Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen In katkılı CdZnS filmlerinin özellikleri
The Proporties of In doped CdZnS films produced by the spray pyrolysis method
- Tez No: 109798
- Danışmanlar: PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bileşik Yarıiletkenler, Spray-Pyrolysis, Space-Charge- Limited İletim, Sığ ve Derin Tuzaklar, Aktivasyon Enerjisi, Compound Semiconductors, Spray-Pyrolysis, Space-Charge- Limited Conduction, Shallow and Deep Traps, Activation Energy
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 139
Özet
ÖZET Doktora Tezi SPRAY PYROLYSIS YÖNTEMİ İLE ELDE EDİLEN in KATKILI CdZnS FİLMLERİNİN ÖZELLİKLERİ SALİHA ILICAN Anadolu Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Muhsin ZOR 2001 Spray-pyrolysis yöntemi ile 250, 275 ve 300°C taban sıcaklıklarında elde edilen in katkılı CdZnS filmlerinin elektriksel ve optiksel özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen filmlerin hegzagonal Cdo.22Zno.78S yapıda oldukları saptanmıştır, in katkısı arttıkça, piklerin küçük açılara kaydığı görülmüştür. Absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden filmlerin direkt bant geçişli olduğu ve yasak enerji aralıklarının 2.72eV ile 3.04eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Bütün filmler n-tipi iletkenlik göstermektedir. Oda sıcaklığındaki I- V ölçümleri iki farklı space-charge-limited iletim mekanizması göstermektedir. Bunlar ohmik bölgenin V2 bölgesi tarafından ya da trap-filled-limited (TFL) bölgesi tarafından takip edilmesidir. İlki sığ tuzaklı durumu, ikincisi in katkısının artmasının sebep olduğu derin tuzaklı durumu göstermektedir. Filmlerin elektriksel iletkenlikleri (o) SxlO'^xlO'^ohmcm)“1 arasında, serbest taşıyıcı yoğunluğu (no) 2.5xl09-4.4xl011cm”3 arasındadır. Akım-sıcaklık karakteristiğinden 181-247K, 247-3 00K ve 300-320K sıcaklık bölgelerinde aktivasyon enerjileri sırası ile 0.017-0.059eV, 0.237-0.296eV ve 0.558-0.591eV olarak hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Ph.D. Thesis THE PROPERTIES OF In DOPED CdZnS FILMS PRODUCED BY THE SPRAY-PYROLYSIS METHOD SALİHA DLICAN Anadolu University Graduate School of Natural and Applied Sciences Physics Program Supervisor: Prof. Dr. Muhsin ZOR 2001 In doped CdZnS films have been produced by the spray-pyrolysis method at 250, 275, and 300°C substrate temperatures, and their electrical and optical properties have been investigated. X-ray diffraction spectra of the films showed that they are hexagonal and formed as Cdo.22Zno.78S. The reflection peaks in the spectra shifted towards the smaller angles with the increase of the In concentration. The absorption spectra of the films showed that this compound is a direct band gap material whose band gap values varied between 2.72-3.04eV. All the films showed n-type conductivities. The I-V measurements at room temperature indicate that the conduction mechanism carried out by the space- charge-limited characteristics with two different properties. These are that the ohmic region is either followed by the V2 region or by the trap-filled-limited (TFL) region. The former indicates the presence of the shallow traps, whereas the other indicates the presence of the deep traps which is attributed to the rather high In contents in the materials. The conductivity values (a) varied between 3x1 0“9- 7xl0”7(ohmcm)“1 with the free carrier densities (no) between 2.5xl09- 4.4x10 ^m”3. The activation energies from the Arrhenius plots have been calculated to have values 0.017-0.059eV, 0.237-0.296eV, and 0.558-0.591eV in the temperature regions of 181-247K, 247-300K, and 300-320K, respectively.
Benzer Tezler
- CdZnS yarıiletken bileşiğine In katkılanarak elde edilen filmlerin bazı fiziksel özellikleri
The properties of In doped CdZnS films produced by the spray-pyrolysis method
SEVAL ATEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞENOL AYBEK
- Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen farklı antimon katkılı SnO2 ve SnO2:Sb(ATO) ince filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin araştırılması
Invesigation of some properties of different antimony doped SnO2 and SnO2:Sb(ATO) thin films deposited by spray pyrolysis technique
GÜVEN TURGUT
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAHATTİN DÜZGÜN
PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
- Flor katkılı CdO yarıiletken bileşiğinin spray pyrolysis yöntemi ile elde edilmesi
F-doped CdO semiconductor compounds produced by spray pyrolysis
SİNAN IRMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. METİN KUL
- Spray pyrolysıs yöntemi ile farklı altlık sıcaklığında elde edilen SnO2 ve SnO2:F ince filmlerin bazı fiziksel özelliklerine, altlık sıcaklığının etkisinin araştırılması
The investigation of substrate temperature' s effect on some physical properties of SnO2 and SnO2:F thin films deposited at the different substrate temperature by spray pyrolysis technique
DEMET TATAR
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAHATTİN DÜZGÜN
PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
- Investigation of the characteristics of the boron doped MnO films deposited by spray pyrolysis method
Sprey püskürtme yöntemi ile elde edilen Bor katkılı MnO filmlerin özelliklerinin incelenmesi
ALİ TUNÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN BEDİR