Geri Dön

III-V yarıiletkenlerle nanotel üretilmesi ve bazı karakteristikleri

Synthesis III-V compound semiconductor nanowires and some characteristics

  1. Tez No: 318238
  2. Yazar: ÖMER DEMİÇ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SALİH SAYGI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 56

Özet

Günümüz teknolojisinde nanoteknoloji önemli gelişmeler kaydetmiştir. Bazı tümleşik devrelerde kullanılabileceği düşünülen nanoteller ile ilgili çok ciddi araştırmalar yapılmaktadır. III-V grubu yarıiletkenler nanotel üretiminde uygun bant aralığı ve bazı özellikleri sayesinde öne çıkmaya başlamaktadır. Nanoteller ile ilgili çok çeşitli üretim yöntemleri gelişmiştir. Bunlar arasında, Kimyasal buhar çöktürme yönteminin çeşitli avantajlara sahip olması sebebiyle en çok tercih edilen yöntem olduğu bilinmektedir.Bu çalışmada Si(100) alttaş üzeri Au kaplanarak Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) metoduyla tek-kristal wurtzite yapıda GaN nano-tel 900oC de büyütüldü. Kaynak malzeme olarak galyum metali ve amonyak gazı kullanıldı. GaN nano-tellerin 20nm ile 30nm arasında çapa ve birkaç mikrometre boya sahip olduğu görüldü. Elde edilen GaN nano-teller X ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile karakterize edildi.

Özet (Çeviri)

Today's technology has made significant advances in nanotechnology. Nanowires can be used in integrated circuits to be some very serious research is done with. III-V group semiconductors Nanowires production with appropriate bandgap and some features are starting to stand out. Nanowires with a wide variety of production methods are developed. Chemical vapor deposition (CVD), a method is cheap and many advantages.In the study nanowires of single-crystalline wurtzite GaN have been fabricated on a Si (100) substrate coated with a Au layer, via a chemical vapor deposition process at 900oC using gallium and ammonia as source materials. The GaN NWs grow hexagonal cross-sections with widths of 20-30 nm and lengths of up to several microns. The obtained GaN nanowires were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) techniques.

Benzer Tezler

  1. Nitrit tabanlı III-V grubu yarıiletkenlerle oluşturulan çoklu kuantum kuyularının yapısal, morfolojik ve bazı optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

    Investigation of structural, morphological and some opticalproperties of multi-quantum wells, formed by nitrite based III-Vgroup semiconductors, dependent on temperature

    AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK

  2. İki ve üç boyutlu III-V yarı iletkenlerde sıcak elektron dinamiği

    Hot electron dynamics in two and three dimensional III-V semiconductors

    ZEYNEP USLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN

  3. Bazı oksit ve ııı-v yarıiletken mikro ve nano yapıların yüzey fiziği özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of surface physics properties of some oxide and iii-v semiconductor micro and nanostructures

    SERKAN YILDIZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN

  4. III-V nitrit yarıiletkenlerde yük taşınımının monte carlo simülasyonu ile incelenmesi

    Investigation of particle transportation in III-V nitrite semiconductors by monte carlo simulation

    MUHAMMED VEHBİ PEKTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA AKARSU

  5. III-V grubu yarıiletkenlere dayalı aygıt üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of devices based on III-V group semiconductors

    BURAK KAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

    PROF. DR. TOLGA GÜVER