Geri Dön

Tavlama sıcaklığının p-nio/n-tio2 heteroeklem diyotlarının yapısal ve elektriksel özellikleri üzerindeki etkilerinin incelenmesi

Investigation of the effects of annealing temperature on the structural and electrical properties of P-NİO/N-TİO2 heterojection diodes

  1. Tez No: 798251
  2. Yazar: MUSTAFA SUNKAR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. RIFKI TERZİOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2023
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 48

Özet

Bu tez çalışmasında p-NİO/n-TiO2 heteroeklem diyot yapısının farklı tavlama sıcaklıkları altında üretilip, bu tavlama sıcaklık değerleri altında diyot yapısının yapısal ve elektriksel özelliklerinin değişip değişmediği incelenmesi amaçlanmıştır. Bu hedef doğrultusunda heteroeklem yapısı termal buharlaştırma ve E-Beam yöntemleri kullanılarak üretilmiş ve üretilen yapılara termal tavlama yöntemiyle 300oC, 420oC, 540oC sıcaklıklar uygulanmıştır. Sonrasında yapıların XRD spektrumu ölçümü, AFM ölçümü, I-V karakteristiği, idealite faktörü değeri ve tavlama sıcaklığına bağlı seri/şönt direnç karakteristikleri incelenmiştir. Çalışma yapılan bu ölçüm ve hesaplamaların yorumlanmasıyla sonuçlandırılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, it is aimed to produce the p-NiO/n-TiO2 heterojunction diode structure under different annealing temperatures and to examine whether the structural and electrical properties of the diode structure change under these annealing temperatures. In line with this goal, the heterojunction structure was produced using thermal evaporation and E-Beam methods, and temperatures of 300oC, 420oC, 540oC were applied to the structures produced by thermal annealing method. Afterwards, XRD spectrum measurement, AFM measurement, I-V characteristic, ideality factor value and series/shunt resistance characteristics depending on annealing temperature were investigated. The study was concluded with the interpretation of these measurements and calculations.

Benzer Tezler

  1. Production of p-NiO/n-GaAs heterojunction structures by thermal evaporation method and their characterization

    p-NiO/n-GaAs heteroeklem yapıların termal buharlaştırma yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu

    DHEYAB THAER NOORI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ABDULLAH ÖZKARTAL

  2. Manyezit atığından cam seramik üretimi ve özelliklerinin incelenmesi

    Glass-ceramic production from magnesite waste and investigating of their properties

    CANSU ÖZARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NURAY CANİKOĞLU

  3. Production and characterization of al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) high entropy alloys by combustion synthesis method

    Al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) yüksek entropili alaşımlarının yanma sentezi yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu

    FARUK KAYA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEVAT BORA DERİN

  4. Tavlama sıcaklığının farklı kalınlıklarda hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkisi

    Physical properties of Cu2O thin films prepared with different thicknesses of the annealing temperature effect on

    DOĞAN ÖZASLAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ

  5. Termal tavlama sıcaklığı farklılıklarına dayalı CdO ince filmler ve heteroeklem diyotları

    CdO thin films based on the thermal annealing temperature differences and their heterojunction diodes

    TÜRKAN YAZICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT SOYLU