GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
- Tez No: 338738
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 184
Özet
Bu çalışmada, GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörler (HEMT) için yeni epitaksiyel yapıların tasarımı yapıldı ve MOCVD tekniği ile büyütüldü. Elde edilen yapıların elektriksel ve yapısal özellikleri incelendi. Tasarlanan HEMT yapılarından InGaN arka bariyerli AlGaN/AlN/GaN yapıları, AlGaN tampon tabakalı AlInN/AlN/GaN yapılar ve AlInN/AlGaN çift bariyerli yapılar büyütüldü ve malzeme analizleri yapıldı. Yapısal incelemeler için AFM ve yüksek çözünürlüklü XRD tekniği, elektriksel analizler için sıcaklığa (30-300K) ve manyetik alana (0-1,4 Tesla) bağlı Hall Etkisi sistemi kullanıldı. HEMT yapıları için önemli olan saçılma analizleri yapılarak etkin saçılma mekanizmaları belirlendi. InGaN arka bariyer kullanılmasının kanaldaki elektron sınırlanmasını ve mobiliteyi artırdığı gözlendi. AlInN bariyerli yapılar üzerinde transistör aygıtları üretilerek karakterize edildi. Farklı epitaksiyel yapı tasarımlarının HEMT aygıt performansı üzerindeki etkileri incelendi. AlGaN tampon tabakalı HEMT yapıları üzerinde üretilen aygıtlarda standart yapılara göre düşük sızma akımları ve yüksek kırılma gerilimleri elde edildi.Anahtar Kelimeler : AlInN, AlGaN, GaN, HEMT, Hall etkisi, Saçılma
Özet (Çeviri)
In this study, novel epitaxial structures for GaN based high electron mobility transistors (HEMT) have been designed and grown by using MOCVD technique. Electrical and structural characterizations of the grown samples have been performed. AlGaN/AlN/GaN HEMTs with InGaN back barriers, AlInN/AlN/GaN HEMTs with AlGaN buffers and AlInN/AlGaN double barrier HEMT structures were grown and material properties were analyzed. AFM and high resolution XRD techniques were used for structural analysis, temperature (30-300K) and magnetic field (0-1,4 Tesla) dependent Hall Effect system was used for electrical analysis. Dominant scattering mechanisms were determined for the samples. Increase in electron confinement and mobility has been observed in the samples with InGaN back barriers. Transistor devices were fabricated on the samples with AlInN barriers and characterized. Effects of epitaxial structure design on the performance of HEMT devices were examined. Lower leakage currents and higher breakdown voltages were obtained in AlInN HEMT structures with AlGaN buffer layers when compared to the structures with standard GaN buffer layers.Key Words : AlInN, AlGaN, GaN, HEMT, Hall effect, Scattering
Benzer Tezler
- Design, fabrication, and characterization of normally-off GaN hemts
Normalde kapalı YEMT aygıtların tasarım, fabrikasyon ve karakterizasyonu
MELİSA EKİN GÜLSEREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- GaN-Hemt based Ku-Band RF power amplifier design for satcom applications
Uydu iletişim uygulamaları için GaN-Hemt tabanlı Ku-Bant RF Güç yükselteç tasarımı
AHMET MERT POLATER
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞİMŞEK DEMİR
- InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri
Electron and magnetotransport properties of InAlN/GaN based high electron mobility transistörs (HEMT)
PINAR TUNAY TAŞLI
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KASAP
- A comprehensive analysis of GaN HEMTs: Electro-mechanical behavior, defect generation, and drain lag reduction with HfO2 layers
GaN YEMT'lerin kapsamlı bir analizi: Elektro-mekanik davranış, kusur oluşumu ve HfO2 katmanları ile elektriksel kararlılığın iyileştirilmesi
BURAK GÜNEŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
DR. BAYRAM BÜTÜN
- Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure
ÖZLEM BAYAL
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK