Antrasen-imin arayüzey tabakalı Au/n-Si Schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristiklerinden seri direnç ve yüzey durumlarının araştırılması
Investigation of series resistance and surface states from frequency-dependent capacitance voltage and conductance-voltage characteristics in Au/n-Si Schottky diodes with anthracene-imine interfacial layer
- Tez No: 881367
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 84
Özet
Bu tez çalışmasında kullanılan n-Si yarıiletken kristali, (100) yönelimli, 1-20 Ω.cm özdirençli ve 400 μm kalınlığına sahip bir yüzeyi parlak diğer yüzeyi mat özelliklere sahiptir. Antrasen-imin türü bir bileşik olan Metil (E)-3-((antrasen-9yl metilen)amino)benzoat bileşiği bu tez boyunca AA-AMB olarak kısaltılmıştır. AA-AMB organik malzemesi, arayüzey tabaka olarak kullanılmak üzere seçilmiş ve spin (döndürme) kaplama metodu ile n-Si üzerinde büyütülmüştür. Isısal buharlaştırma sisteminde Altın (Au) metali, doğrultucu ve omik kontak oluşturmak için kullanılmıştır. Sonuçta, yeni bir Au/AA-AMB/n-Si/ln MOmS tipi Schottky diyot üretildi. Seri direncin (R_s) ve arayüzey durum yoğunluğunun (N_ss) üretilen MOmS tipi yeni tip Schottky diyotun elektriksel ölçümleri üzerine etkisini araştırmak için 20 kHz-1 MHz frekans aralığında ve -5V - +5V gerilim aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri alındı. Frekansa bağlı kapasite-gerilim ölçümlerinden MIS/MOS yapılarda gözlemlenen yığılma-tükenim-terslenim bölgeleri tespit edilmiştir. Frekansa bağlı seri direnç ve arayüzey durum yoğunluğu değerleri belirlendi. Frekansın artmasıyla R_s ve N_ss değerlerinin azaldığı gözlemlendi. Bu davranış taşıyıcıların ac sinyali yüksek frekanslarda takip edemediğine yorumlanmıştır. Au/AA-AMB/n-Si/ln Schottky diyot için N_ss değerleri literatüre göre küçük olup 1011-1012 eV-1 cm-2 mertebesindedir.
Özet (Çeviri)
The n-Si semiconductor crystal used in this thesis has a (100) orientation, a resistivity of 1-20 Ω.cm and a thickness of 400 μm. It has polished properties on one surface and matte properties on the other. Methyl (E)-3-((anthracene-9yl methylene)amino)benzoate compound, which is an anthracene-imine type compound, is abbreviated as AA-AMB throughout this thesis. AA-AMB organic material was selected to be used as the interfacial layer and grown on n-Si by spin coating method. In the thermal evaporation system, gold (Au) metal was used to form rectifier and ohmic contact. As a result, a new Au/AA-AMB/n-Si/ln MOmS type Schottky diode was produced. To investigate the effect of series resistance (R_s) and interfacial density of states (N_ss) on the electrical measurements of the new type of MOmS type Schottky diode produced, capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) measurements in the frequency range of 20 kHz-1 MHz and voltage range of -5V - +5V were taken. Accumulation-depletion-inversion regions observed in MIS/MOS structures were determined from frequency-dependent capacitance-voltage measurements. Frequency-dependent series resistance and interface state density values were determined. It was observed that R_s and N_ss values decreased with increasing frequency. This behavior has been interpreted as carriers not being able to follow the ac signal at high frequencies. N_ss values for Au/AA-AMB/n-Si/ln Schottky diode are small compared to the literature and are in the range of 1011-1012 eV-1 cm-2.
Benzer Tezler
- İmin grubu içeren yeni kolorimetrik ve fluorimetrik sensörlerin hazırlanması
The preparation of novel fluorimetric and colorimetric sensors bearing imine group
DİLEK TURHAN
- İlaç aktif maddesi olması muhtemel antrasen içeren tiyazolidinon türevlerinin sentezi
Synthesis of thiazolidinone derivatives containing anthracene likely to be pharmaceutical active agent
OSMAN YÜNSEL
- Modification of pendant anthracene and allyl functionalized polycarbonates via double click reactions
Antrasen ve allil yan grupları içeren polikarbonatların ikili ´click' reaksiyonları ile modifikasyonu
BİNNAZ CANOL
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÜMİT TUNCA
- Modification of pendant anthracene and azide functionalized polycarbonates via double click reactions
Antrasen ve azi̇d yan gruplari i̇çeren poli̇karbonatlarin i̇ki̇li̇ 'cli̇ck' reaksi̇yonlari i̇le modi̇fi̇kasyonu
SÜMEYRA YOLDAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜRKAN HIZAL
- Antrasen türevi fotobaşlatıcı sentezi ve çeşitli nanoparçacıkların fotokimyasal olarak hazırlanmasında etkinliğinin incelenmesi
Synthesis of anthracene derivative photoinitiators and investigation of effectiveness in photochemical preparation of various nanoparticles
SALİHA MUTLU
