Katkısız ve katkılı (Sb) Ge tek kristallerin büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Undoped and doped (Sb) Ge single crystal growth, investigation of structural and optical properties
- Tez No: 354229
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 94
Özet
Bu çalışmada, katkılı ve katkısız Ge tek kristalleri Czochralski (CZ) kristal büyütme tekniği ile büyütüldü. (111) yönelimli büyütülen Ge tek kristallerin, yapısal ve optik özellikleri yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD), Fourier dönüşümlü kızılötesi spektroskopi (FTIR) ve spektroskopik elipsometre (SE) analiz yöntemleri ile karakterize edildi. Katkısız ve Sb katkılı Ge tek kristaller için HRXRD ölçümlerinden elde edilen w-2q X-ışını kırınım desenlerinden kristallerin 111 yöneliminde büyüdüğü görüldü ve örgü parametresi bulundu. FTIR analizleri sonucunda 2-12 µm aralığında optik geçirgenliğin >%45 olduğu görüldü. SE analiz yöntemiyle kristallerin kırılma indisi ve yasak enerji aralığı bulundu. Tüm bu sonuçlarla üretilen Ge tek kristallerin kızıl ötesi sistemlerde mercek veya optik pencere kullanımına uygun olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, Ge doped and undoped single crystals grown by Czochralski (CZ) crystal growth techniques. (111) oriented grown of Ge single crystals structural and optical properties high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and spectroscopic ellipsometry (SE) analysis methods were characterized. Undoped and Sb-doped Ge single crystals obtained w-2q X-ray diffraction pattern of the crystals from the HRXRD measurement was observed to have grown in the 111 orientation and lattice parameters were calculated. FTIR analysis showed that the optical transmittance in the range of 2-12 ?m is > 45% was observed.. By the method of analysis SE refractive index and forbidden energy gap of the crystals was calculated. According to these results, single crystals grown Ge lens or optical window for use in infrared systems have proved to be suitable.
Benzer Tezler
- Czochralski tekniğiyle katkısız ve sb katkılı ge tek kristallerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of undoped and sb-doped ge single crystals by czochralski technique
VEYSEL BARAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM
- Ekmeklik kalitesi düşük bazı buğday çeşitleri ile tritikalenin kalitelerini yükseltme yolları üzerinde araştırmalar
A Research on increasing bread quality of low quality bread wheat varieties and triticale
A.NAİLE KOÇAK
Doktora
Türkçe
1988
Gıda MühendisliğiAnkara ÜniversitesiTarım Ürünleri Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. REFET SEÇKİN
- Sol jel yöntemiyle hazırlanan Cr:CuO/n-Si fotodiyotların üretimi ve elektriksel karakterizasyonu
Ms thesis fabrication and electrical characterization of Cr:CuO/n-Si photodiodes
ŞEYHMUS TOPRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞERİF RÜZGAR
- Gümüş ile katkılanmış tio2 ince filmlerin üretimi ve karakterizasyonu
Fabri̇cati̇on and characteri̇zati̇on of si̇lver dopi̇ng tio2 thi̇n_fi̇lms
BURÇİN TAÇ
- Çevre dostu KNN piezoseramiklerine katkılandırılmanın ve sinterleme atmosferinin etkisi
The effect of doping and sintering atmosphere on environment friendly KNN piezoceramics
MURAT MURUTOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Bilim ve TeknolojiGebze Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN YILMAZ