Geri Dön

Metal/GO:PTCDA/p-Si yapıların ışık şiddeti altında akım-voltaj (I-V) ile kapasitans voltaj (C-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Investigation of current-voltage(I-V) and capacitance-voltage(C-V) characteristics under light intensity of Metal/GO:PTCDA/p-Si structures

PDF İndir

  1. Tez No: 727793
  2. Yazar: MAHMUT YUMUK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

Bu tez çalışmasında, oda sıcaklığında Al/GO:PTCDA/p-Si yapının akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) gibi karakteristik özellikleri karanlıkta ve 40 mW cm-2 ışık şiddeti altında incelendi. İdealite faktörü (n), doyma akımı (I0), bariyer yüksekliği (bo), seri direnç (RS) ve arayüzey durum yoğunluğu (NSS) gibi temel elektriksel parametreler farklı yöntemler kullanılarak hesaplandı ve karşılaştırıldı. Al/PTCDA-GO/p-Si yapının karanlık ve 40 mW cm-2 ışık altında arayüzey durum yoğunluğu değişimleri hal enerjinin (ESS–EV) fonksiyonu olarak, efektif bariyer yüksekliği (e) göz önüne alınarak ileri beslem akım voltaj (I–V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. Ayrıca kısa devre akımı (Isc), açık devre voltajı (Voc), maksimum güç (P), dolgu faktörü (FF), dönüşüm etkinliği (ηP) gibi fotovoltaik özellikler sırasıyla 40mW/cm2 beyaz ışık altında 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % ve 1.06% değerleri elde edildi. Böylece elde edilen sonuçlar Al/GO:PTCDA/p-Si yapının fotovoltaik sonuçları optoelektronik cihazlarda fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösterdi.

Özet (Çeviri)

In this our study, the solar light illumination intensity dependence of current–voltage (I-V) and capacitance–voltage (C-V) characteristics of the Al/GO:PTCDA/p-type Si structure were investigated in dark and under 40 mW cm-2 light illumination at room temperature. The main electrical parameters such as ideality factor (n), rectification ratio (RR), saturation current (I0) and barrier height (bo), series resistance (RS) and interface state densities (NSS) were calculated and compared usingdifferent methods.The interface state density (NSS) distribution as a function of (ESS–EV) obtained from the forward I–V dates by taking into account the bias dependence of the effective barrier heights (e) for Al/PTCDA-GO/p-type Si structurein dark and under 40 mW cm-2 light illumination. Furthermore, the photovoltaic properties such as short circuit current (Isc), open circuit voltage (Voc), maximum power (P), fill factor (FF) and conversion efficiency (ηP) were acquired as 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % and 1.06% under 40mW/cm2 white light intensity, respectively. So, photovoltaic results confirm that Al/GO:PTCDA/p-type Si structure can be used as photodiode in optoelectronic devices.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    411648

    Metil-sübstitüe metoksi konduritollerin sentezi

    Synthesis of methyl-substituted methoxy conduritols

    DİLEK KAPLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    KimyaOrdu Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. LATİF KELEBEKLİ

  2. Tez No

    411700

    Onkojenik Hpv genotiplerinin Pcr-elisa yöntemi ile saptanması

    Detection of oncogenic hpv genotypes by Pcr-Elisa assay

    ALPER KANDİŞER

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    MikrobiyolojiAkdeniz Üniversitesi

    Tıbbi Mikrobiyoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MERAL GÜLTEKİN

  3. Tez No

    411775

    The transformation of higher education by means of techno-parks: Case of Turkey

    Yüksek öğretimin dönüşümü: Teknoparklar-Türkiye örneği

    GAMZE SART

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Eğitim ve ÖğretimBoğaziçi Üniversitesi

    Eğitim Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FATMA GÖK

  4. Tez No

    411776

    Buji ile ateşlemeli bir motorda Miller çevrimi uygulaması, performans ve emisyon karakteristiklerinin incelenmesi

    Application of Miller cycle in a spark ignition engine and the investigation of performance and emission characteristics

    OĞUZ KÜRŞAT DEMİRCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Teknik EğitimGazi Üniversitesi

    Makine Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CAN ÇINAR

  5. Tez No

    411777

    Gestasyonel diyabetli kadınlarda yaşam kalitesi ve depresyon durumlarının incelenmesi

    The examination of life quality and the event of depression in the period of pregnancy of diabetic women

    REYHAN AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    HemşirelikHaliç Üniversitesi

    Hemşirelik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEZİHE KIZILKAYA BEJİ

Geri Dön