n-GaAs anodik MOS yapısının banzetim teknikleri kullanılarak incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 50041
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MEHMET ALİ EBEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MOS devices, Computer Simulation, Equivalent circuit model of MOS
- Yıl: 1996
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 62
Özet
III ÖZET Yüksek Lisans Tezi n-GaAs ANODİK MOS YAPILARININ BENZETİM TEKNİKLERİ KULLANILARAK İNCELENMESİ Bu çalışmada, n-tipi GaAs yarıiletken tabanlı MOS yapılarının deneysel yöntemlerle elde edilen C-V ve I-V karakteristikleri kullanılarak benzetim programı WPSPICE ile MOS yapının eşdeğer devre modelleri elde edilmeye çalışılmıştır. Benzetim programı WPSPICE ile MOS' lar için verilen devre modellerinden Chih Tang-Sah'm önerdiği (Sah C. T., 1991) MOS eşdeğer devre modeli kullanılmıştır. Bu eşdeğer devre modelinin devre öğe değerlerini ve uyartım parametrelerini değiştirerek I-V ve C-V karakteristikleri benzetim programı ile elde edilmiştir. Benzetim ve deneysel yöntem ile elde edilen I-V ve C-V eğrilerinin benzer olduğu gözlenmiştir. Buna dayanarak I-V ve C-V ölçümlerinden alınan deneysel veriler ile gerçek dört ayrı MOS yapının uzay yükü sığası (Csc), arayüzey sığası (Css) ve oksit direnci (Rox) 'nin olası değerleri elde edilmeye çalışılmıştır. Anahtar Kelimeler : MOS yapıları; Bilgisayar benzetimi.
Özet (Çeviri)
I V SUMMARY AN ANALYSIS OP THE STRUCTURE OF n-GaAs ANODIC MOS, BY USING SIMULATION TECHNIQUES M.SC. Thesis In this study, we have obtained an equivalent circuit of four type MOS structures, taking experimental data by using simulation software package WPSPICE and C-V and I-V characteristics obtained by using experimental methods of n-type MOS structures with GaAs wafers. The MOS equivalent circuit model of Chih-Tang Sah (Sah C. T., 1991) was used in this computer simulation. The I-V and C-V characteristics of equivalent circuit was obtained by changing frequency parameters and circuit component values for this simulation software package. It was observed that, the agreement between experimental and simulated I-V and C-V characteristics was found to be the same. In these terms, the predicted values of space-charge capasitance, steady state capasitance and oxide resistance of four different real MOS structures were obtained by using experimental I-V and C-V data values.
Benzer Tezler
- Au/-Cu/n-GaAs kontaklarında anodik oksidasyon işleminin karakteristik diyot parametreleri üzerindeki etkileri
The effects of anodic oxidation treatment on characteristic diod parameters of Au-Cu/n-CaAs schottky contact
MEHMET BİBER
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Metal yarıiletken (ms) ve anodik oksit ve sülfür ince izolasyon tabakalı metal-ince izolasyon tabakası-yarıiletken (mıs) diyotların elektriksel özellikleri
Başlık çevirisi yok
FEVZULLAH TEMURTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiY.DOÇ.DR. M. ALİ EBEOĞLU
- Metal/ GaAs ve metal/ yalıtkan/ GaAs schottky diyotların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi
The Determination of the current-capaticance-conductance characteristics of metal/ GaAs and metal/ insulator/ GaAs schottky diodes
NEZİR YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
ŞAKİR ŞANE
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. REFİK KAYALI