ZnSe/CuS ince film heteroeklem yapısının üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of ZnSe/CuS thin film heterojunction structure
- Tez No: 670604
- Danışmanlar: PROF. DR. SERTAN KEMAL AKAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bursa Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Genel Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
ZnSe/CuS heteroeklem yapı, indiyum kalay oksit (ITO) kaplı alttaş üzerine çinko selenit (ZnSe) ve bakır sülfit (CuS) ince filmlerin Termal buharlaşma tekniği kullanılarak üretilmesiyle elde edildi. Üretilen yapının, yüzey morfolojisi ve kristal yapısı taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve x-ışınları kırınımı (XRD) ile incelendi. XRD sonuçları üretilen yapının her iki fazı kapsadığını göstermektedir. SEM görüntülerinde kristallerin homojen dağılımı gözlenmiştir. Hall Etkisi ölçümü ile ZnSe ve CuS ince filmlerin elektriksel iletkenliği, taşıyıcı yük yoğunluğu, iletkenlik türü belirlendi. Üretilen yapının, oda sıcaklığı ve karanlık ortamda gerçekleştirilen akım-voltaj ölçümleri ile idealite faktörü 1,60, bariyer yüksekliği 0,61 eV ve ters doyma akımı 1,40E-6 A olarak hesaplanarak elektriksel parametreleri elde edildi. UV-VIS spektrofotometresi kullanılarak ZnSe ve CuS ince filmlerin optik geçirgenlik ve soğurma spektrumları ölçüldü.
Özet (Çeviri)
The ZnSe/CuS heterojunction structure was obtained by producing zinc selenide (ZnSe) and copper sulfide (CuS) thin films on the indium tin oxide (ITO) coated glass substrate by using thermal evaporation technique. Surface morphology and crystal structure of the produced structure examined by scanning electron microscope (SEM) and x-ray diffraction (XRD). XRD results show that the produced structure includes both phases. Homogeneous distribution of morphology was observed in SEM images. Electrical conductivity, carrier density and conductivity type of ZnSe and CuS thin films were determined by Hall Effect measurements. The dark current-voltage measurements were obtained to determine electrical parameters of the structure. It was found that the ideality factor, barrier height and reverse saturation current calculated as 1,60, 0,61 eV and 1,40E-6 A, respectively. The optical transmittance and absorption spectra of the ZnSe and CuS thin films were measured with a UV-VIS spectrophotometer.
Benzer Tezler
- ZnSe yarıiletken ince filmlerinin karakterizasyonu
Characterization of ZnSe semiconductor thin films
EMEL YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜLYA METİN
- Kimyasal banyo yöntemi ile üretilen XSe (X=Zn, Cu, Mn) ince filmlerinde XRF ölçümleri
XRF measurements in XSe (X=Zn, Cu, Mn) thin films prepared by chemical bath deposition
MUSTAFA KAVGACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÜMİT ALVER
- ZnSe /grafen ince filmlerin optik özellikleri
Optical properties of ZnSe /graphene thin films
HASAN ÖZKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiElektro-Optik Sistem Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERSİN KAYAHAN
- ZnSe ince filmlerin karakterizasyon ve fabrikasyonu
Characterization and fabrication of ZnSe thin films
ESRA BALCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMRAN SAĞLAM
- Elektrokimyasal olarak büyütülen ZnSe ince filmlerinin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin ve heteroeklem uygulamalarının araştırılması
ZnSe thin films grown electrochemically structural, optical and electrical properties and investigation of heterojunction applications
YILDIRAY HAMURCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiKilis 7 Aralık ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HATİCE ASIL