Sb katkılı Ge kristallerin elektromanyetik parazit perdeleme özelliklerinin geliştirilmesi
The development of electromagnetic interference properties of Sb doped Ge crystals
- Tez No: 541004
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 117
Özet
Bu tez çalışmasında, farklı katkı yoğunluklu üç adet Ge (111) tek kristali Czochralski tekniği ile 4 inç (102 mm) çapında büyütüldü. Büyütülen kristallerden dilimleme, taşlama ve parlatma işlemleri sonrasında elde edilen kızılötesi optik pencerelerin yapısal özelliği ve kızılötesi optik geçirgenliği belirlendi. Üretilen Ge pencerelerin kalınlık ve özdirenç etkileri göz önünde bulundurularak elektromanyetik parazit (EMI) perdeleme etkinliği incelendi. İlave olarak, bazı Ge optik pencereler üzerine metalik örgü, yansıma önleyici kaplama yapıldı ve optik geçirgenlik, EMI perdeleme performansı, ısıtıcı davranışı belirlendi. Metalik örgülerin şeffaf ısıtıcı davranışından yararlanarak, Ge optik pencerelerin sıcaklık bağımlı kızılötesi optik geçirgenlik değişimi izlendi. Ge optik pencerelerin iletkenlik ve kalınlığının artmasıyla EMI performansının artığı gözlendi. Metalik örgüler sayesinde daha iyi bir EMI perdeleme ve ısıtıcı performansı elde edildi. Üretilen Ge pencerelerin, yüksek optik geçirgenliğe, yüksek EMI perdeleme ve ısıtıcı performansına sahip olması, kızılötesi görüntüleme sistemlerinde optik pencere olarak kullanımına elverişli olduğunu göstermektedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, three Ge (111) single crystals with different dopant concentration were grown in 4 inch (102 mm) diameter by Czochralski technique. The structural properties and infrared optical transmittance of the infrared optical windows obtained after slicing, lapping and polishing of the grown crystals were determined. The electromagnetic interference (EMI) shielding effectiveness was determined by depending on the thickness and resistivity effects of the considered windows. In addition, metallic mesh, anti-reflective coatings were made on some of Ge optical windows and their effects on optical transmission, EMI shielding, heater behavior were evaluated. The temperature dependent infrared optical transmittance changing of the Ge optic windows were observed by utilizing the transparent heater behavior of the metallic mesh. The EMI performance of the Ge optical windows was enhanced with increasing conductivity and thickness. A better EMI shielding and heater performance has been achieved due to the metallic mesh. It is evaluated that produced windows having high optical transmittance, high EMI shielding and heater performance are suitable to use in infrared imaging systems.
Benzer Tezler
- Katkısız ve katkılı (Sb) Ge tek kristallerin büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Undoped and doped (Sb) Ge single crystal growth, investigation of structural and optical properties
YUNUS ÇAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Experimentally verified numerical simulation of single crystal growth process with a low melt height and an axial vibration
Düşük sıvı yüksekliğiyle ve eksenel titreşimle büyütülmüş tek kristallerin deneysel olarak onaylanmış nümerik simülasyonu
AIDIN SHEIKHI
Doktora
İngilizce
2018
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERCAN BALIKCİ
- Düşük sıvı yüksekliğiyle ve eksenel titreşimle büyütülmüş germanyum tek kristallerin nümerik simülasyonu
Numerical simulation of germanium single crystals grown with a low melt height and an axial vibration
POUYA YOUSEFI LOUYEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Assoc. Prof. Dr. ERCAN BALIKCİ
- Czochralski tekniğiyle katkısız ve sb katkılı ge tek kristallerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of undoped and sb-doped ge single crystals by czochralski technique
VEYSEL BARAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM
- Fabrication of germanium micro and nanostructures by laser induced electrachemical anodization method
Germanyum mikro ve nano yapıların darbeli lazer içeren elektrokimyasal anodizasyon yöntemi ile üretilmesi
EMİN ÖZÜNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ