Güneş pillerinde arayüzey durumlarının C-V karakteristiklerine etkisi
Interface states effect on the capacitance-voltage characteristics
- Tez No: 85920
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-yahtkan-yaniletken, ideal olmayan davranışlar, seri direnç, Schottky engeli, Güneş pilleri, Metaller, Yalıtkanlar, Yarı iletkenler, metal-insulator-semiconductor, non-ideal behaviours, series resistance, Schottky barrier Page Number :55 Adviser : Assist Prof. Şemsettin ALTINDAL, Solar cells, Metals, Insulators, Semiconductors
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Metal-yalıtkan-yaniletken (MYY) güneş pillerinde arayüzey durumlarnnn ve seri direncin etkisi detaylı olarak çalışıldı. Numunelerde oksit tabakası termal olarak büyütüldü. Al-Si02-pSi Metal-yalıtkan-yaniletken (MYY) güneş piUerinin kapasitans-voltaj(C-V) ve iletkenlik-voltaj(G-V) karakteristikleri 20 kHz - 1 MHz frekans aralığında ölçüldü. MİS tipi güneş pilleri ideal olmayan kapasitans-voltaj(C-V) karakteristikleri gösterdi. Sonuç olarak seri direncin frekansa bağlı olarak değiştiği ve artan frekansla azaldığı gözlendi. İdeal olmayan bu davranışlar MYY güneş pilindeki yüksek arayüzey durumlannm büyüklük ve dağılımına atfedildi. Bilim kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
A detailed study of the effect of interface states and series resistance in metal- insulator-semiconductor (MIS) solar cells has been done.The thicknesses of the samples are grown about 30Â thermally. Capacitance - voltage (C-V), and conductance-voltage (G-V) characteristics of Al-Si02-pSi metal-insulator- semiconductor (MIS) solar cells were made in the frequency range between 20 kHz and 1MHz at room temperature. The MIS type solar cells showed non- ideal behaviours with C-V characteristics. Consequently, series resistance was strongly frequency dependent and changed decrease with the increases of frequency. This non-ideal behaviour was attributed to an order of magnitude higher density of interface state density in the MIS solar cells. Science code : 404.05.01
Benzer Tezler
- Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans/iletkenlik-voltaj (C/G-V) özelliklerinin karanlık ve 100 mw/cm2 ışık şiddeti altında incelenmesi
Investigation of current-voltage (I-V) and apacitance/conductivity-voltage (C/G-V) properties of Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diodes in dark and under 100 mw/cm2 illumination intensity
GAMZE ASLANBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. PERİHAN DURMUŞ
PROF. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
- Metal-yalıtkan-yarı iletken yapıdaki gözenekli silisyum güneş pillerinin elektriksel karakteristikleri
Electrical characteristics of porous silicon solar cells at metal-insulator-semiconductor structure
ÖZGE TÜZÜN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ŞENER OKTİK
- Landsat uydusu aracılığı ile elde edilen görüntülerin sınıflandırılmaları ve bunlara ilişkin bilgisayar programlarının hazırlanması
Başlık çevirisi yok
G. FERZAN KÜÇÜKA
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİS PÜSKÜLCÜ
- Pasif güneş enerjisi sistemi ile bina ısıtılmasının ekonomik analizi
Başlık çevirisi yok
AHMET AKDENİZ
- Matris lie grupları üzerine
Başlık çevirisi yok
RIFAT GÜNEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Matematikİnönü ÜniversitesiMatematik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NURİ KURUOĞLU