Geri Dön

CdTe/CdSe heteroeklem ince filmlerin sentezi ve karakterizasyonu

Synthesis and characterization of CdTe/CdSe heterojunction thin films

PDF İndir

  1. Tez No: 648670
  2. Yazar: SEVDA İLDAN ÖZMEN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mersin Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, elektrodepolama yöntemi ile oda sıcaklığında indiyum kalay oksit (ITO) kaplı cam alttaban üzerinde CdTe ince filmi oluşturuldu. Elde edilen film 300 °C' de tavlandı ve tavlamanın etkisiyle filmin optiksel, morfolojik, yapısal ve elektriksel özelliklerindeki değişimler incelendi. Tavlanarak p- tipine dönüştüğü tespit edilen cam/ITO/CdTe filmi üzerine CdSe ince filmi oda sıcaklığında elektrokimyasal olarak depolandı. Cam/ITO/CdTe ve cam/ITO/CdTe/CdSe filmlerinin elde edilmesi işlemleri sırasında, depolamanın oda sıcaklığında yapılması, herhangi bir öncü madde ve katkı maddesi kullanılmaması, oldukça düşük konsantrasyonlarda kimyasal kullanılması hem üretim maliyetini düşürmesi hem de çevre etkilerini en az düzeye indirgemesi açısından önemlidir. Tavlanmamış ve tavlanmış cam/ITO/CdTe ince filmleri ve cam/ITO/CdTe/CdSe heteroeklem ince filminin karakterizasyonu UV-VIS Spektrometresi, Taramalı Elektron Mikroskopisi, X-ışını Kırınımı ve Hall Etki Ölçüm sistemi ile yapıldı. Sonuçlar, p-CdTe/n-CdSe heteroeklem ince filminin nanoyapılı ve polikristal yapıda olduğunu gösterdi. p-CdTe/n-CdSe heteroeklem ince filminin yük taşıyıcı yoğunluğu (1,95 × 1020 cm-3), özdirenç değeri (2,42 × 10-3  - cm) ve güneş spektrumunu karşılayan optiksel bant aralığı (1,68 eV) ile güneş hücreleri için önemli olduğu düşünülmektedir.

Özet (Çeviri)

In this study, CdTe thin film was formed on the glass/ITO substrate at room temperature by electrodeposition method. The obtained glass/ITO/CdTe film was annealed at 300 °C and the effect of annealing on the optical, morphological, structural and electrical properties of the film were investigated. CdSe thin film was deposited electrochemically at room temperature on glass/ITO/CdTe film, which was obtained p- type with annealing. The deposition of the glass/ITO/CdTe and glass/ITO/CdTe/CdSe films were performed at room temperature without precursors or additives, and very low concentrations of chemicals were used. These are important in terms of decreasing the production costs and also minimizing the environmental effects. Characterization of as-deposited and annealed glass/ITO/CdTe thin films and glass/ITO/CdTe/CdSe heterojunction thin film were accomplished employing UV-VIS Spectrometer, Scanning Electron Microscopy, X-ray Diffraction and Hall Effect Measurement system. The results showed that p-CdTe/n-CdSe heterojunction thin film was nanostructured and polycrystalline. The p-CdTe/n-CdSe heterojunction thin film is thought to be important for solar cell with its charge carrier density (1.95 × 1020 cm-3), resistivity value (2.42 ×10-3  - cm) and appropriate optical bandgap (1.68 eV) meeting the solar spectrum.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    371341

    CdTe/CdSe kuantum dotlarının Tc-99m ile radyoişaretlenerek tahribatsız muayene yöntemi olarak kullanılabilirliğinin incelenmesi

    The analysis of Tc-99m radiolabeled CdTe/CdSe quantum dots' usability as non-destructive testing methods

    ZEYNEP YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    KimyaEge Üniversitesi

    Nükleer Bilimler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERAP TEKSÖZ

  2. Tez No

    575132

    CdSe/CdTe kuantum nokta duyarlı güneş pillerinin fotovoltaik performansının incelenmesi

    Investigating photovoltaic performance of CdSe/CdTequantum dot solar cells

    ABDÜLKADİR AYDOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDüzce Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUSA ÇADIRCI

  3. Tez No

    181500

    CdS, CdSe ve CdTe bileşik yarıiletken ince filmlerinin aynı çözeltiden elektrokimyasal olarak au(111)elektrodu üzerinde büyütülmesi ve AFM, STM, XRD ve UV-VIS spektroskopisi ile karakterizasyonu

    Electrochemical growth of CdS, CdSe and CdTe compound semiconductor thin films on au(111) electrode from single deposition bath and characterization by AFM,STM, XRD and UV-VIS spectroscopy

    İLKAY ŞİŞMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    KimyaAtatürk Üniversitesi

    Analitik Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ÜMİT DEMİR

  4. Tez No

    200992

    Bazı ikili (CdS, CdSe, CdTe, CdF2, AlBi, BBi) bileşiklerin yapısal, elektronik, elastik, termodinamik ve titreşimsel özelliklerinin Ab initio yöntemle incelenmesi

    The investigation the structural, electronic, elastic, thermodynamics, and vibrational properties some of binary (CdS, CdSe, CdTe, CdF2, AlBi, BBi) compounds by Ab initio method

    ENGİN DELİGÖZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KEMAL ÇOLAKOĞLU

  5. Tez No

    690311

    CdS/CdTe güneş hücrelerinde pencere ve soğurma katmanlarına selenyum katkısının hücre performansına etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of selenium addition to window and absorption layers on cell performance in CdS/CdTe solar cells

    ALİ ÇİRİŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Yenilenebilir Enerji Kaynakları

    PROF. DR. EMİN BACAKSIZ

Geri Dön