Metal/GO:PTCDA/p-Si yapıların ışık şiddeti altında akım-voltaj (I-V) ile kapasitans voltaj (C-V) karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of current-voltage(I-V) and capacitance-voltage(C-V) characteristics under light intensity of Metal/GO:PTCDA/p-Si structures
- Tez No: 727793
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Fotovoltaik, Grafen oksit, Schottky diyodları, Yarı iletkenler, Photovoltaic, Graphene oxide, Schottky diodes, Semiconductors
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, oda sıcaklığında Al/GO:PTCDA/p-Si yapının akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) gibi karakteristik özellikleri karanlıkta ve 40 mW cm-2 ışık şiddeti altında incelendi. İdealite faktörü (n), doyma akımı (I0), bariyer yüksekliği (bo), seri direnç (RS) ve arayüzey durum yoğunluğu (NSS) gibi temel elektriksel parametreler farklı yöntemler kullanılarak hesaplandı ve karşılaştırıldı. Al/PTCDA-GO/p-Si yapının karanlık ve 40 mW cm-2 ışık altında arayüzey durum yoğunluğu değişimleri hal enerjinin (ESS–EV) fonksiyonu olarak, efektif bariyer yüksekliği (e) göz önüne alınarak ileri beslem akım voltaj (I–V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. Ayrıca kısa devre akımı (Isc), açık devre voltajı (Voc), maksimum güç (P), dolgu faktörü (FF), dönüşüm etkinliği (ηP) gibi fotovoltaik özellikler sırasıyla 40mW/cm2 beyaz ışık altında 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % ve 1.06% değerleri elde edildi. Böylece elde edilen sonuçlar Al/GO:PTCDA/p-Si yapının fotovoltaik sonuçları optoelektronik cihazlarda fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösterdi.
Özet (Çeviri)
In this our study, the solar light illumination intensity dependence of current–voltage (I-V) and capacitance–voltage (C-V) characteristics of the Al/GO:PTCDA/p-type Si structure were investigated in dark and under 40 mW cm-2 light illumination at room temperature. The main electrical parameters such as ideality factor (n), rectification ratio (RR), saturation current (I0) and barrier height (bo), series resistance (RS) and interface state densities (NSS) were calculated and compared usingdifferent methods.The interface state density (NSS) distribution as a function of (ESS–EV) obtained from the forward I–V dates by taking into account the bias dependence of the effective barrier heights (e) for Al/PTCDA-GO/p-type Si structurein dark and under 40 mW cm-2 light illumination. Furthermore, the photovoltaic properties such as short circuit current (Isc), open circuit voltage (Voc), maximum power (P), fill factor (FF) and conversion efficiency (ηP) were acquired as 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % and 1.06% under 40mW/cm2 white light intensity, respectively. So, photovoltaic results confirm that Al/GO:PTCDA/p-type Si structure can be used as photodiode in optoelectronic devices.
Benzer Tezler
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
- Adolesan intihar girişimlerinin psiko-sosyal nedenleriyle ilgili araştırma
Başlık çevirisi yok
NAZMİYE YÜKSEL
- İnce taneli sementasyon çeliklerinde sıcak şekil verme ve ısıl işleminin ostenit tane büyüklüğüne etkisi
Başlık çevirisi yok
MERAL ŞANLI
- Plazma arkı eldesi ve yüzey bölgesi modifikasyonunda kullanılabilirliği
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN ÖZİPEKLİLER
- 1,3-difenil-4,5-bis(hidroksiimino)-imidazolidin ve Ni(II), Cu(II), Pd(II), UO2(VI) komplekslerinin sentezi
Başlık çevirisi yok
VEFA AHSEN
- Tekstil boyamacılığında atık flottede boyama imkanları üzerine araştırma
Başlık çevirisi yok
MEHMET YAKARTEPE
