AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi
Examination of AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures with chemical etching method
- Tez No: 212777
- Danışmanlar: PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 101
Özet
Bu tez çalışmasında tek kristaller ve MBE tekniği ile büyütülen AlxGa1- xAs/GaAs nanoyapılarının ıslak kimyasal aşındırma yöntemi kullanılarak ortaya çıkan yüzey morfolojisi ve numunenin kalitesi incelendi. Numune kalınlığındaki değişimi profilometre ile yüzeyindeki pürüzlülüğü Spektroskopik Elipsometre ile ve yüzeydeki kusurların görüntülerini optik miroskop ile analiz edildi. Bizim burada ıslak kimyasal aşındırma yönteminde kullandığımız aşındırıcı solüsyon sitrik asit/hidrojen peroksit (C6H8O7/H2O2)'dir. Literatürde hem sitrik asit/hidrojen peroksit hemde farklı solüsyonlarla yapılan aşındırmalar, bizim yaptığımız çalışmalarla karşılaştırıldı. Bir materyali diğerinden daha hızlı ortadan kaldıran, seçici aşınım yapan aşındırıcı solüsyon değeri belirlendi. Anahtar Kelimeler : AlGaAs, GaAs, Aşındırma, MBE, Profilometre
Özet (Çeviri)
In this study, the surface morphology and sample quality of wet chemical etched AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures which were growth by MBE techniques and single crystals has been examined. The change in thickness of sample with profilometry, the roughness on the surface with spectroscopic elipsometry and the displays of defect on surface with optic microscop are analyzed. The etching solution used in this study was citric acid/hydrogen peroxide (C6H8O7/H2O2). Herewith, we present the comparison between our studies and previously carried studies for citric acid/hydrogen peroxide etching in the literature. The etching solution value, which removes a material faster than other one and makes selective etching, is determined. Key Words : AlGaAs, GaAs, Etching, MBE, Profilometry
Benzer Tezler
- A1xGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının MBE yöntemi ile büyütülmesi ve elektrofiziksel özellikleri
The growth of A1xGa1-xAs/GaAs narostructures with MBE method and the investigation of electrophysical properties
AYLİN BENGİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF.DR. TOFİG MAMMADOV
- Yarı-parabolik kuantum kuyusunda lineer ve lineer olmayan optik özelliklerin incelenmesi
Investigation of linear and nonlinear optical properties in semi-parabolic quantum well
SERKAN KÜÇÜK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. DEVRİM TARHAN
- AlxGa1-xAs/GaAs süperörgünün optiksel özelliklerinin incelenmesi
Examination of optical properties of AlxGa1-xAs/GaAs superlattice
ESRA YÜKSELTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi
Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures
HALİT ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK