Geri Dön

AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi

Examination of AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures with chemical etching method

  1. Tez No: 212777
  2. Yazar: YUSUF ALPER ULU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 101

Özet

Bu tez çalışmasında tek kristaller ve MBE tekniği ile büyütülen AlxGa1- xAs/GaAs nanoyapılarının ıslak kimyasal aşındırma yöntemi kullanılarak ortaya çıkan yüzey morfolojisi ve numunenin kalitesi incelendi. Numune kalınlığındaki değişimi profilometre ile yüzeyindeki pürüzlülüğü Spektroskopik Elipsometre ile ve yüzeydeki kusurların görüntülerini optik miroskop ile analiz edildi. Bizim burada ıslak kimyasal aşındırma yönteminde kullandığımız aşındırıcı solüsyon sitrik asit/hidrojen peroksit (C6H8O7/H2O2)'dir. Literatürde hem sitrik asit/hidrojen peroksit hemde farklı solüsyonlarla yapılan aşındırmalar, bizim yaptığımız çalışmalarla karşılaştırıldı. Bir materyali diğerinden daha hızlı ortadan kaldıran, seçici aşınım yapan aşındırıcı solüsyon değeri belirlendi. Anahtar Kelimeler : AlGaAs, GaAs, Aşındırma, MBE, Profilometre

Özet (Çeviri)

In this study, the surface morphology and sample quality of wet chemical etched AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures which were growth by MBE techniques and single crystals has been examined. The change in thickness of sample with profilometry, the roughness on the surface with spectroscopic elipsometry and the displays of defect on surface with optic microscop are analyzed. The etching solution used in this study was citric acid/hydrogen peroxide (C6H8O7/H2O2). Herewith, we present the comparison between our studies and previously carried studies for citric acid/hydrogen peroxide etching in the literature. The etching solution value, which removes a material faster than other one and makes selective etching, is determined. Key Words : AlGaAs, GaAs, Etching, MBE, Profilometry

Benzer Tezler

  1. A1xGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının MBE yöntemi ile büyütülmesi ve elektrofiziksel özellikleri

    The growth of A1xGa1-xAs/GaAs narostructures with MBE method and the investigation of electrophysical properties

    AYLİN BENGİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. TOFİG MAMMADOV

  2. Yarı-parabolik kuantum kuyusunda lineer ve lineer olmayan optik özelliklerin incelenmesi

    Investigation of linear and nonlinear optical properties in semi-parabolic quantum well

    SERKAN KÜÇÜK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. DEVRİM TARHAN

  3. AlxGa1-xAs/GaAs süperörgünün optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Examination of optical properties of AlxGa1-xAs/GaAs superlattice

    ESRA YÜKSELTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL

  4. AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi

    Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures

    HALİT ALTUNTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  5. AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini

    Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures

    SABİT KORCAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK