SILAR yöntemiyle In2S3 yarıiletken filminin elde edilmesi ve bazı fizksel özelliklerinin incelenmesi
Production of In2S3 semiconductor film by SILAR method and investigation of some physical properties
- Tez No: 266546
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. EVREN TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
In2S3, III-VI gurubu bir yarıiletken malzemedir. Geniş yasak enerji aralığına sahip olduğundan dolayı optoelektronikte ve fotovoltaik aygıt üretiminde oldukça önemlidir. Bu çalışmada In2S3 yarıiletken filmlerin elde edilme özellikleri incelendi. In2S3 yarıiletken filmleri Arıdışık İyonik Tabaka Adsorpsiyon ve Reaksiyonu (SILAR) yöntemiyle 40,50,60,80,100,150 ve 200 SILAR döngü sayılarında ve oda sıcaklığında elde edildi. Elde edilen filmler 400?C de hava ortamında kurutuldu. X-ışını kırınım desenlerinden üretilen filmlerin tetragonal ve hekzagonal polikristal yapıya sahip oldukları belirlendi. Filmlerin optik özelliklerinin incelenmesi ile filmlerin direkt band geçişine sahip olduğu belirlendi. Filmlerin döngü sayılarına göre yasak enerji aralıklarının 2,27 ? 2,98 eV arasında değiştiği belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In2S3 belongs to group III-VI semiconducting material. Because of In2S3 has a wide band gap, it is important in optoelectronics and photovoltaic device fabrication. In this study, In2S3 semiconducting films were produced by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) technique at room temperature for 40,50,60,80,100,150 and 200 SILAR cycles. X-ray diffraction patterns of films showed that they were crystallized in tetragonal and hexagonal polycrystalline forms whereas the ones produced at lower temperatures are amorphous. The as-deposited films are heat-treated at 400?C for 1 h in air. Absorption spectrums showed that they had direct band gap characteristics with the band gap values lying in between 2,27-2,98 eV.
Benzer Tezler
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Çözelti tabanlı cu2znsns4 (Czts) güneş hücrelerinin hazırlanması ve geliştirilmesi
Preparation and developing of solution-based cu2znsns4 (Czts)solar cells
AHMET TUMBUL
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FERHAT ASLAN
- In2Se3 yarıiletken materyallerin yeni bir metot olan ko-depozisyon metoduyla sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of In2Se3 semiconductor materials with a new co-deposition method
SIDDIK DEMİR
- Sol-jel metodu ile polikristal heteroeklem güneş pili üretilmesi, yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Preparation and investigation of structural, electrical and optical properties of polycrystalline heterojunction solar cell by using the sol-gel method
FERHAT ASLAN
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İBRAHİM HALİL MUTLU
- InSe ince filmlerin sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InSe thin films from silar technique
AYKUT ASTAM
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM