GaInAsN kuantum kuyusu yapıların elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
An Investigation of electrical and optical properties of GaInAsN quantum well structures
- Tez No: 129537
- Danışmanlar: PROF. DR. ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 96
Özet
ÖZET GalnAsN KUVANTUM KUYUSU YAPILARIN ELEKTRİKSEL VE OPTİKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Yarıiletkenler teknolojisi 1940'lı yılların sonunda transistorun icadı ile büyük bir atılım gösterdi. Karmaşık devre elemanlarının temelini yarıiletken malzemeler oluşturur. Mikrokontrolcülerden lazer diyotlara kadar bir çok cihazın hammaddesi yarıiletken yapılardır., Gerek elektroniğin gerekse opto - elektroniğik ve haberleşmenin vazgeçilmezi olan bu malzemelerin bilim dünyasında oldukça geniş ilgi uyandırmış ve ilgi uyandırmaya devam edecektir. Teknoloji ilerledikçe ihtiyaçlar da çeşitli şekillerde değişim göstermektedir. Veri transferinde hız önemli bir faktördür. Yarıiletkenlerin büyütlmelerine bağlı olarak meydana gelen kusurlar yapı içinde izole seviyeler yaratırlar. Bu seviyeler cihaz performansım olumsuz yönde etkiler. Numune içindeki kusurlar cihazın cevap verme hızını düşürerek veri transfer hızında azalmaya neden olur. Tez süresince numunelerin optiksel ve elektriksel etkilere bağlı davranışları incelenmiştir ve tuzak seviyelerinin aktivasyon enerjileri hesaplanarak bunlar hakkında bilgi edinilmiştir. VI
Özet (Çeviri)
SUMMARY AN INVESTIGATION OF ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GalnAsN QUANTUM WELL STUCTURES The semiconductor technology developed greatly depending on invention of transistor end of 1940's. The semiconductor materials are the basis of the complex circuits. Semiconductor structures are the ram materials of a lot of devices from microcontrollers to laser diodes. Science has been interested in these materials for a long time and it will go on exactly as a result of opto - electronics and informatic necessity. The needs change according to problem as the technology improves. The rate is important for data transfer. The defects, are formed by growth method, create isolated levels in the structure. These levels effects performance of the devices negatively. The defects in the sample increase the response time of devices and decrease the data transfer rate. Optical and electrical effects were observed in materials during thesis. The activation energies of the trap levels were calculated and the formation of these levels were investigated. vn
Benzer Tezler
- Theoretical investigation of the effect of nitrogen on optical and electronic properties of GaInAsN semiconductors
Nitrojen?in GaInAsN yarıiletkenlerin optiksel ve elektronik özellikleri üzerindeki etkilerinin teorik analizi
KORAY KÖKSAL
Doktora
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Bölümü
PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Üçlü GaAlAs/GaAs ve Gainas/GaAs nano yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of triple GaAlAs/GaAs and Gainas/GaAs nano structures
OZAN ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Azot içeren düşük boyutlu yarıiletkenlerde foto olayların incelenmesi
An investigation of the photo effects in nitrogen containing low dimensional semiconductor
NAMIK AKÇAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NURTEN ÖNCAN
- Az miktarda azot eklenmiş uzun dalga boylu yarı iletken kuantum kuyu lazerlerin teorik karşılaştırılması
Comparison of quantum well lasers with long wavelenght dilute nitrogen semiconductor
İSMAİL BİLİCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Bizmut ve nitrojen içeren III-V grubu yarıiletken alaşımların fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Examination of physical properties of III-V semiconductor alloys including bismuth and nitrogen
BATTAL GAZİ YALÇIN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ASLAN