Geri Dön

GaInAsN kuantum kuyusu yapıların elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

An Investigation of electrical and optical properties of GaInAsN quantum well structures

  1. Tez No: 129537
  2. Yazar: FAHRİ DÖNMEZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 96

Özet

ÖZET GalnAsN KUVANTUM KUYUSU YAPILARIN ELEKTRİKSEL VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Yarıiletkenler teknolojisi 1940'lı yılların sonunda transistorun icadı ile büyük bir atılım gösterdi. Karmaşık devre elemanlarının temelini yarıiletken malzemeler oluşturur. Mikrokontrolcülerden lazer diyotlara kadar bir çok cihazın hammaddesi yarıiletken yapılardır., Gerek elektroniğin gerekse opto - elektroniğik ve haberleşmenin vazgeçilmezi olan bu malzemelerin bilim dünyasında oldukça geniş ilgi uyandırmış ve ilgi uyandırmaya devam edecektir. Teknoloji ilerledikçe ihtiyaçlar da çeşitli şekillerde değişim göstermektedir. Veri transferinde hız önemli bir faktördür. Yarıiletkenlerin büyütlmelerine bağlı olarak meydana gelen kusurlar yapı içinde izole seviyeler yaratırlar. Bu seviyeler cihaz performansım olumsuz yönde etkiler. Numune içindeki kusurlar cihazın cevap verme hızını düşürerek veri transfer hızında azalmaya neden olur. Tez süresince numunelerin optiksel ve elektriksel etkilere bağlı davranışları incelenmiştir ve tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri hesaplanarak bunlar hakkında bilgi edinilmiştir. VI

Özet (Çeviri)

SUMMARY AN INVESTIGATION OF ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GalnAsN QUANTUM WELL STUCTURES The semiconductor technology developed greatly depending on invention of transistor end of 1940's. The semiconductor materials are the basis of the complex circuits. Semiconductor structures are the ram materials of a lot of devices from microcontrollers to laser diodes. Science has been interested in these materials for a long time and it will go on exactly as a result of opto - electronics and informatic necessity. The needs change according to problem as the technology improves. The rate is important for data transfer. The defects, are formed by growth method, create isolated levels in the structure. These levels effects performance of the devices negatively. The defects in the sample increase the response time of devices and decrease the data transfer rate. Optical and electrical effects were observed in materials during thesis. The activation energies of the trap levels were calculated and the formation of these levels were investigated. vn

Benzer Tezler

  1. Theoretical investigation of the effect of nitrogen on optical and electronic properties of GaInAsN semiconductors

    Nitrojen?in GaInAsN yarıiletkenlerin optiksel ve elektronik özellikleri üzerindeki etkilerinin teorik analizi

    KORAY KÖKSAL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Bölümü

    PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL

  2. Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri

    Electronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structures

    OZAN ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  3. Azot içeren düşük boyutlu yarıiletkenlerde foto olayların incelenmesi

    An investigation of the photo effects in nitrogen containing low dimensional semiconductor

    NAMIK AKÇAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NURTEN ÖNCAN

  4. Az miktarda azot eklenmiş uzun dalga boylu yarı iletken kuantum kuyu lazerlerin teorik karşılaştırılması

    Comparison of quantum well lasers with long wavelenght dilute nitrogen semiconductor

    İSMAİL BİLİCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  5. Bizmut ve nitrojen içeren III-V grubu yarıiletken alaşımların fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Examination of physical properties of III-V semiconductor alloys including bismuth and nitrogen

    BATTAL GAZİ YALÇIN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ASLAN