III-V yarıiletkenlerle nanotel üretilmesi ve bazı karakteristikleri
Synthesis III-V compound semiconductor nanowires and some characteristics
- Tez No: 318238
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SALİH SAYGI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 56
Özet
Günümüz teknolojisinde nanoteknoloji önemli gelişmeler kaydetmiştir. Bazı tümleşik devrelerde kullanılabileceği düşünülen nanoteller ile ilgili çok ciddi araştırmalar yapılmaktadır. III-V grubu yarıiletkenler nanotel üretiminde uygun bant aralığı ve bazı özellikleri sayesinde öne çıkmaya başlamaktadır. Nanoteller ile ilgili çok çeşitli üretim yöntemleri gelişmiştir. Bunlar arasında, Kimyasal buhar çöktürme yönteminin çeşitli avantajlara sahip olması sebebiyle en çok tercih edilen yöntem olduğu bilinmektedir.Bu çalışmada Si(100) alttaş üzeri Au kaplanarak Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) metoduyla tek-kristal wurtzite yapıda GaN nano-tel 900oC de büyütüldü. Kaynak malzeme olarak galyum metali ve amonyak gazı kullanıldı. GaN nano-tellerin 20nm ile 30nm arasında çapa ve birkaç mikrometre boya sahip olduğu görüldü. Elde edilen GaN nano-teller X ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile karakterize edildi.
Özet (Çeviri)
Today's technology has made significant advances in nanotechnology. Nanowires can be used in integrated circuits to be some very serious research is done with. III-V group semiconductors Nanowires production with appropriate bandgap and some features are starting to stand out. Nanowires with a wide variety of production methods are developed. Chemical vapor deposition (CVD), a method is cheap and many advantages.In the study nanowires of single-crystalline wurtzite GaN have been fabricated on a Si (100) substrate coated with a Au layer, via a chemical vapor deposition process at 900oC using gallium and ammonia as source materials. The GaN NWs grow hexagonal cross-sections with widths of 20-30 nm and lengths of up to several microns. The obtained GaN nanowires were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) techniques.
Benzer Tezler
- Nitrit tabanlı III-V grubu yarıiletkenlerle oluşturulan çoklu kuantum kuyularının yapısal, morfolojik ve bazı optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Investigation of structural, morphological and some opticalproperties of multi-quantum wells, formed by nitrite based III-Vgroup semiconductors, dependent on temperature
AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- İki ve üç boyutlu III-V yarı iletkenlerde sıcak elektron dinamiği
Hot electron dynamics in two and three dimensional III-V semiconductors
ZEYNEP USLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
- Bazı oksit ve ııı-v yarıiletken mikro ve nano yapıların yüzey fiziği özelliklerinin incelenmesi
Investigation of surface physics properties of some oxide and iii-v semiconductor micro and nanostructures
SERKAN YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- III-V nitrit yarıiletkenlerde yük taşınımının monte carlo simülasyonu ile incelenmesi
Investigation of particle transportation in III-V nitrite semiconductors by monte carlo simulation
MUHAMMED VEHBİ PEKTAŞ
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU
- III-V grubu yarıiletkenlere dayalı aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of devices based on III-V group semiconductors
BURAK KAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
PROF. DR. TOLGA GÜVER