Fabrication, characterization and parameter extraction of GaAs mesfets
GaAs mesfet üretimi, karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi
- Tez No: 33733
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MESFET, GaAs, Schottky eklemi, ohmik eklem, aktif tabaka, analitik model, küçük sinyal modeli. ıı, MESFET, GaAs, Schottky Contact, Ohmic Contact, active channel, analytical model, small-signal model
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 90
Özet
Özet GaAs MESFET ÜRETİMİ, KARAKTERIZASYONU VE PARAMETRELERİNİN ELDESİ Erhan Polatkan Ata Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Recai Ellialtıoğlu 28 Ocak 1994 Metal Yarıiletken Alan Etkili Transistor (MESFET), günümüz mikro- dalga endüstrisinin en yaygın kullanılan elemanıdır. MESFET teknolojisinin gelişmesinden sonra mikrodalga endüstrisi, özellikle iletişim alanında, önemli ivme kazanmıştır. Bu çabşmada, değişik boyut ve geometrilerde GaAs MESFETler üretilmiştir. Bu cihazların karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi alçak ve yüksek frekans bölgelerinde yapılan ölçümlerle gerçekleştirilmiştir. Üretilen MESFETlerin düşük kesim frekansları, optimize edilmemiş kapı (gate) oyuğu aşındırmasına bağlanmıştır.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION, CHARACTERIZATION, AND PARAMETER EXTRACTION OF GaAs MESFETS Erhan Polatkan Ata M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Recai Ellialtıoğlu 28 January 1994 Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET) is the most widely used active element of today's microwave industry. After development of the MESFET technology, the microwave industry gained a high acceleration, especially in the telecommunication field. In this study, GaAs MESFETs with various dimesions and geometries were fabricated. Characterization and parameter extraction of these devices were performed, by means of low and high frequency measurements. The low cut off frequency of the MESFETs produced were attributed to the non-optimized gate recess etch.
Benzer Tezler
- Design of anode active materials from hot dip galvanizing waste for lithium ion batteries
Lityum iyon piller için sıcak daldırma galvaniz atıklarından anot aktif malzemelerin tasarımı
ORHUN OĞUZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BİLLUR DENİZ KARAHAN
- A comparative analysis of mTRL and 2X-Thru de-embedding methods
mTRL ve 2X-Thru de-embeddıng yöntemleriınin karşılaştırmalı analizi
TUĞÇE AYRAÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
- Fabrication and characterization of novel membranes for battery separator applications
Pil seperatör uygulamaları için yenilikçi membran yapıların üretimi ve karakterizasyonu
UBEY AHMETOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KILIÇ
- Keratin esaslı yüzeylerin elektroçekim yöntemiyle elde edilmesi, karakterizasyonu ve gaz sorpsiyon özelliklerinin incelenmesi
Fabrication and characterization of the keratin basedsurfaces by electrospinning technique and investigationof gas sorption properties
DUYGU GAZİOĞLU RÜZGAR
Doktora
Türkçe
2018
Polimer Bilim ve TeknolojisiBursa Teknik ÜniversitesiLif ve Polimer Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞULE ALTUN KURTOĞLU
DR. SUKHWINDER KAUR BHULLAR
- High-performance readout circuit for resonator-based MEMS accelerometer using digital control loop
Dijital kontrol döngüleri kullanarak MEMS titreşen yay tipi ivmeölçer için yüksek performanslı okuma devresi geliştirilmesi
MUHAMMAD ALI
Doktora
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYFUN AKIN