Sb katkılı Bİ2-x Pbx Sr2 Ca2 Cu3 O10+x üstüniletken kalın filmlerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of Sb doped Bi2-x Pbx Sr2 Ca2 Cu3 O10+x superconducting thick films
- Tez No: 34253
- Danışmanlar: DOÇ. DR. NECDET BAŞTÜRK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 62
Özet
ÖZET Bu çalışmada Pb ve Sb ile katkılanmış Bij 7_yPbo.3SbySr2 Ca2Cu30z ortalama kompozisyonunda BSCCO kalın filmler MgO (100) alttaşlar üzerine ekran baskı yöntemiyle hazırlanmıştır. Pb ve Sb miktarları ve ısıl işlem koşullarının üstüniletken faza etkisini incelemek için filmlerin elektriksel direnç ve kritik akımın sıcaklıkla değişimi ölçümleri ve X- ışını kırınımı çalışması yapılmıştır. Yapılan çalışmada Sb ideal miktarı ~ 0.3 olarak gözlenmiştir. Üstüniletken fazı elde etmek ve bu fazı geliştirmek için, katkılanacak Pb ve Sb oranları ve uygulanacak ısıl işlemin önemli parametreler olduğu gözlenmiştir. Hazırlanan filmlerin kalınlıkları 30-50 um arasında ve üstüniletkenliğe geçiş sıcaklığı (Tc), ısıl işleme ve antimon miktarına bağlı olarak, 70-90 K arasında değerler almıştır. 70-84 K aralığında sıcaklığın fonksiyonu olarak yapılan kritik akım ölçümlerinde, tanecikler arasında Sb oranına bağlı olarak, çiftlenim parametresi (n) farklılık göstermiştir. Antimon katkılanan örneklerde SNS (y = 0.1), katkılanmamış örnekte ise SNIS yapısı gözlenmiştir. Hazırlanan filmlerin X- ışını kırınımı çalışmalarında 2212 fazı baskın olarak görülmüştür. Sb oranına bağlı olarak 2201 ve 2223 fazına ait pikler gözlenmiştir. Yapılan çalışmada Bij 7_yPbo.3SbySr2Ca2Cu30z ortalama kompozisyonuna Sb katkılanmasınm, Sb miktarına ve uygulanan ısıl işleme bağlı olarak üstüniletken fazın oluşu munu etkilediği görülmüştür. Ideal miktarda Sb katkısı ve uy gun ısıl işlem koşullarında BSCCO (2223) fazının üzerinde yeni bir faza ulaşılabilineceği, uygun koşullar sağlanmadığında yarıiletken veya yalıtkan faz elde edileceği gözlenmiştir. iv
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this work, Pb and Sb doped BSCCO thick films were prepared using screen printing technique on MgO (100) substrates. To investigate the effect of the Pb and Sb amount and sintering conditions on superconducting properties, electrical resistivity of the film and current were measured and also X-ray diffraction patterns were obtained. It is observed that the ideal amount for Pb and Sb is ~ 0.3. Pb and Sb amount and sintering conditions are important parameters for obtaining and improving the superconducting phase. Film thicknesses are between 30-50 um superconducting transition temperature, (Tc), of the films depending on the conditions under which the films were prepared, is between 70-90 K. The coupling parameter“n”was derived from the temprature dependance of Ic. Critical current measurement was carried out in the 70-84 K temperature range. Coupling parameters take different values depending the Sb amount in the doped samples (Sb=0.1), SNS and in the undoped samples SNIS structure are observed. X-ray diffraction showed that 2212 phase is the more stable phase. And also 2223 and 2201 phases depending on Sb amount are observed. In the average composition Bij 7_yPbo.3SbySr2Ca2Cu30z superconducting phase depends on the Sb amount and the sintering conditions. With the ideal amount of Sb doped and under suitable sintering conditions, a new phase above BSSCO (2223) phase (110 K) may be obtained. Otherwise insulating or semi-conducting phase is obtained.
Benzer Tezler
- BiSbTe ve BiTeSe termoelektrik malzemelerine çeşitli katkılamaların termoelektrik özelliklere etkisinin incelenmesi
Investıgatıon of effect of varıous dopıngs on the thermoelectrıc propertıes ın BiSbTe and BiTeSe thermoelectrıc materıals
SENEM SARITAŞ BATAN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞİNASİ BARIŞ EMRE
- Sb katkılı Ge kristallerin elektromanyetik parazit perdeleme özelliklerinin geliştirilmesi
The development of electromagnetic interference properties of Sb doped Ge crystals
YUNUS ÇAT
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Katkısız ve katkılı (Sb) Ge tek kristallerin büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Undoped and doped (Sb) Ge single crystal growth, investigation of structural and optical properties
YUNUS ÇAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Metal katkılı yarıiletken çinko oksit (ZnO) malzemelerin üretimi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of metal doped semiconductor zinc oxide (ZnO) materials
NAZMİ SEDEFOĞLU
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAMİDE KAVAK
- Czochralski tekniğiyle katkısız ve sb katkılı ge tek kristallerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of undoped and sb-doped ge single crystals by czochralski technique
VEYSEL BARAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM