Geri Dön

AlGaAs/GaAs çoklu bileşiği ile üretilen MODFET transistörün kanalındaki güç kaybının elektron sıcaklığına bağlılığı

Depending on the electron's temperature of the power loss in the channel of the MODFET transistor produced with AlGaAs/GaAs heterostructures

  1. Tez No: 97497
  2. Yazar: ENİSE BAYDEMİR
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MEHMET ARI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 39

Özet

V ÖZET Bu çalışmada, AlGaAs / GaAs çoklu bileşiği ile üretilmiş olan MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor ) transistorun kanalında oluşan 2-DEG (2-Dimensional Electron Gas) 'deki elektronların sıcaklıkları, kanaldaki güç kaybı kullanılarak hesaplandı. 2-DEG kanalındaki güç kaybı hesaplanırken, öncelikle MODFET kanalında etkili olan mekanizmalar incelendi. Çalışma yaptığımız sıcaklık aralığında, 1 °K < T < 40 °K piezoelekrik çiftlenim, perdeleme etkisi ve diğer mekanizmaların etkisinin az olduğu varsayılarak, güç kaybının esas nedeninin, deformasyon potansiyelinden kaynaklanan akustik fonon yayımı olduğu varsayıldı. Güç kaybı hesaplanırken öncelikle kontak dirençler tespit edildi. Bunun için, Delagebeaudeuf ve Linh'in geliştirmiş olduğu yöntem kullanıldı. Kontak direnç 93±3Q olarak bulundu. Toplam harcanan güçten, kontaklarda kaybolan güç çıkartılarak mutlak güç kaybı deneysel olarak hesaplandı. Deneysel olarak hesaplanan bu değer, Daniels ve arkadaşları tarafından verilen teorik değerde kullanılarak elektron sıcaklıkları hesaplandı. Bu hesaplar farklı iki numune için yapıldı. Daha sonra iki numune için, elektron sıcaklığının güç kaybma karşı grafikleri çizildi. Akustik fonon yayımından, optik fonon yayımına doğru bir geçiş, olduğu grafiklerde gözlendi. Sonuç olarak elde edilen sonuçlar, başka araştırmacıların elde ettikleri sonuçlarla karşılaştırıldı. Kullanılan yöntemlerin farklı olmasına rağmen uyum içinde olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

VI ABSTRACT In this study, the temperature of electrons in 2- DEG formed in the j. :; channel of MODFET transistor which is produced with heterostructures AIGaAs/Ga As has been calculated by using loss of power formed in the channel of transistor. While loss of power in 2-DEG channel has been calculating, firstly the mechanism which is effective in MODFET channel has been examined. The range of temperature which we study 1 °K < T < 40 °K, while piezoelectric coupling, the effect of screening and the effect of the other mechanisms is little that has been assumed due to deformation potential. The real reason of loss of power which is becoming by means of emission of acoustic phonons has been assumed. While loss of power has been calculating, firstly contact resistance has been determined. For this, the method which has been developed by Delagebeaudeuf and Linh has been used. Contact resistance has been found 93±3 Q. The absolute loss of power has been calculated experimentally by substracting loss of power in contacts from spending total power. This value which is calculated experimentally, the temperature of electron have been calculated by using teoritical value which is given by Daniels et al. These calculations were done for two different samples. After that, for these two samples, the graphic was drawn, the temperature of electron versus the loss of power. In graphics, there was a transition from acoustic phonon emission toward optic phonon emission. Consequently, the results obtained have been compared with the results obtained by the other researchers. Although the methods which are used different, It has been observed that the results we have obtained consistent with at the results of other workers.

Benzer Tezler

  1. GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi

    Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques

    TUĞÇE KARAKULAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  2. Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi

    An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures

    GÖKHAN ALGÜN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇETİN ARIKAN

  3. AlGaAs/GaAs heteroyapılarda öz uyumlu potansiyel hesabı

    Self-consistent calculation of the potential at AlGaAs/GaAs heterostructures

    SELMAN MİRİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. GÖRKEM OYLUMLUOĞLU

  4. MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri

    Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE

    SEFER BORA LİŞESİVDİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET KASAP

  5. High performance focal plane array technologies from short to long wavelength infrared bands

    Kısadan uzun dalga boyu kızılötesi bandına kadar yüksek performanslı odak düzlem dizini teknolojileri

    YETKİN ARSLAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ