Geri Dön

Ten million-atom ingaas embedded quantum dot electron G factor calculations using semi-empirical pseudopotentials

On milyon atomlu, gömülü ıngaas kuantum noktaların yarı-deneysel potansiyellerle elektron G çarpanı hesaplamaları

  1. Tez No: 766467
  2. Yazar: MUSTAFA KAHRAMAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CEYHUN BULUTAY
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Elektronik yapı, Kuantum noktaları, Tensörler, Electronic structure, Quantum dots, Tensors
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Kuantum teknolojileri elektron spininin tüm Bloch küresi üzerinde kontrolü, ayırt edilemeyen tek foton üretimi, ya da dolanık foton çifti gibi yeteneklere gereksinim duyar. Bütün bu amaçlar için en iyi yarıiletken yapı şu anda InGaAs kuantum noktalardır. Bu tezde farklı şekile, boyuta, indiyum yoğunluğuna ve tekdüze gerinmeye sahip gömülü InGaAs kuantum noktaların temel elektron durumlarının g tensörleri atom düzeyinde deneysel potansiyel yöntemiyle hesaplanmıştır. Bazı kuantum nokta şekillerinin anizotropik olmasına rağmen bulunan tensör değerlerinin birbirinden kayda değer bir farkı yoktur. g çarpanı - enerji aralığı eğrileri çizdirildiğinde g çarpanının evrenselliği daha önceki bir çalışmada kısıtlı parametreler için gösterilmişti. Bizim çalışmamız bu evrenselliğin alaşım InGaAs kuantum noktalarda ve çevreleyen matrisine nüfuz ettiği daha gerçekçi durumlarda görüldüğünü ortaya koymaktadır. Regresyon modelimiz optik geçiş enerjisinin 1.13 eV olduğu durumda manyetik alanın elektron üzerindeki etkisinin en az olduğunu söylemektedir. Ayrıca, az indiyum yoğunluğundaki kuantum noktaların g çarpanı ayarlanabilirliklerinin düşük olduğu bulunmuştur. Çalışmamız sıfıra yakın g çarpanlı kuantum nokta üretimi ya da başka arzulanan g çarpanlı kuantum noktaların spintronik veya elektron spin yankısı çalışmaları için yararlı olacaktır.

Özet (Çeviri)

Quantum technologies rely on key capabilities such as electron spin control over the full-Bloch sphere, generation of indistinguishable single photons, or entangled photon pairs. For all these purposes, arguably the most established semiconduc- tor structure currently is the self-assembled InGaAs quantum dots (QDs). In this thesis, electron ground state g tensors of embedded InGaAs QDs are calcu- lated employing an atomistic empirical pseudopotential method. Computed QDs have varied size, shape, indium molar fraction but uniform strain. The compo- nents of the g tensor do not show appreciable deviation even though the shape is anisotropic for some of the studied QDs. Universality is observed when family of g factor curves is plotted with respect to energy gap which generalizes the find- ings of a recent study under more restricted conditions. Our work expands its applicability to alloy QDs with different shapes, and finite confinement putting it on a more realistic foundation by allowing penetration to the matrix material. Our regression model shows that the effect of magnetic field on the electron in an InGaAs QD will be the minimal when the so-called, s-shell optical transition energy is around 1.13 eV. Furthermore, low indium molar fraction is unfavorable in terms of g factor tunability. Our findings could be beneficial in the fabrication of g-near-zero QDs or other desired g values aimed for spintronic or electron spin resonance applications.

Benzer Tezler

  1. Rölativistik ağır iyon çarpışmaları sonucu parçacık üretimi

    Particle pair production from relativistic heavy ion collisions

    MELEK YILMAZ ŞENGÜL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET CEM GÜÇLÜ

  2. The investigation of the economical aspect of clean hydrogen production with small modular reactors

    Nükleer enerji kullanımıyla temiz hidrojen üretiminin ekonomik olarak incelenmesi

    EMRE SÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SENEM ŞENTÜRK LÜLE

  3. Türkiye'de bankacılık sektöründe bilişim teknolojisinin kullanımı

    Başlık çevirisi yok

    ÖZLEM OTRAÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    İşletmeİstanbul Teknik Üniversitesi

    Matematik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SITKI GÖZLÜ

  4. Identification of novel inhibitors targeting putative dantrolene binding site for ryanodine receptor 2

    Ryanodine reseptörü için dantrolene bağlanma bölgesi hedef alınarak yeni inhibitör tanımlama

    CEMİL CAN SAYLAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Biyofizikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Hesaplamalı Bilim ve Mühendislik Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)

    DR. ÖĞR. ÜYESİ SEFER BADAY

  5. Gliserolun elektrooksidasyonunda Pd ve Pd bazlı elektrotların katalitik özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of catalytic effects od Pd and Pd based electrodes in electrooxidation of glycerol

    GÜLCEMAL YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİGEN KADIRGAN