S-katkılı DLC (elmas benzeri karbon) ara katmanlı yapıların elektriksel özelliklerine frekansın etkisi
The effect of frequency on the electrical properties of s doped DLC (diamond like carbon) interlayer structures
- Tez No: 967232
- Danışmanlar: PROF. DR. YASEMİN ŞAFAK ASAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 54
Özet
Bu tez çalışmasında metal-yarıiletken (MS) yapılarının aygıt performansını arttırmak için, elektrokimyasal biriktirme metodu ile p tipi Silisyum (Si) alttaş üzerine 100 Å kalınlıkta kükürt (S) katkılı elmas benzeri karbon (DLC) ara yüzey katmanı kullanılan Al/S-katkılı DLC/p-Si/Au metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) Schottky diyot yapısı oluşturulmuştur. Kaplanan DLC tabakanın yapısal özelliklerinin incelenmesi için SEM görüntüleri ve XRF analizleri kullanılmıştır. SEM görüntülerinde Si alttaş yüzeyinin DLC film ile kaplandığı, tane boyutları 21 nm ile 33 nm arasında değişen adacıkların filmin her yerinde hemen hemen düzgün şekilde dağıldığı görülmüştür. Atomların türü veya miktarı hakkında bilgi edinmek amacıyla (XPS) analizi kullanılmıştır. Bu ölçüm sonuçlarında hedeflenen S katkılı DLC yapısının C 1s ve S 2p XPS spektrumları açıkça elde edilmiştir. Üretilen S katkılı DLC yapının elektriksel özelliklerinin incelenmesinde frekansa ve uygulama voltajına bağlı olarak admitans spektroskopisinin elemanları kapasitans (Cm-V-f) ve iletkenlik (Gm/ω-V-f) ölçüm sonuçları kullanılmıştır. Bu inceleme için çizilen C^(-2)-V grafiğinden Φ_b,E_F, N_A ve W_D gibi aygıta özgü elektriksel çıktı parametreleri elde edildi. Çıktı parametrelerinin frekansa bağlı değişiminin tam bir spektrumda incelemesi için admitans ölçümleri 2 kHz-2 MHz frekans aralığı ve ∓5 V uygulama gerilimi bölgesinde gerçekleştirildi. D_it'nin uygulama gerilimine göre dağılım profilleri, düşük yüksek frekans metodu ve kondüstans metodu kullanılarak elde edildi. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak seri direnç R_s grafiği elde edildi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, an Al/S-doped DLC/p-Si/Au metal-insulator-semiconductor (MIS) Schottky diode structure was fabricated by using electrochemical deposition method, with a 100 Å thick sulfur (S)-doped diamond-like carbon (DLC) interfacial layer on p-type Silicon (Si) substrate, to improve the device performance of metal-semiconductor (MS) structures. SEM images and XRF analysis were used to investigate the structural properties of the coated DLC layer. SEM images showed that the surface of the Si substrate was covered with DLC film and the islands with grain sizes ranging from 21 nm to 33 nm were almost uniformly distributed all over the film. XPS analysis was used to obtain information about the type or amount of atoms. The measurement results showed that the C 1s and S 2p XPS spectra of the targeted S-doped DLC structure were clearly obtained. In order to investigate the electrical properties of the fabricated S-doped DLC structure, the results of capacitance (Cm-V-f) and conductivity (Gm/ω-V-f) measurements, which are elements of admittance spectroscopy, were used depending on the frequency and application voltage. Device-specific electrical output parameters such as Φ_b,E_F, N_A and W_D were obtained from the C^(-2)-V plot for this investigation. Admittance measurements were performed in the frequency range 2 kHz-2 MHz and in the region of ∓5 V application voltage in order to investigate the frequency dependence of the output parameters in a full spectrum. The distribution profiles of D_it with respect to the application voltage were obtained by using the low high frequency and conductance method. R_s graph was obtained using the Nicollian and Brews method.
Benzer Tezler
- Deposition and characterization of metal doped diamond like carbon (Me(Ti, Nb)-DLC) films
Metal katkılı elmas benzeri karbon filmlerin (Me(Ti, Nb)-DLC) büyütülmesi ve karakterizasyonu
DENİZ UĞUR
Yüksek Lisans
İngilizce
2007
Makine MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SABRİ ALTINTAŞ
- Molibden katkılı elmas-benzeri karbon filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve tribolojik özellikleri
Production, characterization and tribological properties of molybdenum doped diamond-like carbon films
EMRE ALP
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. KÜRŞAT KAZMANLI
- Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme yöntemi ile tantal katkılı elmas benzeri karbon film üretimi ve karakterizasyonu
Production of tantalum doped diamond-like carbon film by means of plasma assisted chemical vapor deposition and its characterisation
NİLÜFER ORHON
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. KÜRŞAT KAZMANLI
- Düşük yayıcı kaplama tasarımı, hazırlanması ve karakterizasyonu
Design, preparation and characterization of low emissivity coating
MELTEM BABAYİĞİT CİNALİ
Doktora
Türkçe
2019
EnerjiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZLEM DUYAR COŞKUN
- Kılıçlı (Şile-İstanbul) killerinin jeokimyasal mineralojik ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of the chemical, mineralogical and physical properties of Kılıçlı clay deposits
SERPİL GÜL YILMAZ