Geri Dön

Metal/GO:PTCDA/p-Si yapıların ışık şiddeti altında akım-voltaj (I-V) ile kapasitans voltaj (C-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Investigation of current-voltage(I-V) and capacitance-voltage(C-V) characteristics under light intensity of Metal/GO:PTCDA/p-Si structures

PDF İndir

  1. Tez No: 727793
  2. Yazar: MAHMUT YUMUK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

Bu tez çalışmasında, oda sıcaklığında Al/GO:PTCDA/p-Si yapının akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) gibi karakteristik özellikleri karanlıkta ve 40 mW cm-2 ışık şiddeti altında incelendi. İdealite faktörü (n), doyma akımı (I0), bariyer yüksekliği (bo), seri direnç (RS) ve arayüzey durum yoğunluğu (NSS) gibi temel elektriksel parametreler farklı yöntemler kullanılarak hesaplandı ve karşılaştırıldı. Al/PTCDA-GO/p-Si yapının karanlık ve 40 mW cm-2 ışık altında arayüzey durum yoğunluğu değişimleri hal enerjinin (ESS–EV) fonksiyonu olarak, efektif bariyer yüksekliği (e) göz önüne alınarak ileri beslem akım voltaj (I–V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. Ayrıca kısa devre akımı (Isc), açık devre voltajı (Voc), maksimum güç (P), dolgu faktörü (FF), dönüşüm etkinliği (ηP) gibi fotovoltaik özellikler sırasıyla 40mW/cm2 beyaz ışık altında 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % ve 1.06% değerleri elde edildi. Böylece elde edilen sonuçlar Al/GO:PTCDA/p-Si yapının fotovoltaik sonuçları optoelektronik cihazlarda fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösterdi.

Özet (Çeviri)

In this our study, the solar light illumination intensity dependence of current–voltage (I-V) and capacitance–voltage (C-V) characteristics of the Al/GO:PTCDA/p-type Si structure were investigated in dark and under 40 mW cm-2 light illumination at room temperature. The main electrical parameters such as ideality factor (n), rectification ratio (RR), saturation current (I0) and barrier height (bo), series resistance (RS) and interface state densities (NSS) were calculated and compared usingdifferent methods.The interface state density (NSS) distribution as a function of (ESS–EV) obtained from the forward I–V dates by taking into account the bias dependence of the effective barrier heights (e) for Al/PTCDA-GO/p-type Si structurein dark and under 40 mW cm-2 light illumination. Furthermore, the photovoltaic properties such as short circuit current (Isc), open circuit voltage (Voc), maximum power (P), fill factor (FF) and conversion efficiency (ηP) were acquired as 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % and 1.06% under 40mW/cm2 white light intensity, respectively. So, photovoltaic results confirm that Al/GO:PTCDA/p-type Si structure can be used as photodiode in optoelectronic devices.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    746969

    Metal (Au, Ni, Cr)/GO-Fe3O4 (NP)/ n-Si /Al heteroyapıların üretimi ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

    Fabrication and investigation of electrical properties of Metal/GO-Fe3O4(NP)/n-Si/Al heterojunctions dependent on temperature

    İLKNUR GÜMÜŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN

  2. Tez No

    884728

    Fotovoltaik ve foto sensör uygulamalarda kullanılmak için hazırlanan metal/GO-SiO2-Polimer/n-Si/metal heteroeklem yapıların fotoelektrik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of photoelectric and electrical properties of metal/ GO-SiO2-Polymer / n-Si / metal hetero-joint structures prepared for use in photovoltaic and photo sensor applications

    HALİL SEYMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Metalurji MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  3. Tez No

    511156

    Graphene (oxide) – metal/metal (hydr)oxide composites: Synthesis and applications in electrochemical energy storage and conversion

    Grafen (oksit) - metal/metal (hidr)oksit kompozitleri: sentezi ve elektrokimyasal enerji depolama ve dönüşümü için uygulamaları

    FERİHA EYLÜL ÖZTUNA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    EnerjiKoç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR ÜNAL

  4. Tez No

    817948

    Esnek süperkapasitörler için metal destekli grafen oksit katkılı hidrojel malzemelerin üretimi ve elektrokimyasal karakterizasyonu

    Production and electrochemical characterization of metal supported graphene oxide-doped hydrogel materials for flexible supercapacitors

    BETÜL DEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Kimyaİstanbul Üniversitesi-Cerrahpaşa

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEMAL ÖZEROĞLU

    DR. SİBEL YAZAR AYDOĞAN

  5. Tez No

    78903

    Bursa İli çevresinden alınan çiğ süt örneklerinde bazı mineral madde ve ağır metallerin tespiti üzerine bir araştırma

    A Research on minerals and heavy metals identification in raw milk that was collected around the city Bursa

    RAMAZAN GÜLTEKİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Gıda MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Gıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OSMAN ŞİMŞEK

Geri Dön