Radiation effects in semiconductor devices
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 5432
- Danışmanlar: DOÇ. DR. F. ESEN ÖZSAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Nükleer Mühendislik, Nuclear Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1989
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 104
Özet
YARI -İLETKEN ELEMANLARDA RADYASYON ETKİLERİ HANLIO?LU, Gûltekin Mühendislik Fakültesi Makina Mühendisliği Bölümü Nükleer Mühendislik Programı, Yüksek Lisans Tezi Tez Yöneticisi: Doç. Dr. F.Esen ÖZSAN 91 Sayfa, Şubat 1989 ÖZET Bu çalışmanın esas amacı, nükleer radyasyonun elektronikte kullanılan yarı -iletken elemanlardaki etkilerini araştırmaktır. Yarı-iletken bir elemanın radyasyona maruz kalması onun fiziksel değişkenlerinin etkilenmesine neden olur. Bu sebepten dolayı elemanların akım kazançları, hızları, sızıntı akımları gibi elektriksel değişkenleri değişir. Bu yüzden, elektronik elemanların radyasyonlu bir ortamda güvenilir bir şekilde kullanılabilmesi için devre tasarımcılarının ve kullanıcılarının bu etkileri dikkate almaları gereklidir. Bu çalışma kuramsal olmasına rağmen son kısmında, tasarlanıp gerçekleştirilmiş deneysel bir çalışma ihtiva eder.Seçilmiş elemanların, örneğin; dirençlerin, kapasitörlerin, diyotların, tranzistörlerin ve entegre devrelerin radyasyona tutulmasında kobalt-60 gama-birimi kullanıldı. Anahtar kelimeler : Nükleer radyasyon, Radyasyon etkileri, Yarı-iletken elemanlar. iv
Özet (Çeviri)
RADIATION EFFECTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES HANLIO?LU, Güfte kin Faculty of Engineering Department of Mechanical Engineering Nuclear Engineering Program, M.S.Thesis Supervisor: Assoc.Prof.Dr.F.Esen ÖZSAN 91 Pages, February 1989 ABSTRACT The main purpose of this study is a survey to investigate the effects of nuclear radiations in semiconductor devices used in electronics. The exposure of a semiconductor device to radiation affects its properties. Consequently, the electrical parameters such as current gain, circuit speed, leakage current of the devices are changed. Therefore, for the reliability of the application of electronic components in a radiation environment, both the circuit designers and the users should be aware of these effects. Even it is a theoretical study, the final part of this thesis consists of an experimental work designed and carried out just for the verification of the some of the facts reviewed. A cobalt-60 gamma-cell was used to irradiate the selected devices, e.g., resistors, capacitors, diodes, transistors, and integrated circuits. Key words : Nuclear radiation, Radiation effects, Semiconductor devices. m
Benzer Tezler
- Single event effect tests with ion beam and laser
Tek olay etkisinin iyon demetleri ve lazer ile test edilmesi
FATMA BELGİN ERGİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALUK DENİZLİ
PROF. DR. BEHÇET ALPAT
- X-ray radiation effects on the CuInGaTe2 semiconductor diode parameters
CuInGaTe2 yarı iletken diyot parametrelerine x-ışını radyasyonunun etkisi
SEMRA ARSLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜVEN ÇANKAYA
- Güç LED'lerinde yapı parametrelerinin ışık emisyonuna etkilerinin belirlenmesi
Determining the effects of solid state formation parameters on light emissions in power LEDs
TESLİME KARAYILAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKilis 7 Aralık ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER FARUK FARSAKOĞLU
- Design of 180 nm CMOD LC oscillator for space applications
Uzay uygulamaları için 180 nm CMOS LC salınıcı tasarımı
YASEMİN UZUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- Al/Congo Red/p- tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi
The effect of gamma irradiation on electronic and interfacial properties of the Al/Congo Red/p- type Si semiconductor diodes
CELAL ALTUNIŞIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ