Fabrication and characterization of the stacked nuclear radiation sensing field effect transistors (NürFETs) with high-K
Yüksek-K'lı nükleer radyasyona duyarlı alan etkili transistörlerın (NürFETs) yığın yapıda üretimi ve karakterizasyonu
- Tez No: 627150
- Danışmanlar: PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 119
Özet
NürFET'ler, nükleer radyasyona duyarlı alan etkili transistörler uzay araçlarında, askeri alanda, yüksek enerji fiziği laboratuvarlarında ve radyoterapide yaygın olarak soğrulan dozu ölçmek amacıyla kullanılırlar. Bu radyasyon sensörlerinin en büyük dezavantajı bazı medikal uygulamalar ve kişisel dozimetre olarak kullanım için gerekli olan birkaç mGy'den daha düşük radyasyon dozlarını okuyamamalarıdır. Bu çalışmada, yığın yapıya sahip NürFET üretilmiştir. NürFET'lerin yığın bir yapıda birleştirerek bir tasarım yöntemi ile yığın-NürFET'ler elde edilmiştir. Tekli NürFET'lerin radyasyon duyarlığını geliştirmek için yığın yapı yaklaşımı tasarlanmış ve yığın-NürFET'lerin radyasyon sensörü olarak performansı incelenmiş ve değerlendirilmiştir. Aygıtların, ışınlama öncesi elektriksel karakterizasyonu değerlendirilmiş ve başlangıç eşik gerilimleri (Vth) yığın-NürFET'lerin yapısında artan NürFET sayısı ile orantılı olan daha büyük negatif gerilim değerlerine kaydığı gözlenmiştir. Yığın-NürFET'lerin ışınlanma sonrası elektriksel karakterizasyonu elde edilerek yığın-NürFET yapılarının radyasyon cevapları ve duyarlılıkları detaylı olarak incelenmiş ve elde edilen veri analizlerine göre yığın-NürFET'lerin olası radyasyon dozimetre olarak kullanımı değerlendirilmiştir. Sonuçlar incelendiğinde yığın-NürFET'lerin hassasiyetlerinin yapıda bulunan artan NürFET sensör sayısı ile doğru orantılı olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
NürFETs are integrated ionizing radiation sensors that operate on the principle of converting radiation-induced threshold voltages into absorbed doses, which are commonly used to measure absorbed doses in spacecraft, military, high energy physics laboratories, and radiotherapy. However, one of the major drawbacks of the conventional NürFETs is the inability to sense and detect very low radiation doses at the mGy range, which are needed for personal dosimeter and low radiation environments. In this study, the NürFETs with a stacked structure, a design method, where NürFETs are coupled in a stacked structure (stacked-NürFETs) were fabricated. The stacked-NürFETs structure approach was designed to improve the sensitivity of single NürFETs and the performance of the stacked-NürFETs as radiation sensors were investigated and discussed. The pre-irradiation electrical characteristics of the device were evaluated, and the initial threshold voltages (Vth) have shifted to larger negative voltage values, which are proportional to the number of the NürFETs increased in the stacked-NürFETs structure. The post-irradiation electrical characteristics of the device were obtained, and their responses to irradiation and possible usages in radiation dosimetry have been investigated and discussed. The results demonstrate that the sensitivities of the stacked-NürFETs are directly proportional to the number of sensors used in the stacked-NürFETs structure.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of a carbon fiber/ epoxy composite reflector antenna
Karbon fiber/ epoksi kompozit reflektör anten imalatı ve karakterizasyonu
SÜMEYYA YAZAN ÖZCAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Savunma ve Savunma Teknolojileriİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DUYGU AĞAOĞULLARI
- MEMS compatible highly doped piezoresistive silicon nanowires: fabrication and electromechanical characterization
Başlık çevirisi yok
GÖKHAN NADAR
Doktora
İngilizce
2022
Makine MühendisliğiKoç ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA
- MEMS ile entegre mikro ısıtıcı ve IDE mikro sistemlerin fabrikasyonu ve nano kompozit yarı iletken gaz sensör uygulaması
Fabrication of integrated micro heater and ide micro systems with MEMS and application of nano composite semiconductor GAS sensor
HALİME İLBEYİİLİNGİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BERNA MOROVA
DOÇ. DR. CİHAT TAŞALTIN
- Design and electromechanical modeling of vertically stacked silicon nanowire arrays as coupled resonators
Üst üste yerleştirilmiş silisyum nanotel dizilerinin bağlaşımlı çınlaçlar olarak tasarımı ve elektromekanik modellemesi
İSMAİL YORULMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. B. ERDEM ALACA
- Scale dependency of heat transfer modes, fabrication of si nanowires and their integration with MEMS
Isı aktarım şekillerinin ölçek ile bağlantısı, si nanotel imalatı ve nanotellerin MEMS ile birleştirimi
ÖZGÜR ÖZSUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Makine MühendisliğiKoç ÜniversitesiMakine Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ERDEM ALACA