Flor katkılı CdO yarıiletken bileşiğinin spray pyrolysis yöntemi ile elde edilmesi
F-doped CdO semiconductor compounds produced by spray pyrolysis
- Tez No: 181604
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. METİN KUL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Bileşik yatıiletkenler, geçirgen iletken oksitler, spraypyrolysis, ohmik iletim, flor katkılı kadmiyum oksit, Compound semiconductors, transparent conducting oxides, spraypyrolysis, ohmic conduction, fluorine doped cadmium oxide
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 107
Özet
Bu çalışmada değişen oranlarda flor katkılı CdO yarıiletken filmleri spraypyrolysis yöntemiyle, 250ºC taban sıcaklığında ve cam tabanlar üzerinde eldeedilmiştir. Elde edilen filmlerin X-ışınları kırınım desenlerinden filmlerin kristalyapısının polikristal oldukları ve kübik NaCl yapıda oluştukları belirlenmiştir.Filmlerin absorpsiyon spektrumlarından direkt bant geçişli oldukları ve yasakenerji aralıklarının 2,45 ile 2,94 eV arasında değiştiği görülmüştür. Bu filmlerin n-tipi iletim özelliği gösterdiği sıcak uç metoduyla belirlenmiştir. Oda sıcaklığındave karanlık ortamda yapılan akım-voltaj ölçümlerinden filmlerin ohmik iletimmekanizmasına sahip oldukları belirlenmiştir. Yapılan ölçümlerden filmlerinözdirenç değerleri hesaplanmıştır. Hesaplanan özdirenç değerleri 3,63x10-6 ile1,30x10-5 ohm.m arasında değişmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, CdO semiconductor films with different fluorineconcentrations have been produced at 250ºC substrate temperature on to the glasssubstrates by the spray pyrolysis method. X-ray diffraction spectra of the filmshave shown that the films so formed are polycrystalline and cubic NaCl instructure. CdO:F films have been determined to have direct band gapcharacteristics with the band gap values lying in the range between 2,45 and 2,94eV by using optical method. The type of the electrical conductivity of all filmshave been determined to be n-type characteristic by using hot probe method. Theohmic conduction mechanisms have been observed in the current-voltagecharacteristics of the films. The calculated values of the resistivity of the filmshave been found to lie between 3,63x10-6 and 1,30x10-5 ohm.m.
Benzer Tezler
- Ultrasonik spray pyrolysis yöntemiyle elde edilen cdo yarıiletken mateyalinin flor katkısına bağlı olarak yapısal özelliklerinin incelenmesi
The examination of the structural properties of semiconductor cdo material produced by ultrasonic spray pyrolysis method depending on the fluorine doping
HÜLYA TOSUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen CdO bileşiklerinin yapısal ve optik özellikleri
The structural and optical properties of CdO compounds produced by chemical spray pyrolysis technique
MUSTAFA BURAK ÇOBAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SENEM AYDOĞU
- Flor katkılı lityum topaklarının en düşük enerjili yapılarının araştırılması
Investigation of the lowest energy structures of fluorine doped lithium clusters
BATUHAN KOTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
EnerjiBilecik Şeyh Edebali ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ARSLAN ÜNAL
- Flor katkılı zno, sno2, nio nanoparçacıkların süperkapasitör uygulamarı
Supercapacitor applications of fluorine doped zno, sno2, nio nanoparticles
EDA TUZCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Metalurji MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÜMİT ALVER
- Bor-flor katkılı ZnO ince film ve parçacıkların üretimi, fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Fabrication and physical properties of bor-fluorine doped ZnO particles and thin films
SÜLEYMAN KERLİ
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÜMİT ALVER