Tek tabakalı bor fosfatın elektronik yapısına molekül tutunmasının etkileri
Effects of Molecular Adsoption on the Electronic Structure of Single Layer Boron Phosphide
- Tez No: 479036
- Danışmanlar: DOÇ. DR. OLCAY ÜZENGİ AKTÜRK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Adnan Menderes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Bu tez çalışmasında, kuantum mekaniğine dayalı Yoğunluk Fonksiyonel Teori (YFT) yardımıyla, iki boyutlu BP (Bor Fosfat) tek tabaka yapısının geometrik ve elektronik özellikleri Genelleştirilmiş Eğim Yaklaşımı (GEY) ve Yerel Yoğunluk Yaklaşımı (YYY) ile incelenerek mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı. Ayrıca elde edilen BP tek tabaka yapısının Ar, Cu, In, Tl ve Zn atomları ile etkileşmesi ve etkileşim sonucu oluşan yeni yapının geometrik ve elektronik özellikleri incelendi. Tüm atomların BP tek tabakasına çukur konumunda minimum enerjiyle bağlandıkları görüldü. Ar, Cu, In, Tl ve Zn atomları tek tabakalı BP geometrik yapısı üzerinde önemli bir deformasyona yol açmamıştır. Yarıiletken olan BP tek tabakasının bant aralığı bu çalışmada GEY için 0,90 eV, YYY için 0,82 eV olarak hesaplanmıştır. Ar ve Zn atomu BP tek tabakasının bant aralığı üzerine bir etki etmezken; Cu, In ve Tl atomları bağlanmış BP tek tabakası, metalik özellik sergilemektedir. Bu atomlar ile etkileşim sonrası BP tek tabakasının bant seviyeleri aşağı enerji seviyelerine doğru kayma göstermiştir. Elde edilen sonuçlar elektronik araçlarda iki boyutlu malzemelerin kullanım alanlarının geliştirilmesi ve deneycilerin kullanabileceği teorik alt yapının oluşturulmasına katkı sağlayacak niteliktedir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, geometric and electronic properties of two dimensional BP (Boron Phosphide) monolayer is investigated within Generelized Gradient Approximation (GGA) and Approximation, Local Density Approximation (LDA) by Density Functional Theory based upon quantum mechanics and compared the results with experimental and theoretical data in literature. Moreover interaction of BP monolayer with Ar, Cu, In, Tl and Zn adatoms and effects of this adsorption mechanism on geometric and electronic structure were presented. It is found that all the adatoms considered in this study bound over hollow site of BP and do not cause a significant deformation on geometric structure of BP. The band gap of semiconductor BP is calculated as 0.90 eV for GGA and 0.82 eV for LDA. While Ar and Zn atoms do not affect the band gap of BP, the electronic states of Cu, In, Tl adsorbed to BP systems shifted to lower energy states and these systems showed metallic property. The results of this study provide a contribution for usage area of two dimensional materials and a theoretical knowledge for experimental studies.
Benzer Tezler
- Metal katkılanmış tabakalı bor bileşiklerinin sentezlenmesi ve özellikleri
Synthesis and properties of metal doped layered boride compounds
BORA KALKAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN ÖZDAŞ
- YbB2 ve Lix BC(x<1) tabakalı bor-karbon bileşikleri: Alışılmamış yapısal ve fiziksel özellikler
YbB2 AND Lix BC(x<1) layered boron-carbon compounds: Novel structural and physical properties
BORA KALKAN
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN ÖZDAŞ
- Bor bileşikli bataryalar
Boron compound of batteries
ALİ ÖZBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ŞİMŞEK
- Bor mineralleri zenginleştirme prosesi atıklarının, ağır metallerin sulu çözeltilerden uzaklaştırılmasında kullanılabilirliğinin araştırılması
Bor mineral beneficiation process waste, usability of heavy metals in aqueous solutions removal of investigation
ABDULLAH TOKU
- Monitoring the diffusion and degradation characteristics of crystals via Raman spectroscopy
Kristal yapıların difüzyon ve bozulma karakteristiklerinin Raman spekroskopisi yolu ile gözlenmesi
BARIŞ AKBALI
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HASAN ŞAHİN