Al/si3n4/p-si schottky diyodun radyasyona bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of al/si3n4/p-si schottky diode depending on radiation
- Tez No: 452730
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. SEDAT ZEYREK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Al/Si3N4/p-Si (MIS) yapı, Arayüzey durumları, C-V ve G/?-V karakteristikleri, Seri direnç, Al/Si3N4/p-Si (MIS) structure, Interface states, C-V ve G/?-V characteristics, Series resistance
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 63
Özet
Bu çalışmada, 60Co ?-ray ışınımının, kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/?-V) ölçümleri kullanılarak Al/Si3N4/p-Si (MIS) yapılarının elektriksel özellikleri üzerine etkisi incelenmiştir. MIS yapıları 0,7 kGy/h dozunda 60Co ?-radyasyon kaynağına maruz bırakılmış ve toplam doz aralığı 0-100 kGy olmuştur. C-V ve G/?-V özellikleri 500 kHz?de ve oda sıcaklığında 60Co ?-ray ışınımı öncesi ve sonrası ölçülmüştür. Arayüzdeki uyarılmış -ışınım kusurları yüzünden toplam dozda artış olurken kapasitans ve iletkenlik değerlerinde azalma gözlenmiştir. Ayrıca ?-radyasyonu nedeniyle engel yüksekliğinde (?B) , Fermi enerjide (EF) ve tükenim tabakası genişliğinde (WD) artış olduğu görülmüştür. Hill-Coleman yöntemiyle, arayüzey durum yoğunluğu (Nss) radyasyon dozuna bağlı olarak C-V ve G/?-V ölçümlerinden belirlenmiş ve radyasyon dozundaki artışla birlikte bir azalma görülmüştür. Arayüzey durumlarındaki azalma, yalıtkan tabakanın (Si3N4) oluşturulması yüzünden Si yüzeyinin pasivasyonuna ve yeniden birleşme merkezlerindeki azalmaya bağlanabilir. İlaveten, akseptör konsantrasyonunun (NA) artan radyasyonla birlikte azaldığı açıktır. Çeşitli radyasyon dozu için seri direnç Rs?nin profili ileri-geri gerilimli C-V ve G/?-V ölçümlerinden elde edilmiştir ve değerlerinin artan radyasyon dozuyla azaldığı, birikim bölgesinde artan voltajla birlikte arttığı görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study, the influence of the 60Co ?-ray irradiation on the electrical characteristics of Al/Si3N4/p-Si (MIS) structures are investigated by using the capacitance-voltage (C-V) ve conductance?voltage (G/?-V) measurements. The MIS structures are exposed to a 60Co ?-radiation source at a dose of 0.7 kGy/h ve the total dose range is 0-100 kGy. The C-V ve G/ ?-V properties are measured before ve after 60Co ?-ray irradiation at 500 kHz ve room temperature. It is found that the values of capacitance ve conductance decrease with the increase in total dose due to the irradiation-induced defects at the interface. Also, the results indicate that ?-radiation causes an increase in the barrier height ?B, Fermi energy EF ve depletion layer width WD. The interface state density (Nss ), by the Hill-Coleman method, as dependent on radiation dose, is determined from the C-V ve G/?-V measurements, ve decreases with increase in radiation dose. The decrease in the interface states can be attributed to the decrease in the recombination centers ve the passivation of the Si surface due to the deposition insulator layer (Si3N4). In addition, it is clear that the acceptor concentration NA decreased with increasing radiation dose. The profile of series resistance RS for various radiation doses is obtained from forward ve reverse biased C-V ve G/?-V measurements, ve its values decreases with increasing radiation dose while it increases with increasing voltage in the accumulation region.
Benzer Tezler
- Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar
Anisotropic etching of silicon and microsensors
F.ALİ ALDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Al matrisli α-Si3N4 takviyeli kompozit malzeme üretimi ve işlenebilirliğinin karakterizasyonu
Production of al based composite reinforced with α-si3n4 and caracterization of its machinability properties
ERSİN BAHÇECİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Makine MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetal Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. YUSUF ÖZÇATALBAŞ
- Toz metalurjisi imalat yöntemi ile alüminyum matrisli TiC takviyeli kompozit malzeme üretimi ve çekme mukavemeti testlerinin analizi
Production of aluminum matrix TiC reinforced composite material by powder metallurgy manufacturing method and analysis of tensile strength tests
HAKAN YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Makine MühendisliğiSakarya ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET ÇAĞATAY ÇİLİNGİR
- Manyetik sıçratma tekniği ile üretilmiş Mo2N ve nanokompozit Mo-N-Cu kaplamaların aşınma davranışlarının karşılaştırılması
Comparison of fretting behavior of Mo2N and nanocomposite Mo-N-Cu coatings produced by magnetron sputtering technique
AHMET ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN