Bazı kristallerin inelastik diferansiyel saçılma tesir kesitlerinin enerji ayrımlı X-ışını spektrometresi ile ölçümü
Measurements of inelastic differential scattering cross-section for some crystals with energy dispersive X-ray spectrometer
- Tez No: 317802
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: GaAs, Kristal Yapı, Compton Saçılması, GaAs, Crystal Structure, Compton Scattering
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada; 59,54 keV'lik foton yayımlayan noktasal 241Am radyoizotop kaynağı kullanılarak Si ve GaAs yarıiletkenlerin inelastik diferansiyel saçılma tesir kesitleri 130, 135, 140, 145 ve 150 derecelik açılarda ölçüldü. Dedektör verimini tayin etmek için Pd, In, Sm, Gd, Dy ve Ho elementleri kullanıldı. Ölçümlerde rezülasyonu 5,96 keV'de 160 eV olan yarıiletken Si(Li) dedektör kullanıldı. Bu ölçümler incelenerek kimyasal etki ve kalınlığın diferansiyel tesir kesitlerine etkileri araştırıldı. Ölçülen değerler teorik değerlerle karşılaştırıldı. Si kristalinin diferensiyel saçılma tesir kesitlerinin teorik değerle uyumlu çıktığı, GaAs kristali için ise teorik ve deneysel değerler arasında önemli farklılıklar olduğu gözlendi ve sebepleri tartışıldı.
Özet (Çeviri)
Measurements of Inelastic Differential Scattering Cross-Section for Some Crystals with Energy Dispersive X-Ray Spectrometer.In this study, inelastic differantial scattering cross-sections of Si and GaAs semiconductors were measured using 241Am radioisotope source emitting 59,54 keV photon at 130, 135, 140, 145 and 150 degrees. In order to determine detector efficiency, the elements Pd, In, Sm, Gd, Dy and Ho was used. The resulution of the semiconductor Si(Li) detector was found to be 160 eV at the 5,96 keV. By analysing these measurements, chemical and thickness effects to the differential cross-sections was investigated. The measured values were compared with theoretical values. Differantial scattering cross- sections were compatible with the theoretical value of Si crystals. GaAs crystals were observed for the significant differences between the theoretical and experimental values. The reasons of these differences was discussed.
Benzer Tezler
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- İzmir'de bazı yolların kapatılarak yaya bölgeleri oluşturma da kent peyzajını geliştirme açısından yeniden planlanması üzerinde araştırmalar
Başlık çevirisi yok
BAHAR TÜRKYILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Şehircilik ve Bölge PlanlamaEge ÜniversitesiŞehir ve Bölge Planlama Ana Bilim Dalı
- Bazı sert çekirdekli meyve türlerinde döllenme biyolojisi üzerinde yöntem çalışmaları
Başlık çevirisi yok
ATBİMOĞLU ADALET
- Ağızlık açma mekanizmalarının tasarımı
Başlık çevirisi yok
RECEP EREN
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiUludağ ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİL R. ALPAY
- Bazı yer ve sırık fasulye çeşitlerinde optimal melezleme şartlarının tespiti üzerine bir araştırma
Başlık çevirisi yok
TÜRKAN KOÇLU