Organometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/p-Si heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of OMC/p-Si heterojunction diode with an organometallic complex (OMC) interlayer
- Tez No: 875352
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CİHAT ÖZAYDIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-yarı iletken sistemler, Metal-semiconductor systems
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Batman Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Al/p-Si diyotu ve OMC organometalik ince film ara tabakalı Al/OMC/p-Si diyotunun elektriksel karakteristikleri çıkarılarak ara tabakanın diyotun elektriksel özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Bu amaçla akım-gerilim ve kapasite-gerilim ölçümleri yanı sıra, diyotların fotovoltaik özellikleri de 100 mW/cm² ışık gücü altında incelenmiştir. Al/p-Si ve Al/OMC/p-Si diyotunun için idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB) doyma akımı (I0) hesaplandı. Diyotların karanlıkta ± 2 volttaki doğrultma oranları hesaplandı. Diyotların ışığa duyarlılıkları belirlendi. Sonuçlar, OMC ara tabakasının varlığının diyotların elektriksel parametrelerini değiştirdiğini ve ışık altında foto hassasiyetlerini artırdığını göstermektedir. Bu bulgular, diyotların optoelektriksel performanslarının iyileştirilmesi için OMC ara tabakasının önemli bir rol oynadığını ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
In this study, the electrical characteristics of Al/p-Si diode and the Al/OMC/p-Si diode with an organometallic thin film (OMC) interlayer were examined, focusing on the effect of the interlayer on the diode's electrical properties. For this purpose, current-voltage and capacitance-voltage measurements were conducted, as well as the examination of the photovoltaic properties of the diodes under 100 mW/cm² light intensity. The ideality factor (n), barrier height (ΦB), and saturation current (I0) of both Al/p-Si and Al/OMC/p-Si diodes were calculated. The rectification ratios of the diodes in the dark at ±2 volts were computed. The light sensitivity of the diodes was determined. The results demonstrate that the presence of the OMC interlayer modifies the electrical parameters of the diodes and enhances their photosensitivity under light exposure. These findings indicate that the OMC interlayer plays a significant role in improving the optoelectronic performance of the diodes.
Benzer Tezler
- Piridin tipi organometalik kompleksler ile katı yüzeylerin kovalent modifikasyonu ve karakterizasyonu
Covalent modification of solid surfaces by pyridine type organometallic complexes and their characterization
ALİ YEŞİLDAĞ
- Biyoaktif yeni benzimidazol aren rutenyum organometalik bileşiklerinin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of bioactive new benzimidazole arene ruthenium organometalic compounds
ENES HAKKI ULUÇAY
- Bazı gümüş n-heterohalkalı karben komplekslerinin teorik analizi
Theoretical analysis of some silver-n-heterocyclic carben complexes
MERVE KALKAT
- Bazı azot dönor ligandları ile Mo(0) ve Pd(II) komplekslerinin sentezi ve MMA polimerizasyonuna etkilerinin incelenmesi
The synthesis of Mo(0) and Pd(II) complexes with some nitrogen donor ligands and investigation of their effect on MMA polymerization
MURAT EMRE HANHAN
- Yeni çok fonksiyonlu ferrosenil naftakinon bileşiğinin sentezi ve seçici katyon bağlama özelliklerinin incelenmesi
Synthesis of new multifunctional ferrocenyl naphthaquinone compound and selective cation binding studies
YUSUF ALÇAY
