In2o3 yarıiletken filminin döndürerek kaplama yöntemiyle elde edilmesi
Production of In2o3 semiconductor film by spin coating method
- Tez No: 342618
- Danışmanlar: DOÇ. DR. METİN KUL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 76
Özet
Bu tez çalışmasında, geçirgen iletken oksitlerden In2O3 yarıiletken filmleri döndürerek kaplama tekniği ile cam tabanlar üzerine üretilmiştir. Döndürerek kaplamanın her bir parametresini değiştirmek suretiyle en iyi filmin oluşacağı şartlar belirlenmiştir. Son aşamada 375 oC, 425 oC ve 475 oC tavlama sıcaklıklarında filmler üretilmiştir. Elde edilen In2O3 yarıiletken filmlerin bazı özellikleri incelenmiştir. In2O3 yarıiletken filmlerin kalınlıkları elipsometri ölçümleri ile belirlenmiştir. Filmlerin x-ışını kırınım desenleri incelendiğinde numunelerin polikristal yapıda oluştuğu ve tavlama sıcaklığının filmlerin yapısal özelliklerini iyileştirdiği sonucuna ulaşılmıştır. Yüksek geçirgenlikteki In2O3 yarıiletken filmlerin optik özellikleri incelenmiş ve filmlerin direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmıştır. Tavlama sıcaklığının 375 oC `den 475 oC çıkması yasak enerji bant aralığında herhangi bir değişime neden olmadığı gözlenmiştir. Absorpsiyon spektrumlarından yararlanılarak yasak enerji aralığı değerleri 3,48 eV ve 3,49 eV olarak hesaplanmıştır. Filmlerin yüzey topografileri, alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu ile incelenmiştir. Bu görüntülerde film karakteristik kristal yapısı gözlenmiştir.
Özet (Çeviri)
this study, In2O3 films which belong to transparent conducting oxides have been produced by sol gel spin coating technique on glass substrates. By changing each parameters of spin coating technique, the conditions of the best film that produced were determined. At the last step of production films were produced at 375 oC, 425 oC and 475 oC heat treatment temperature. To investigate the physical properties of In2O3 semiconductor films, some properties of the produced films have been investigated. Thickness of the In2O3 films have been measured by ellipsometry technique. X-ray diffraction studies showed that the samples have polycrystalline nature and the increasing of heat treatment temperature improves the structural properties of the films. Optical properties have been investigated of the highly transparent semiconductor In2O3 films and films were found to have a direct band gap structure. Increase of heat treatment temperature from 375 oC to 475 oC, it was obtained that the optical band gap value almost stays the same. The optical band gap energies of the In2O3 samples from the absorption spectra have been calculated 3.48 eV and 3.49 eV. The surface topography of the films have been examined by field emission scanning electron microscope. In those images characteristic crystal structure of films was observed.
Benzer Tezler
- ITO cam üzerine büyütülen InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heteroeklemlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
Determination of the structural, optical and electrical characteristics of InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heterojoints growth on ITO glass
FATİH ÜNAL
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TEKİN İZGİ
PROF. DR. BEHZAD BARIŞ
- Preparation of indium tin oxide thin films and investigation of hydrogen post-treatment effect
İndiyum kalay oksit ince filmlerin hazırlanması ve hidrojen ile indirgeme etkisinin incelenmesi
GÖKÇEN GÖKÇELİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ
- SILAR yöntemiyle In2S3 yarıiletken filminin elde edilmesi ve bazı fizksel özelliklerinin incelenmesi
Production of In2S3 semiconductor film by SILAR method and investigation of some physical properties
TURAN TAŞKÖPRÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. EVREN TURAN
- In2S3 ince filminin n–InP altlık üzerine kimyasal püskürtme metoduyla büyütülmesi ve üretilen Au/n–InP/In ve Au/In2S3/n–InP/In yapıların numune sıcaklığına bağlı olarak elektriksel karakteristiklerinin karşılaştırılması
Deposition of In2S3 thin film on n–inp substrate by chemical spray pyrolysis method and comparison of depending on sample temperature electrical characteristics of produced Au/n–InP/In and Au/In2S3/n–InP/In structures
TUBA ÇAKICI
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Püskürtme yöntemiyle elde edilen In2o3' ün elektriksel özellikleri
Some electrical properties of In2o3 films deposied by spray pyrolysis
HAKAN BAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR