Geri Dön

Electromigration-induced trangranular void motion in interconnects with special reference to computer simulation

Ara bağlantı elemanlarında elektrogöç'e bağlı tanecik içi boşluk hareketi ve bilgisayar modellemesi

  1. Tez No: 93086
  2. Yazar: ERSİN EMRE ÖREN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. TARIK ÖMER OĞURTANI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 181

Özet

oz ARA BAĞLANTI ELEMANLARINDA ELEKTROGÖÇ'E BAĞLI TANECİK İÇİ BOŞLUK HAREKETİ VE BİLGİSAYAR MODELLEMESİ ÖREN, Ersin Emre Yüksek Lisans, Metalürji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Tank Ö. OĞURTANI Eylül 2000, 169 sayfa Bu çalışmanın amacı; mikro-elektronik devrelerdeki metalik ince filmlerin bozulma nedenlerinin ve yaşam sürelerinin tahminini sağlamak için gerekli, boşluk dinamiği ve boşlukların şekil değişikliklerinin ayrıntılı bir şekilde incelenmesidir. Bu analiz, boşluğun silindirik bir şekilde film kalınlığı boyunca uzadığı kabul edilerek iki boyut ile sımrlandınlmıştır. Elektrik alanın yan-durağan olduğu kabul edilmiştir. Laplace denklemi“Dolaylı Sımr Elemanı”yöntemi, IBEM kullanılarak çözülmüştür. Boşluk hareketi sırasında boşluk sınırları boyunca elektrik alanının teğetsel bileşeni hesaplanmıştır. Kapiler etkinin hesaplanmasında, bölgesel eğrilik ile kimyasal potensiyel arasında Herring ilişkisinin olduğu kabul edilmiş ve yüzey katmanının özel Helmholtz serbest enerjisi ile bağlantısı sağlanmıştır. Farklı başlangıç boşluk şekilleri kullamlmış, ve bunların şekil değişiklikleri,“dilimleme”yordamı ortaya konularak hesaplanmış ve sonuçta elde edilen“lineer olmayan kısmi diferansiyel denklem”sayısal olarak Euler'in“belirli fark”yöntemi kullanılarak çözülmüştür. Uygulanan elektrik alan, özel yüzey Helmholtz serbest enerjisi, metalik ara- bağlantılann kalınlığı ve başlangıç boşluk morfolojisi gibi farklı deney koşullarında, boşluk hareketi ve şekil değişikliklerin, çok zengin bilgisayar simülasyon sonuçlan elde edilmiştir. Anahtar Sözcükler : Elektrogöç, yüzey difüzyonu, metalleştirme, boşluk morfolojisi. iv

Özet (Çeviri)

ABSTRACT ELECTROMIGRATION - INDUCED TRANSGRANULAR VOID MOTION IN INTERCONNECTS WITH SPECIAL REFERENCE TO COMPUTER SIMULATIONS ÖREN, Ersin Emre Master, Department of Metallurgical and Materials Engineering Supervisor: Prof. Dr. Tank Ö. O?URTANI September 2000, 169 pages The purpose of this work is to provide such a comprehensive picture of void dynamics and shape changes that one should eventually be able to predict main reasons and conditions under which failure of metallic thin films occurs. Our analysis follows a continuum formalism of surface diffusion and mass accumulations under the action of the electrostatic potential and capillary effects in unpassivated interconnects with finite width. This analysis is limited to two dimensions, in such a case; the void is 'cylindrical' and extends throughout the film thickness. The electrical field assumed to be quasi-static in nature. The Laplace equation is solved by utilizing Indirect Boundary Element Method, IBEM. The tangential component of the electric field intensity over the void boundary was calculated during void evolution. In the calculation of the capillary effect, it has been assumed that the Herring' s relationship between local curvature and the chemical potential is valid and connected by specific Helmholtz free energy of surface layer. Different initial void morphologies have been used, and their shape variations are calculated by introducing a discretization procedure, and the resulted nonlinear partial differential equation is solved numerically by Euler's method of finite difference. Very rich computer simulation results have been obtained in regards to void motion and shape changes under various experimental conditions such applied electric field, specific surface Helmholtz free energy, interconnect width and finally the initial void morphology. Key words : Electromigration, surface diffusion, metallization, void morphology. iii

Benzer Tezler

  1. Computer simulation of electromigration induced void-grain boundary interactions and the prediction of cathode failure times in bamboo structures

    Elektrogöç'e bağlı boşluk-tanecik sınırı etkileşimlerinin bilgisayar modellemesi ve bambu yapılardaki katot bozulma zamanlarının tahmini

    ERSİN EMRE ÖREN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TARIK OĞURTANI

  2. Investigation of electromigration induced hıllock and edge void dynamics on the interconnect surface by computer simulation

    Yüzey tepecik ve boşluklarının elektrogöç nedenli dinamiğinin bilgisayar simülasyonu aracılığı ile araştırılması

    AYTAÇ ÇELİK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TARIK OĞURTANI

  3. Computer simulation of grain boundary and cathode voiding N bamboo interconnects by surface diffusion under capillary and electromigration forges

    Mikro elektronik devrelerdeki bambu benzeri arabağlantı elemanlarında gerçekleşen kapileri ve elektrogöç kuvvetlerinin etkisinde tane sınırı oluklanması ve katot bölgesinde boşluk oluşumu olaylarının bilgisayar modellemesi

    ÖNCÜ AKYILDIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TARIK ÖMER OĞURTANI

  4. Investigation of electromigration and stress induced surface dynamics on the interconnect by computer simulation

    Arabağlantı elemanlarının elektrogöç ve stress nedenli yüzey dinamiğinin bilgisayar simülasyonu aracılığı ile araştırılması

    AYTAÇ ÇELİK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. MEHMET KADRİ AYDINOL

    PROF. DR. TARIK ÖMER OĞURTANI

  5. Ondansetron hidroklorür'ün transdermal iyontoforetik geçişinin incelenmesi

    Investigation of transdermal iontophoretic delivery of ondansetron hydrochloride

    DENİZ ÖZDİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Eczacılık ve Farmakolojiİstanbul Üniversitesi

    Farmasötik Teknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SEVGİ GÜNGÖR