NiO ince filmlerin DC sıçratma tekniği ile biriktirilmesi ve optoelektronik uygulamaları
The deposition of NiO thin films by DC sputtering technique and their optoelectronic applications
- Tez No: 905331
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ABDULLAH ÜZÜM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 117
Özet
Bu çalışmada NiO ince filmler cam ve Si alttaşlar üzerine DC sıçratma tekniği kullanılarak biriktirildi. Farklı kalınlıklarda biriktirilen NiO ince filmler oda sıcaklığından 330°C değerine kadar farklı sıcaklıklarda 30 dakika süreyle tavlandı. Tavlama sonrasında ince filmlerin elektriksel, optik ve yapısal ölçümleri gerçekleştirildi. Ölçümlerin analizi sonrasında NiO HTL olarak kullanılarak FTO/TiO2/Cs4CuSb2Cl12/NiO/Au hücre yapısı SCAPS programında oluşturuldu, optimize edildi ve FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/NiO/Au hücre yapısı ile karşılaştırıldı. Soğurucu katman ve HTL optimizasyonları kalınlık, kusur yoğunluğu, mobilite, soğurma katsayısı ve yakalama kesit alanı parametreleri için gerçekleştirildi. NiO yerine farklı maddeler HTL olarak kullanıldı. Ardından CuSbS2/NiO ve CNTS/NiO, FTO/TiO2/Cs4CuSb2Cl12/HTL1/HTL2/Au hücre yapısında HTL olarak kullanıldı. Sonuçlara örnek olarak; silisyum yüzeyindeki ortalama reflektans (380-1000 nm) yaklaşık %39'dan %8.72 değerine düşürüldü. En yüksek optimum hücre verim değeri Cs4CuSb2Cl12 soğurucu katmanlı hücre için %19.84, CH3NH3PbI3 soğurucu katmanlı hücre için %21.83 ve CNTS/NiO çift katman HTL için %19.95 olarak elde edildi.
Özet (Çeviri)
In this study, NiO thin films were deposited on glass and Si substrates using DC sputtering technique. NiO thin films deposited at different thicknesses were annealed at various temperatures ranging from room temperature to 330°C for 30 minutes. After annealing the electrical, optical and structural measurements were carried out. Following the analysis of the measurements, the NiO was used as a HTL to construct and optimize the cell structure FTO/TiO2/Cs4CuSb2Cl12/NiO/Au in the SCAPS program, and it was compared with the cell structure FTO/TiO2/CH3NH3PbI3/NiO/Au. Optimizations for the absorber layer and HTL were performed for parameters such as thickness, defect density, mobility, absorption coefficient, and capture cross section. Different materials were used as HTLs instead of NiO. Subsequently, CuSbS2/NiO and CNTS/NiO were utilized as HTL in the FTO/TiO2/Cs4CuSb2Cl12/HTL1/HTL2/Au cell structure. As a result, the average reflectance on the silicon surface (380-1000 nm) was reduced from approximately 39% to 8.72%. The highest optimum cell efficiency values obtained were 19.84% for the cell with Cs4CuSb2Cl12 as the absorber layer, 21.83% for the cell with CH3NH3PbI3 as the absorber layer, and 19.95% for the cell with the CNTS/NiO double HTL.
Benzer Tezler
- Metal oksit ince filmlerin saçtırma tekniği ile üretimi karakterizasyonu ve gaz sensörü uygulamalarının araştırılması
Production and characterization of metal oxide thin films by sputtering technique and investigation of gas sensor applications
FATİH ŞENASLAN
Doktora
Türkçe
2022
Makine MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ÇELİK
- Spintronik malzemelerin manyetik rezonans tekniği ile incelenmesi
Magnetic resonance study of spintronic materials
SÜMEYRA GÜLER KILIÇ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BULAT RAMEEV
- Dy2O3 katkılanmış ?-Bi2O3 tabanlı katı elektrolit ve LSCu katot elektrotu bileşenlerinden oluşan katı oksit yakıt hücresinin üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of Dy2O3 doped ?-Bi2O3 based solid electrolyte and LSCu cathode electrode for the application of the solid oxide fuel cells
KÜBRA ARSLAN
- Bor katkılı NİO ince filmlerinde K tabakasından L tabakasına boşluk geçiş ihtimalinin ölçülmesi
Measurement of the vacancy transition probabilities from K shell to L shells in boron-doped NIO thin films
FATİH DEDEOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER SÖĞÜT
- Structural and optical properties of sol-gel derived nickel oxide thin films
Şeffaf/yarı iletken nikel oksit ince filmlerin sol-jel tekniği ile üretilmesi
BÜŞRA EKİM SARAÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CANER DURUCAN
DOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN