Geri Dön

Metal/GO:PTCDA/p-Si yapıların ışık şiddeti altında akım-voltaj (I-V) ile kapasitans voltaj (C-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Investigation of current-voltage(I-V) and capacitance-voltage(C-V) characteristics under light intensity of Metal/GO:PTCDA/p-Si structures

PDF İndir

  1. Tez No: 727793
  2. Yazar: MAHMUT YUMUK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Fotovoltaik, Grafen oksit, Schottky diyodları, Yarı iletkenler, Photovoltaic, Graphene oxide, Schottky diodes, Semiconductors
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında, oda sıcaklığında Al/GO:PTCDA/p-Si yapının akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) gibi karakteristik özellikleri karanlıkta ve 40 mW cm-2 ışık şiddeti altında incelendi. İdealite faktörü (n), doyma akımı (I0), bariyer yüksekliği (bo), seri direnç (RS) ve arayüzey durum yoğunluğu (NSS) gibi temel elektriksel parametreler farklı yöntemler kullanılarak hesaplandı ve karşılaştırıldı. Al/PTCDA-GO/p-Si yapının karanlık ve 40 mW cm-2 ışık altında arayüzey durum yoğunluğu değişimleri hal enerjinin (ESS–EV) fonksiyonu olarak, efektif bariyer yüksekliği (e) göz önüne alınarak ileri beslem akım voltaj (I–V) ölçümleri kullanılarak elde edildi. Ayrıca kısa devre akımı (Isc), açık devre voltajı (Voc), maksimum güç (P), dolgu faktörü (FF), dönüşüm etkinliği (ηP) gibi fotovoltaik özellikler sırasıyla 40mW/cm2 beyaz ışık altında 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % ve 1.06% değerleri elde edildi. Böylece elde edilen sonuçlar Al/GO:PTCDA/p-Si yapının fotovoltaik sonuçları optoelektronik cihazlarda fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösterdi.

Özet (Çeviri)

In this our study, the solar light illumination intensity dependence of current–voltage (I-V) and capacitance–voltage (C-V) characteristics of the Al/GO:PTCDA/p-type Si structure were investigated in dark and under 40 mW cm-2 light illumination at room temperature. The main electrical parameters such as ideality factor (n), rectification ratio (RR), saturation current (I0) and barrier height (bo), series resistance (RS) and interface state densities (NSS) were calculated and compared usingdifferent methods.The interface state density (NSS) distribution as a function of (ESS–EV) obtained from the forward I–V dates by taking into account the bias dependence of the effective barrier heights (e) for Al/PTCDA-GO/p-type Si structurein dark and under 40 mW cm-2 light illumination. Furthermore, the photovoltaic properties such as short circuit current (Isc), open circuit voltage (Voc), maximum power (P), fill factor (FF) and conversion efficiency (ηP) were acquired as 7.34×10−6 A, 0.30 V, 1.06x10-6 W, 48.2 % and 1.06% under 40mW/cm2 white light intensity, respectively. So, photovoltaic results confirm that Al/GO:PTCDA/p-type Si structure can be used as photodiode in optoelectronic devices.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    746969

    Metal (Au, Ni, Cr)/GO-Fe3O4 (NP)/ n-Si /Al heteroyapıların üretimi ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi

    Fabrication and investigation of electrical properties of Metal/GO-Fe3O4(NP)/n-Si/Al heterojunctions dependent on temperature

    İLKNUR GÜMÜŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAKİR AYDOĞAN

  2. Tez No

    647753

    Al-Ni/GO ve Al-Ni/TiO2 metal matrisli kompozit malzemelerin üretilmesi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of Al-Ni/GO and Al-Ni/TiO2 metal matrix composite materials

    BERNA BÜLBÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Makine MühendisliğiBatman Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA OKUMUŞ

  3. Tez No

    884728

    Fotovoltaik ve foto sensör uygulamalarda kullanılmak için hazırlanan metal/GO-SiO2-Polimer/n-Si/metal heteroeklem yapıların fotoelektrik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of photoelectric and electrical properties of metal/ GO-SiO2-Polymer / n-Si / metal hetero-joint structures prepared for use in photovoltaic and photo sensor applications

    HALİL SEYMEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Metalurji MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  4. Tez No

    882446

    Farklı boyutlarda demiroksit (Fe3O4), grafenoksit (GO) nanopartikül ve Fe3O4@grafenoksit (GO) nanokompozitlerin sentezi, içme sularındaki arsenik ve nitrat giderilmesinde kullanımı ve tıbbi sülükler (Hirudo verbana) üzerine etkisinin incelenmesi

    Synthesis of ironoxide (Fe3o4), graphenoxide (GO) nanoparticles and Fe3O4@graphenoxide (GO) nanocomposites in different sizes, their use in the removal of arsenic and nitrate in drinking water and investigation of their effects on medicinal leeches (Hirudo verbana)

    HAMDİ EKİZOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Su ÜrünleriErciyes Üniversitesi

    Zootekni Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERDAL YILMAZ

  5. Tez No

    972888

    Silika tanecik boyutunun SiO2-GO hibrit/epoksi polimer nanokompozitlerinin kaplama özellikleri üzerine etkisinin i̇ncelenmesi

    Investigation of the effect of silica particle size on the coating properties of SiO2-GO hybrid/epoxy polymer nanocomposites

    MUSTAFA ALPEREN ŞAKAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HALE BERBER

Geri Dön