Geri Dön

MOS yapısında SiO2 nin kompleks dieleketrik sabitinin frekansa bağlı değişiminin c-v ölçüm yöntemiyle belirlenmesi

Determining the change of complex dielectric constant of frequency dependence by using the method c-v measurements in MOS structure

  1. Tez No: 112404
  2. Yazar: MEHMET KOŞAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN BOZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MOS Kapasitör, Dielektrik Sabiti, Yalıtkan (Si02) Tabakası, Arayüzey Durumları ve Elektrik Kutuplanması, MOS Capacitor, Dielectric Layer, Interfacial and Electric Polarization Permittivity, Insulator (SİO2) II
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 79

Özet

YÜKSEK LİSANS TEZİ MOS YAPISINDA SiO2 NİN KOMPLEKS DİELEKTRİK SABİTİNİN FREKANSA BAĞLI DEĞİŞİMİNİN C-V ÖLÇÜM YÖNTEMİYLE BELİRLENMESİ Mehmet KOŞAL ÇUKUROVA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ FİZİK ANA BİLİM DALI Danışman: Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR Yıl.2001, Sayfa: 69 Jüri : Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR : Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ :Yrd.Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL Bu çalışmada bir MOS yapısındaki silisyum dioksidin dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı değişimi incelendi. Burada dielektrik özellikler kompleks bağıl dielektrik geçirgenliğinin gerçek ve sanal kısımları anlamındadır. Deneysel ölçümler, oda sıcaklığında ve basıncında yapıldı. Farklı frekanslardaki dielektrik sabitinin değerlerini bulmak için C-V yönteminden çıkartılan kapasitans ve voltaj ölçümleri kullanıldı. C-V yöntemi metal ile yarıiletken arasında yarıiletken yüzeyine yakın bölgelerde yerleşen yük tuzaklanmasının anlaşılmasında yaygın olarak kullanılmaktadır. Böylelikle bu arayüzeydeki arayüzey kutuplanması ile ilgili birtakım bilgiler de çıkartılmaya çalışıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT MASTER THESIS DETERMINING THE CHANGE OF COMPLEX DIELECTRIC CONSTANT OF Si02 FREQUENCY DEPENDENCE BY USING THE METHOD C-V MEASUREMENTS OF MOS STRUCTURE Mehmet KOŞ AL DEPARTMENT OF PHYSICS INSTITUTE OF NATUREL AND APPLIED SCIENCIES UNIVERSITY OF ÇUKUROVA Supervisor: Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR Year:2001, Pages: 69 Jury Prof. Dr. Süleyman BOZDEMİR Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ Yrd. Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL In this work the change dielectric properties depending on frequency of material SİO2 in a MOS structure was investigated. Where dielectric properties mean that both the real and imaginary parts in the complex relative dielectric permitivity. The expiremental measurements were made in room temperature and pressure. In order to find the values of dielectric constant in different frequencies, the values taking from capacitancies and voltage in measurements of method C-V were used. Method C-V is used commanly in understanding of trapping charges in the regions near Si-metal interface. Therefore, it was also tired to take out some knowledge dealing with interfacial polarization in this interface.

Benzer Tezler

  1. Growth and characterization of thin SiO2 and Ta2O5 dielectric layers by Nd: Yag laser oxidation

    Nd: Yag lazer oksitleme yöntemi kullanılarak ince SiO2 ve Ta2O5 dielektrik tabakaların büyütülmesi ve karakterize edilmesi

    GÜLNUR AYGÜN ÖZYÜZER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF.DR. RAŞİT TURAN

    PROF.DR. SİNAN BİLİKMEN

  2. 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı

    Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment

    ZEYNEP D. TOROS

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  3. Investigation of gamma irradiation response of Y2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors

    Y2O3 metal-oksit-yarıiletkenler kapasitörlerinin gamma radyasyonu cevaplarının incelenmesi

    SALEH ABUBAKAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve TeknolojiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERCAN YILMAZ

  4. Aktif blok yapıları ile gerçekleştirilen kapasite çarpma devresi

    Capacitance multiplier circuit realized by using active building blocks

    TOLGA YÜCEHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. REMZİ ARSLANALP

  5. ICCII tabanlı analog devrelerin tasarımı ve benzetimi

    Design and simulation of ICCII-based analog circuits

    GÜLİN DOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERKAN YÜCE

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TAYFUN UNUK