Geri Dön

Germanyum tek kristal optik pencere üzerine yansıma önleyici ince film geliştirilmesi

The development of anti-reflection thin film on germanium single crystal optical window

  1. Tez No: 512168
  2. Yazar: ABDULLAH KARACA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEMRAN SAĞLAM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 90

Özet

Kızılötesi(KÖ) görüntüleme sistemlerinde optik özelliklerinden dolayı mercek veya optik pencere olarak Germanyum (Ge) yarıiletkeni tercih edilmektedir. Ge, kızılötesi bölgede 2-14 µm (atmosferik şeffaf pencere bölgeleri) dalgaboyu aralığında %46 optik geçirgenlik göstermektedir. Ge'nin yüzeyinde oluşan bu yansıma kayıpları, yansıma önleyici kaplamalar (ARC) ile azaltılabilir. ARC, yüzeyde oluşan yansıma kayıplarını azaltarak geçen ışığın şiddetini arttırır. Böyle kaplamalar için malzemelerin 2-14 µm dalgaboyu aralığında optik geçirgenliği ve kırılma indisleri Ge ile uyumlu olması gerekmektedir. ARC'nin ince film kalınlığı Fresnel Denklemleri ve Bragg Yasası ile belirlenir. Belirlenen film kalınlığında yansıma önleyici ince film kaplanan yüzeyde, %2'den daha az yansıma kaybı oluşur. Bu tezde, n-tipi Ge optik pencereler üzerine farklı kaplama şartlarında RF magnetron püskürtme yöntemi ile çinko sülfür (ZnS) yansıma önleyici ince filmler kaplandı. Elde edilen ZnS ince filmlerin optik, yapısal ve morfolojik analizleri sırasıyla Fourier dönüşümlü kızılötesi spektrometresi (FTIR), X-ışını kırınımı (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ölçüm sistemleri ile incelendi. Kırılma indisi ve kalınlık değerlerine bağlı olarak, geliştirilen yansıma önleyici kaplamaların 3-5 µm ve 8-12 µm bölgeleri için KÖ uygulamalarda kullanılabilir olduğu değerlendirildi.

Özet (Çeviri)

Germanium (Ge) semiconductor is preferred as lens or optical window due to its optical properties in infrared (IR) imaging systems. Ge has an optical transmission of 46% at the wavelength range of 2-14 μm (atmospheric transparent window regions) in infrared region. These reflection losses taking place on the surface of Ge can be reduced by antireflective coatings (ARCs). ARC increases the intensity of light passing by reducing reflection losses on the surface. The optical transmittance and refractive indices of the materials for such coatings should be compatible with Ge at the wavelength range of 2-14 μm. The thin film thickness of the ARC is determined by the Fresnel Equations and the Bragg Law. The reflection loss less than 2% occur on the surface on which AR thin film is coated with determined film thickness. In this study, Zinc Sulfide (ZnS) anti-reflection thin films were deposited on n-type Ge optical windows by RF magnetron sputtering at different coating conditions. Optical, structural and morphological analysis of the obtained ZnS thin films were examined by Fourier transform infrared spectrometry (FTIR), X-ray diffraction (XRD) and Atomic force microscopy (AFM) measurement systems, respectively. Finally, it was evaluated that the developed ARCs are usable depending on values of refractive indice and film thickness for 3-5 µm and 8-12 µm regions in IR applications.

Benzer Tezler

  1. Kızılötesi ışınları algılayan kristal germanyum filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterization of infrared detecting thin films

    CENGİZ BİRLİKSEVEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. H. ZAFER DURUSOY

  2. Identification of single-layer crystalline structures through their electronic and optical properties

    Tek katmanlı kristal yapıların elektronik ve optik özellikleri aracılığıyla saptanması

    YİĞİT SÖZEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN ŞAHİN

    PROF. DR. SİNAN BALCI

  3. Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  4. LiP-CVD growth of multi-shape monolayer WS2: Determination and investigation of defect domains

    Çok şekilli tek katmanlı WS2' ün LiP-CVD ile büyütülmesi: Kusur alanlarının belirlenmesi ve incelenmesi

    HASRET AĞIRCAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜLDEM KARTAL ŞİRELİ

  5. Structural, electrical and optical characterization of Ge-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method

    Bridgman yöntemi ile büyütülen Ge-ekilmiş GaSe tek kristallerin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu

    HAZBULLAH KARAAĞAÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU

    PROF. DR. MEHMET PARLAK