AlGaAs/GaAs çoklu bileşiği ile üretilen MODFET transistörün kanalındaki güç kaybının elektron sıcaklığına bağlılığı
Depending on the electron's temperature of the power loss in the channel of the MODFET transistor produced with AlGaAs/GaAs heterostructures
- Tez No: 97497
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MEHMET ARI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 39
Özet
V ÖZET Bu çalışmada, AlGaAs / GaAs çoklu bileşiği ile üretilmiş olan MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor ) transistorun kanalında oluşan 2-DEG (2-Dimensional Electron Gas) 'deki elektronların sıcaklıkları, kanaldaki güç kaybı kullanılarak hesaplandı. 2-DEG kanalındaki güç kaybı hesaplanırken, öncelikle MODFET kanalında etkili olan mekanizmalar incelendi. Çalışma yaptığımız sıcaklık aralığında, 1 °K < T < 40 °K piezoelekrik çiftlenim, perdeleme etkisi ve diğer mekanizmaların etkisinin az olduğu varsayılarak, güç kaybının esas nedeninin, deformasyon potansiyelinden kaynaklanan akustik fonon yayımı olduğu varsayıldı. Güç kaybı hesaplanırken öncelikle kontak dirençler tespit edildi. Bunun için, Delagebeaudeuf ve Linh'in geliştirmiş olduğu yöntem kullanıldı. Kontak direnç 93±3Q olarak bulundu. Toplam harcanan güçten, kontaklarda kaybolan güç çıkartılarak mutlak güç kaybı deneysel olarak hesaplandı. Deneysel olarak hesaplanan bu değer, Daniels ve arkadaşları tarafından verilen teorik değerde kullanılarak elektron sıcaklıkları hesaplandı. Bu hesaplar farklı iki numune için yapıldı. Daha sonra iki numune için, elektron sıcaklığının güç kaybma karşı grafikleri çizildi. Akustik fonon yayımından, optik fonon yayımına doğru bir geçiş, olduğu grafiklerde gözlendi. Sonuç olarak elde edilen sonuçlar, başka araştırmacıların elde ettikleri sonuçlarla karşılaştırıldı. Kullanılan yöntemlerin farklı olmasına rağmen uyum içinde olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
VI ABSTRACT In this study, the temperature of electrons in 2- DEG formed in the j. :; channel of MODFET transistor which is produced with heterostructures AIGaAs/Ga As has been calculated by using loss of power formed in the channel of transistor. While loss of power in 2-DEG channel has been calculating, firstly the mechanism which is effective in MODFET channel has been examined. The range of temperature which we study 1 °K < T < 40 °K, while piezoelectric coupling, the effect of screening and the effect of the other mechanisms is little that has been assumed due to deformation potential. The real reason of loss of power which is becoming by means of emission of acoustic phonons has been assumed. While loss of power has been calculating, firstly contact resistance has been determined. For this, the method which has been developed by Delagebeaudeuf and Linh has been used. Contact resistance has been found 93±3 Q. The absolute loss of power has been calculated experimentally by substracting loss of power in contacts from spending total power. This value which is calculated experimentally, the temperature of electron have been calculated by using teoritical value which is given by Daniels et al. These calculations were done for two different samples. After that, for these two samples, the graphic was drawn, the temperature of electron versus the loss of power. In graphics, there was a transition from acoustic phonon emission toward optic phonon emission. Consequently, the results obtained have been compared with the results obtained by the other researchers. Although the methods which are used different, It has been observed that the results we have obtained consistent with at the results of other workers.
Benzer Tezler
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi
Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques
TUĞÇE KARAKULAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda sıcak elektronların enerji kayıp mekanizmalarının incelenmesi
An investigation of energy loss mechanism of hot electrons in low dimensional semiconductor structures
GÖKHAN ALGÜN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
- AlGaAs/GaAs heteroyapılarda öz uyumlu potansiyel hesabı
Self-consistent calculation of the potential at AlGaAs/GaAs heterostructures
SELMAN MİRİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. GÖRKEM OYLUMLUOĞLU
- MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE
SEFER BORA LİŞESİVDİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- High performance focal plane array technologies from short to long wavelength infrared bands
Kısadan uzun dalga boyu kızılötesi bandına kadar yüksek performanslı odak düzlem dizini teknolojileri
YETKİN ARSLAN
Doktora
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ