Geri Dön

Fabrication and characterization of the stacked nuclear radiation sensing field effect transistors (NürFETs) with high-K

Yüksek-K'lı nükleer radyasyona duyarlı alan etkili transistörlerın (NürFETs) yığın yapıda üretimi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 627150
  2. Yazar: SALEH ABUBAKAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ERCAN YILMAZ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 119

Özet

NürFET'ler, nükleer radyasyona duyarlı alan etkili transistörler uzay araçlarında, askeri alanda, yüksek enerji fiziği laboratuvarlarında ve radyoterapide yaygın olarak soğrulan dozu ölçmek amacıyla kullanılırlar. Bu radyasyon sensörlerinin en büyük dezavantajı bazı medikal uygulamalar ve kişisel dozimetre olarak kullanım için gerekli olan birkaç mGy'den daha düşük radyasyon dozlarını okuyamamalarıdır. Bu çalışmada, yığın yapıya sahip NürFET üretilmiştir. NürFET'lerin yığın bir yapıda birleştirerek bir tasarım yöntemi ile yığın-NürFET'ler elde edilmiştir. Tekli NürFET'lerin radyasyon duyarlığını geliştirmek için yığın yapı yaklaşımı tasarlanmış ve yığın-NürFET'lerin radyasyon sensörü olarak performansı incelenmiş ve değerlendirilmiştir. Aygıtların, ışınlama öncesi elektriksel karakterizasyonu değerlendirilmiş ve başlangıç eşik gerilimleri (Vth) yığın-NürFET'lerin yapısında artan NürFET sayısı ile orantılı olan daha büyük negatif gerilim değerlerine kaydığı gözlenmiştir. Yığın-NürFET'lerin ışınlanma sonrası elektriksel karakterizasyonu elde edilerek yığın-NürFET yapılarının radyasyon cevapları ve duyarlılıkları detaylı olarak incelenmiş ve elde edilen veri analizlerine göre yığın-NürFET'lerin olası radyasyon dozimetre olarak kullanımı değerlendirilmiştir. Sonuçlar incelendiğinde yığın-NürFET'lerin hassasiyetlerinin yapıda bulunan artan NürFET sensör sayısı ile doğru orantılı olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

NürFETs are integrated ionizing radiation sensors that operate on the principle of converting radiation-induced threshold voltages into absorbed doses, which are commonly used to measure absorbed doses in spacecraft, military, high energy physics laboratories, and radiotherapy. However, one of the major drawbacks of the conventional NürFETs is the inability to sense and detect very low radiation doses at the mGy range, which are needed for personal dosimeter and low radiation environments. In this study, the NürFETs with a stacked structure, a design method, where NürFETs are coupled in a stacked structure (stacked-NürFETs) were fabricated. The stacked-NürFETs structure approach was designed to improve the sensitivity of single NürFETs and the performance of the stacked-NürFETs as radiation sensors were investigated and discussed. The pre-irradiation electrical characteristics of the device were evaluated, and the initial threshold voltages (Vth) have shifted to larger negative voltage values, which are proportional to the number of the NürFETs increased in the stacked-NürFETs structure. The post-irradiation electrical characteristics of the device were obtained, and their responses to irradiation and possible usages in radiation dosimetry have been investigated and discussed. The results demonstrate that the sensitivities of the stacked-NürFETs are directly proportional to the number of sensors used in the stacked-NürFETs structure.

Benzer Tezler

  1. Fabrication and characterization of a carbon fiber/ epoxy composite reflector antenna

    Karbon fiber/ epoksi kompozit reflektör anten imalatı ve karakterizasyonu

    SÜMEYYA YAZAN ÖZCAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Savunma ve Savunma Teknolojileriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. DUYGU AĞAOĞULLARI

  2. MEMS compatible highly doped piezoresistive silicon nanowires: fabrication and electromechanical characterization

    Başlık çevirisi yok

    GÖKHAN NADAR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Makine MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA

  3. MEMS ile entegre mikro ısıtıcı ve IDE mikro sistemlerin fabrikasyonu ve nano kompozit yarı iletken gaz sensör uygulaması

    Fabrication of integrated micro heater and ide micro systems with MEMS and application of nano composite semiconductor GAS sensor

    HALİME İLBEYİİLİNGİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BERNA MOROVA

    DOÇ. DR. CİHAT TAŞALTIN

  4. Design and electromechanical modeling of vertically stacked silicon nanowire arrays as coupled resonators

    Üst üste yerleştirilmiş silisyum nanotel dizilerinin bağlaşımlı çınlaçlar olarak tasarımı ve elektromekanik modellemesi

    İSMAİL YORULMAZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. B. ERDEM ALACA

  5. Scale dependency of heat transfer modes, fabrication of si nanowires and their integration with MEMS

    Isı aktarım şekillerinin ölçek ile bağlantısı, si nanotel imalatı ve nanotellerin MEMS ile birleştirimi

    ÖZGÜR ÖZSUN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Makine MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. ERDEM ALACA