Au/TiO2/n-Si (MIS) yapının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties of Au/TiO2/n-Si (MIS) structure
- Tez No: 460945
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
Au/TiO2/n-Si (MIS) yapının elektriksel özellikleri, 240-400 K sıcaklık aralığında gerçekleştirilen akım-voltaj (I-V) ve 1 kHz-1 MHz frekans aralığında gerçekleştirilen kapasitans/kondüktans-voltaj (C/G/ω-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Titanyum dioksit (TiO2) yalıtkan tabaka, n-Si üzerine radyo frekans (RF)-magnetron püskürtme yöntemi ile hazırlandı. MIS yapının idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (ΦB) seri direnç (Rs) gibi elektriksel parametreleri doğru beslem I-V ölçümlerinden belirlendi. Termiyonik emisyon (TE) teorisinden, ΦB değeri artan sıcaklıkla artarken, n değerinin azaldığı bulundu. I-V karakteristiklerindeki bu anormal davranış, engel yüksekliklerinin homojensizliğinden kaynaklanmaktadır. Bu homojensizlik engel yüksekliklerinin Gauss dağılımı ile açıklanabilir. Ayrıca, hem C hemde G/ω değeri artan frekans ile azalmaktadır. C ve G/ω'nın bu frekans bağımlılığı, arayüz durumlarının varlığına atfedilmektedir. Buna ilaveten, fermi enerji seviyesi (EF), verici katkı atomların konsantrasyonu (ND), engel yüksekliği (ΦB) ve tükenim tabakası genişliği (WD) gibi parametreler C-2-V eğrilerinden elde edildi. Elde edilen deneysel sonuçlar, hazırlanan MIS yapısının elektriksel parametrelerinin hem frekans hem de sıcaklığa oldukça bağlı olduğunu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
The electrical properties of Au/TiO2/n-Si (MIS) structure have been investigated by using current-voltage (I-V) performed in the temperature range of 240-400 K and capacitance/conductance-voltage (C/G/ω-V) performed in the frequency range of 1 kHz-1 MHz measurements. The titanium dioxide (TiO2) insulator layer was prepared by radio frequency (RF)-magnetron sputtering method on n-Si substrate. The electrical parameters such as ideality factor (n), barrier height (ΦB) and series resistance (Rs) of the MIS structure were determined from the forward bias I-V measurements. From thermionic emission (TE) theory, it was found that the n value decreases while the ΦB value increases with increasing temperature. This anomaly behavior in the I-V characteristics is due to the non-homogeneity of the barrier heights. The inhomogeneities can be explained by the Gaussian distribution of barrier heights. Also, both C and G/ω value decrease with increasing frequency. The frequency dependence C and G/ω is attributed to the presence of interface states. In addition, the parameters such as the fermi energy level (EF), concentration of donor doping atoms (ND), barrier height (ΦB) and depletion layer width (WD) were obtained from C-2-V curves. The obtained experimental results showed that the electrical parameters of the prepared MIS structure considerably depend on both frequency and temperature.
Benzer Tezler
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Au/TiO2/n-Si/Au Schottky engelinin diyot parametrelerinin sıcaklığa ve frekansa bağlı incelenmesi
Temperature and frequency depent investigation of diode parameters of Au/TiO2/n-Si/Au Schottky barrier
MURAT SEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Püskürtme tekniği ile elde edilen TiO2 filminin yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of structural and electrical analyses of TiO2 films deposited by sputtering method
YUNUS ÖZEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ
- Nano-fotokatalitik malzeme üretimi, karakterizasyonu ve fotokatalitik performans incelemesi
The production and characterization of nano-photocatalytic materials and investigation of their photocatalytic performances
EMRE ALP
Doktora
Türkçe
2019
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET KÜRŞAT KAZMANLI
DOÇ. DR. AZİZ GENÇ
- Au/tio2/n-4h-sic (mıs) schottky diyotların elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Frequency dependent electric and dielectric properties of au/tio2/n-4h-sic (mis) schottky diodes
ESRA ERBİLEN TANRIKULU
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH GÜNEN