Fabrication, characterization and parameter extraction of GaAs mesfets
GaAs mesfet üretimi, karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi
- Tez No: 33733
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MESFET, GaAs, Schottky eklemi, ohmik eklem, aktif tabaka, analitik model, küçük sinyal modeli. ıı, Mikrodalgalar, MESFET, GaAs, Schottky Contact, Ohmic Contact, active channel, analytical model, small-signal model, Microwaves
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet GaAs MESFET ÜRETİMİ, KARAKTERIZASYONU VE PARAMETRELERİNİN ELDESİ Erhan Polatkan Ata Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Recai Ellialtıoğlu 28 Ocak 1994 Metal Yarıiletken Alan Etkili Transistor (MESFET), günümüz mikro- dalga endüstrisinin en yaygın kullanılan elemanıdır. MESFET teknolojisinin gelişmesinden sonra mikrodalga endüstrisi, özellikle iletişim alanında, önemli ivme kazanmıştır. Bu çabşmada, değişik boyut ve geometrilerde GaAs MESFETler üretilmiştir. Bu cihazların karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi alçak ve yüksek frekans bölgelerinde yapılan ölçümlerle gerçekleştirilmiştir. Üretilen MESFETlerin düşük kesim frekansları, optimize edilmemiş kapı (gate) oyuğu aşındırmasına bağlanmıştır.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION, CHARACTERIZATION, AND PARAMETER EXTRACTION OF GaAs MESFETS Erhan Polatkan Ata M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Recai Ellialtıoğlu 28 January 1994 Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET) is the most widely used active element of today's microwave industry. After development of the MESFET technology, the microwave industry gained a high acceleration, especially in the telecommunication field. In this study, GaAs MESFETs with various dimesions and geometries were fabricated. Characterization and parameter extraction of these devices were performed, by means of low and high frequency measurements. The low cut off frequency of the MESFETs produced were attributed to the non-optimized gate recess etch.
Benzer Tezler
- Lityum iyon bataryalar için bor katkılı yüksek voltaj spinel lityum nikel manganez oksit katot aktif malzeme sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of boron-doped high-voltage spinel lithium nickel manganese oxide cathode active material for lithium-ion batteries
YUNUS EMRE GÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BİLLUR DENİZ KARAHAN
- A comparative analysis of mTRL and 2X-Thru de-embedding methods
mTRL ve 2X-Thru de-embeddıng yöntemleriınin karşılaştırmalı analizi
TUĞÇE AYRAÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN YAZGI
- Design of anode active materials from hot dip galvanizing waste for lithium ion batteries
Lityum iyon piller için sıcak daldırma galvaniz atıklarından anot aktif malzemelerin tasarımı
ORHUN OĞUZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BİLLUR DENİZ KARAHAN
- Batarya yönetim sistemi tasarımı
Battery management system design
ARDA ALTINDAĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİ FUAT ERGENÇ
- Fabrication and characterization of novel membranes for battery separator applications
Pil seperatör uygulamaları için yenilikçi membran yapıların üretimi ve karakterizasyonu
UBEY AHMETOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KILIÇ