Atomic scale investigation of clean and epi-grown Si (001) surfaces using scanning tünelling microscopy
Temiz ve üzerine eşöngüsel tabaka büyütülmüş Si (001) yüzeylerinin taramalı tünelleme mikroskobu kullanılarak atomik düzeyde incelenmesi
- Tez No: 50021
- Danışmanlar: DOÇ.DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Taramalı Tünelleme Mikroskobu, Ultra Yüksek Vakum Sis temi, Si(001)(2xl) yeniden yapılanma, Eşörgüsel büyüme. iv, Scanning Tunneling Microscope, Ultra High Vacuum, Si(001)(2xl) reconstruction, Epitaxial growth. 11
- Yıl: 1996
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Özet TEMİZ VE ÜZERİNE EŞORGUSEL TABAKA BÜYÜTÜLMÜŞ SI(00l) YÜZEYLERİNİN TARAMALI TÜNELLEME MİKROSKOBU KULLANILARAK ATOMİK DÜZEYDE İNCELENMESİ H. Özgür Özer Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Recai Ellialtıoğlu Ocak 1996 Bu tezde, temiz ve üzerine eşörgüsel tabaka büyütülmüş Si(001)(2xl) yüzeyleri Taramalı Tünelleme Mikroskobu (TTM) kullanılarak incelenmiştir. T TM ve onun içine yerleştirildiği Ultra Yüksek Vakum Sistemi açıklanmaktadır. Ayrıca. Si(00l) yüzeyinin yeniden yapılanması ve temel özellikleriyle ilgili çalışmaların kısa bir tarihçesi de verilmektedir. İlk olarak, örnek ve iğne hazırlama teknikleri optimize edildi. Hem sistem dışı kimyasal hem de sistem içi ısıtarak temizleme prosedürleri içeren örnek hazırlama yönteminin, özellikle ısıtmada kullanılan sıcaklık değerlerinin kritikliği yüzünden, düzenli bir şekilde temiz ve atomik seviyede düz yüzeyler vermediği görülmüştür. Temiz Si (001) yüzeylerinde bir atom yüksekliğindeki basamaklar, çiftil sıralar, eksik çiftil ve çil'til grupları gibi kusurlar gözlenmiştir. Kirliliğe bağlı çift atom yüksekliğindeki basamak oluşumu da birkaç örnekte ortaya çıkarılmıştır. Başlıca sebebinin yüksek kusur yoğunluğu, ya da TTM iğnesinin etkisi olduğuna inanılan çiftillerin asimetrikleşmesi olayı da bir örnekte görülmüştür. Si ve Ge silisyum ana yüzeyi üzerine, sıra,siyla 0.11 ve m3.2 mono-tabakalarla, eşörgüsel olarak büyütülmüştür. Si'uıı büyümesi, düşük ana yüzey sıcaklığından (~ 300 °C) dolayı, ada oluşumu şeklinde gerçekleşmiştir. Büyümede yön bağımlı yapılanma ve yayılma tespit edilmiştir. Diğer yandan, görece yüksek sıcaklıkta (~ 500 °C) çok miktarda Ge kaplanması, teraslar üzerinde kendi başına adaların oluşumundan çok basamak akışı şeklinde bir büyümeyle sonuçlanmıştır.
Özet (Çeviri)
Abstract ATOMIC SCALE INVESTIGATION OF CLEAN AND EPI-GROWN SI(OOl) SURFACES USING SCANNING TUNNELING MICROSCOPY H. Özgür Özer M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Rccai EHiaHio|«;ln J miliary 1 990 In this thesis, clean and epi-grown Si(001)(2xl) surfaces are analysed by Scanning Tunneling Microscopy (STM). The STM and Ultra. High Vacuum System (UHV) in which the microscope is installed, are described. A brief history of the studies on the reconstruction and fundamental features of the Si(001) surface is also given. First, the sample and tip preparation techniques were optimized. Sample preparation method, which includes both ex situ chemical and in situ heating cleaning procedures, was found not to give routinely the clean and atomically flat surfaces, because of the criticality of the temperature values used during heat treatments. The monoatomic steps, dimer rows, defects such as missing dimer and dimer groups, were observed on clean Si(001) surfaces. Double height step formation due to contamination was also detected on a few samples. Buckling of dimers which is believed to be due mainly to either the high defect density or tip-surface interaction, was observed on one sample. Si and (Je were grown epitaxially on the silicon substrate, with 0. 1 i ML and 3.2 ML coverages, respectively. The Si growth on Si(001) was found to occur as islandformation because of the low substrate temperature (~ 300 °C). Strong shape anisotropy and diffusional anistropy in the growth have been observed. On the other hand, the large coverage of Ge on Si(001) at a relatively high substrate temperature (~ 500 °C), are resulted in step flow growth rather than individual island formation on the terraces.
Benzer Tezler
- Thermoelectric properties investigation of copper based chalcogenide and cobalt based skutterudite structures
Bakır tabanlı kalkojenit ve kobalt tabanlı skutterudite yapılarının termoelektrik özelliklerinin incelenmesi
TUĞBA TEMEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BURAK ÖZKAL
DOÇ. DR. SEDAT BALLIKAYA
- The investigation of the economical aspect of clean hydrogen production with small modular reactors
Nükleer enerji kullanımıyla temiz hidrojen üretiminin ekonomik olarak incelenmesi
EMRE SÖNMEZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SENEM ŞENTÜRK LÜLE
- Nadir toprak elementlerinin solvent ekstraksiyon yöntemiyle seçimli ayrım potansiyelinin araştırılması
Investigation of the selective separation potential of rare earth elements by solvent extraction method
MELİKE TUNÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERVET İBRAHİM TİMUR
- Production of high temperature core-sheath nanofiber proton exchange membranes via electrospinning method
Elektrodokuma yöntemi ile yüksek sıcaklık çekirdek-kılıf nanolif proton değişim membranlarının üretilmesi
SASSAN JAHANGIRI
Doktora
İngilizce
2018
Tekstil ve Tekstil Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ELİF ÖZDEN YENİGÜN
- Enzymatically synthesized poly(δ-valerolactone) and poly(δ-valerolactone) nanohybrid usage in controlled drug delivery systems
Enzimatik olarak sentezlenmiş polivalerolakton ve polivalerolakton nanohibritinin kontrollü ilaç salım sistemlerinde kullanımı
ZEYNEP KEÇE
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATOŞ YÜKSEL GÜVENİLİR