AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi
Examination of AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures with chemical etching method
- Tez No: 212777
- Danışmanlar: PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Bilim ve Teknoloji, Physics and Physics Engineering, Science and Technology
- Anahtar Kelimeler: AlGaAs, GaAs, Aşındırma, MBE, Profilometre, AlGaAs, GaAs, Etching, MBE, Profilometry
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında tek kristaller ve MBE tekniği ile büyütülen AlxGa1- xAs/GaAs nanoyapılarının ıslak kimyasal aşındırma yöntemi kullanılarak ortaya çıkan yüzey morfolojisi ve numunenin kalitesi incelendi. Numune kalınlığındaki değişimi profilometre ile yüzeyindeki pürüzlülüğü Spektroskopik Elipsometre ile ve yüzeydeki kusurların görüntülerini optik miroskop ile analiz edildi. Bizim burada ıslak kimyasal aşındırma yönteminde kullandığımız aşındırıcı solüsyon sitrik asit/hidrojen peroksit (C6H8O7/H2O2)'dir. Literatürde hem sitrik asit/hidrojen peroksit hemde farklı solüsyonlarla yapılan aşındırmalar, bizim yaptığımız çalışmalarla karşılaştırıldı. Bir materyali diğerinden daha hızlı ortadan kaldıran, seçici aşınım yapan aşındırıcı solüsyon değeri belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study, the surface morphology and sample quality of wet chemical etched AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures which were growth by MBE techniques and single crystals has been examined. The change in thickness of sample with profilometry, the roughness on the surface with spectroscopic elipsometry and the displays of defect on surface with optic microscop are analyzed. The etching solution used in this study was citric acid/hydrogen peroxide (C6H8O7/H2O2). Herewith, we present the comparison between our studies and previously carried studies for citric acid/hydrogen peroxide etching in the literature. The etching solution value, which removes a material faster than other one and makes selective etching, is determined.
Benzer Tezler
- A1xGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının MBE yöntemi ile büyütülmesi ve elektrofiziksel özellikleri
The growth of A1xGa1-xAs/GaAs narostructures with MBE method and the investigation of electrophysical properties
AYLİN BENGİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TOFİG MAMMADOV
- AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi
Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures
HALİT ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- AlxGa1-xAs/GaAs süperörgünün optiksel özelliklerinin incelenmesi
Examination of optical properties of AlxGa1-xAs/GaAs superlattice
ESRA YÜKSELTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- GaAs/ AlxGa1-xAs kuantum kuyu kızılötesi fotodedektörlerin optoelektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optoelectronic properties of GaAs/ AlxGa1-xAs qauntum well infrared photodetectors
EMİNE ALTIN
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN