (TLM)numunelerinin fabrikasyonu yapıldı. Bilgimiz dahilinde, p-InGaAs tabakası içinaltın içeren ve içermeyen nadir bulunur metal silikat omik kontaklar ilk defaoluşturularak, kontakların analizi TLM kullanılarak gerçekleştirildi. Yapılananalizler sonucunda, elde edilen karakteristik kontak direncinin günümüzoptoelektronik aygıtlarının sahip olduğu karakteristik kontak direnci ile aynımertebede olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
The 1,3 and 1,5 ?m emission wavelength InxGa1-xAsyP1-y/InP multi quantumwell (MQW) laser diode structures used in this work were grown using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The fabrication ofridge waveguide Fabry-Perot laser diodes with different passivation layers (SiO2and SiNx) were made using photolithography system. The laser parameteranalysing results shows that the laser diode with SiO2 passivation layer haslower threshold current, differential resistance and higher output power. Toimprove the ohmic contact properties the Transmission Line Model (TLM)samples were fabricated. According to our knowledge, the Au and non-Aubased rare earth metal silicate ohmic contacts were formed for the first timeand the analyzing of ohmic contacts were performed using TLM. As a result,the obtained specific contact resistivities were found in the same order ofnowadays optoelectronic device?s contact resistivities.
Benzer Tezler
- High performance focal plane array technologies from short to long wavelength infrared bands
Kısadan uzun dalga boyu kızılötesi bandına kadar yüksek performanslı odak düzlem dizini teknolojileri
YETKİN ARSLAN
Doktora
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Dual and single color mid-wavelength infrared quantum well photodetectors
Çift ve tek renkli orta dalgaboyu kızılötesi kuantum kuyulu fotodedektörler
MELİH KALDIRIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Physics and technology of the infrared detection systems based on heterojunctions
Çoklu eklem tabanlı kızılötesi algılama sistemlerinin fiziği ve teknolojisi
BÜLENT ASLAN
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Fabrication and characterisation of InP and GaAs based optoelectronic components
Başlık çevirisi yok
BÜLENT ÇAKMAK
- Hibrit silisyum/III-V yarı iletken lazerler
Hybrid silicon/III-V semiconductor lasers
HİLAL KÜBRA SAĞLAM
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT ÇAKMAK