Geri Dön

Al / Rhodamine - 101 / n-GaAs Schottky Engel diyotlarının hazırlanması ve iletim mekanizmalarının geniş bir sıcaklık aralığında incelenmesi

The preparatinon of Al / Rhodamine - 101 / n-GaAs Schottky Barrier diodes and the investigation of their cundiction mechanisms in the wide temperature range

  1. Tez No: 408841
  2. Yazar: ÖZKAN VURAL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 99

Özet

Al/Rhodamine-101/n-GaAs Schottky engel diyotlarının (SBDs) elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/w-V) ölçüm metotları kullanılarak geniş bir sıcaklık aralığında incelendi. Artan sıcaklık ile idealite faktöründe (n) bir azalma ve sıfır-beslem engel yüksekliğinde ( ? Bo) ise bir artma olduğu gözlendi. ? Bo ve n değerlerinin bu şekildeki davranışı, metal/yarıiletken (M/Y) ara yüzeyinde oluşan engel homojensizliğine atfedilebilir ve bu durum Gaussian dağılımı (GD) ile açıklanabilir. Diyot idealite faktörünün sıcaklığa çok bağlı olması, M/Y ara-yüzeyindeki organik tabakada oluşan akım sürecinin, orta ve yüksek gerilim bölgelerindeki akım iletiminin uzay-yük sınırlaması mekanizmasının etkin olabileceğini göstermektedir. Böylece, metal/n-GaAs Schottky diyotlarda kullanılan Rh101 ara-yüzey tabakası, M/Y arasında oluşan ? Bo değerini oldukça değiştirir. Sonuç olarak, geleneksel Al/n-GaAs Schottky diyotlar için 290 K de elde edilen ? Bo değeri, bu çalışmadaki Al/Rh101/n-GaAs için elde edilen 0,68 eV değerlerinden önemli ölçüde yüksek olduğu belirlendi. C ve G/w değerlerinin de sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. Kapasitans verilerinde, tüm sıcaklıklar için doğru ön-gerilim bölgesinde negatif kapasitans olayı gözlendi. Kapasitans verilerindeki bu davranış, M/S ara-yüzeyinde lokalize olmuş ara-yüzey durumlarının kaybıyla veya elektrotlar arasında yüklerin azalmasıyla açıklanabilir. Buna ilaveten, gerçek C-V eğrisini elde etmek için 290 K'deki C-V eğrisi, seri direnç (Rs) değeri dikkate alınarak düzeltildi.

Özet (Çeviri)

The electrical characteristics of Al/Rhodamine-101/n-GaAs Schottky barrier diodes (SBDs) have been investigated by using the current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurement methods in the wide temperature range. It has been seen a decrease in ideality factor (n) and an increase in the zero-bias barrier height ( ? Bo) with an increase in temperature. It has been seen that such a behavior of the barrier height (BH) and n obey Gaussian distribution of the BHs due to the BH inhomogeneities at the metal/semiconductor (M/S) interface. The very strong temperature dependence of ideality factor of the structure has shown that the current processes occurring in the organic layer at the MS interface would be a possible candidate such as space-charge limited conduction in determining the current at the intermediate and high bias regimes. Furthermore, it has been shown that the Rh101 can be used to vary effective BHs for the metal/GaAs Schottky diodes. As a result, it has been determined that the BH value for conventional Al/n-GaAs SBD is remarkably higher than our own values of 0,68 eV obtained for the Al/Rh101/n-GaAs at 290 K. The values of C and G/w were also found to be a strongly function of temperature. The negative capacitance phenomenon has been observed in the C-V plot for each temperature. Such behavior of C can be explained by considering the loss of interface charges localized at M/S interface and the decrease of charges between two electrodes. In addition, the C-V plot at 290 K were corrected by considering the series resistance (Rs) effect to obtain the real diode capacitance.

Benzer Tezler

  1. Ultrasound assisted synthesis of micro and nano crystals

    Ses üstü sayesinde mikro ve nanokristal sentezi

    CANSU YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    KimyaKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÖZGÜR BİRER

  2. Rodamin B tayini için MOF temelli potansiyometrik sensör geliştirilmesi

    Development of MOF based potentiometric sensor for determination of rhodamine B

    NURCAN KAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    KimyaVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜLŞAH SAYDAN KANBEROĞLU

  3. Preparation of dual-drug loaded polymer-lipid hybrid nanoparticles towards the treatment of breast cancer

    Meme kanseri tedavisine yönelik ikili ilaç yüklü polimer-lipit hibrit nanopartiküllerin hazirlanması

    GÜŞTA İREM SAKIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Kimya MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİHAL AYDOĞAN

    PROF. DR. WIM DE MALSCHE

  4. DFT study of the optical properties of triptycene (T)-urea (U) containing compounds and their complexes for targeted analyte sensing

    Patlayıcıları algılayan triptesen-üre içeren moleküllerin ve komplekslerinin optik özelliklerinin YFT metodu ile incelenmesi

    BELKIS EMANET

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİNE YURTSEVER

  5. Rodanin-N-asetik asit ligandının metal komplekslerinin sentezlenmesi ve biyoaktif özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis of complexes of rhodanine-N-acetic acid with iron(III), aluminium(III), chromium(III), copper(II) and manganese(III) and investigation of bioactive characteristics

    ELEM ŞEFLEK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    KimyaÇukurova Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMEL YILDIZ