ZnO/NiO pn eklem diyotunun sol-jel yöntemiyle hazırlanması ve elektronik özelliklerinin araştırılması
Preparation by sol-gel of ZnO/NiO pn junction diode and investigation of their electronic properties
- Tez No: 379506
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: ZnO, NiO, pn eklem diyot, Sol-Jel, ZnO, NiO, pn junction diode, Sol-gel
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ZnO ve NiO filmleri sol-jel yöntemiyle sentezlendi. Filmlerin yapısal ve optik özellikleri atomik kuvvet mikroskobu ve UV-VIS spektrofotometre ile incelendi. ZnO ve NiO filmlerinin optik bant genişlikleri sırasıyla 3,198 ve 3,827 eV olarak bulundu. ZnO/NiO pn eklem diyot sol-jel yöntemi ile hazırlandı. pn eklem diyotun elektriksel özelikleri Termoiyonik emisyon ve Norde yöntemleri kullanılarak analiz edildi. Elektriksel parametreler; idealite faktörü, bariyer yüksekliği ve seri direnç sırasıyla 6,46, 1,036 eV ve 39,1 MΩ olarak bulundu. Yüksek elektrik alanlarında, diyotun yük taşıma mekanizması uzay yük limit akımı tarafından kontrol edilir. Bu çalışmada hazırlanan ZnO/NiO pn eklem diyotu elektronik cihaz uygulamalarında kullanılabilir.
Özet (Çeviri)
Preparation By Sol-Gel Of ZnO/NiO pn Junction Diode And İnvestigation Of Their Electronic Properties The ZnO and NiO films were synthesized by the sol-gel method. The structural and optical properties of the films were investigated by atomic force microscopy and UV-VIS spectrophotometers. The optical band gaps of ZnO and NiO films were obtained to be 3,198 and 3,827 eV respectively. The ZnO/NiO pn junction diode was prepared by the sol-gel method. The electrical characteristics of the diode were analyzed using thermionic emision and Norde methods. The electrical parameters such ideality factor, barrier height as series resistance were found to be 6,46, 1,036 eV and 39,1 MΩ respectively. At the higher electric fields, the charge transport mechanism of the diode is controlled by the space charge limited currents. It is evaluated that the prepared ZnO/NiO pn diode can be used in transparent electronic devices applications.
Benzer Tezler
- Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi
Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque
EVREN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Mimarlıkİstanbul Teknik ÜniversitesiMimarlık Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE
- Aspect verbal en grec Istanbouliote: modele de description fonctionnaliste
Başlık çevirisi yok
EMİNE YAVAŞGEL
Yüksek Lisans
Fransızca
1993
Dilbilimİstanbul ÜniversitesiYabancı Diller Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NÜKHET GÜZ
- P-metoksibenzoatların nikotinamid, izonikotinamid ve dietilnikotinamid komplekslerinin sentezi ve özellikleri
Synthesis and properties of nicotinamide, isonicontinamide and diethylnicotinamide complexes of p-methoxybenozates
ERDİNÇ TENLİK
- Üç bileşenli metal oksit esaslı fotosensörlerin üretilmesi
Fabrication of three-component metal oxide based photosensors
ERDAL KARAKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırklareli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BURHAN COŞKUN
- Dört bileşenli fonksiyonel malzeme arayüzeyli metal/yarıiletken (MS) fotodiyotların hazırlanması ve elektrik ile optik özelliklerinin incelenmesi
The fabrication of metal/semiconductor (MS) photodiodes with quaternary functional interfacial layer and investigation their electric and optic characteristics
KEVSER YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEÇKİN ALTINDAL YERİŞKİN