Politiyofen(P3DMTPT) arayüzeyli Al/p-Si Schottky diyotun akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristikleri
The study electronics properties of P3DMTPT/Al/p-type Si structures
- Tez No: 410764
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyotları, seri direnç, polimer arayüzey tabaka, arayüzey hal yoğunluğu, Schottky diode, series resistance, polymer interfacial layer, density of interface states
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 62
Özet
Bu çalışmada , polimer Politiyofen (P3DMTPT) arayüzeyli/Al/p - Si Schottky kontağın elektriksel özellikleri çalışılmıştır. Schottky diyotun üretiminde ( 100 ) yönelimli , 390 m ve 1 - 10 Ω cm özdirence sahip olan p - Si kullanılmıştır. Akım - gerilim ve k apasite - gerilim ölçümleri yardımıyla diyotun karakteristik parametreleri elde edilmiştir. Tüm ölçümler oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilmiştir. Schottky diyotun idealite faktörü ve engel yüksekliği değeri akım - gerilim karakteristiğinden 1,41 ve 0,87 eV elde edilmiştir. Seri direnç değeri Norde ve Cheung fonksiyonları yardımıyla bulunmuştur. Norde fonksiyonları ile elde edilen kontak par ametreleri ile Cheung fonksiyonl arı ile elde edilen kontak parametreleri karşılaştırı lmıştır. Cheung fonksiyonları kullanılarak idealite faktörü 4,48, engel yüksekliği 0,63 eV ve seri direnç 42 Ω bulunmuştur. Taşıyıcı yoğunluğu ve en gel yüksekliği değerleri, C - 2 - V grafiğinin ters besleme kısmı kullanılarak bulunmuştur. Taşıyıcı yoğunluğu 1,31 ⨯ 10 15 cm - 3 ve engel yüksekliği 0,8 5 6 eV olarak bulunmuştur. Politiyofen (P3DMTPT) arayüzeyli/Al/p - Si Schottky diyodun bulunan karakteristik
Özet (Çeviri)
In this study, the electrical properties of Al/p - Si Schottky contact with polymer Politiyofen (P3DMTPT) interfacial layer has been studied. For fabrication of Schottky diode, p - Si crystal with 100 orienta tion, 390 m thickness a nd 1 - 10 Ω cm resistivity was used. The characteristic parameters of the diode have been obtained by using the capacitance - voltage and the current - voltage measurements. All the measurements were performed at room temperature and in dark. Ideality factor and barrier height value s of Schottky diode have been determined from the current - volta ge characteristic as 1.40 and 0. 87 eV respectively . Series resistance value were c alculated from Norde's function and Cheung 's function. The contact parameters obtained from Norde's function were compared with those from Cheung functions. Using the Cheung functions, the values of ideality factor, barrier height and series resistance were calculated as 4. 48, barrier height of 0 . 63 eV and 42 Ω respectively . The carrier concentration and barrier height values for diode were extracted from its reverse bias C - 2 - V charecteristic. The carrier concentration value of 1 . 31 ⨯ 10 15 cm - 3 and barrier height value of 0 . 856 eV were determined from the reverse bias C - 2 - V char a cteristic s . According to presented characteristic properties of P3DMTPT Al/p - Si diode, it can be said that the diode obeys the metal - insulator - semiconductor (MIS) structure.
Benzer Tezler
- Politiyofen, poli(sülfonik asit difenil anilin) ve nanokompozitlerinin termoelektrik özelliklerine manyetik alanın etkisinin araştırılması
Investigation of magnetic field effect on the thermoelectric properties of polythiophene, poly(sulphonic acid diphenyl aniline) and their nanocomposites
KEZİBAN HÜNER
- Electrochemical synthesis and characterization of sulfonated polythiophenes and aniline-thiophene copolymers
Sülfolanmış politiyofen ve anilin-tiyofen kopolimerinin elektrokimyasal sentezi ve karakterizasyonu
YASEMİN ARSLAN UDUM
- Thermoelectrical properties of polithiophene (P3HT) thin film polymers
Politiyofen (P3HT) ince polimer filmlerin termoelektriksel özellikleri
İBRAHİM GÖKHAN HACIAHMETOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞENOL MUTLU
- Politiyofen/Nevşehir pomzası kompozitlerinin elektroreolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrorheological properties of polythiophene/Nevşehi̇r pumice composites
HAŞİM YILMAZ
- Politiyofen ve politiyofen-kopolimer sisteminin elektroreolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrorheological properties of polythiophene and polythiophene-copolymer system
OSMAN KARAGÖLLÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
KimyaSüleyman Demirel ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA YAVUZ