A1xGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının MBE yöntemi ile büyütülmesi ve elektrofiziksel özellikleri
The growth of A1xGa1-xAs/GaAs narostructures with MBE method and the investigation of electrophysical properties
- Tez No: 166044
- Danışmanlar: PROF.DR. TOFİG MAMMADOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MBE, AlxGaı-xAs/GaAs, elektriksel karakterizasyon, yapısal karakterizasyon, Rocking eğrileri, Cheung fonksiyonları, MBE, AixGai.xAs/GaAs, electrical characterization, structural characterization, Rocking curves, Cheung functions Page Number : 111 Adviser : Prof. Dr. Tofig MAMMADOV
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
HI Al.Gai.xAs/GaAs NANOYAPILARININ MBE YÖNTEMİ İLE BÜYÜTÜLMESİ VE ELEKTROFİZİKSEL ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Aylin BENGİ GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Bu çalışmada MBE cihazı kullanılarak ALGaı.xAs/GaAs (x=0,24) pin diyot yapısı büyütülmüştür. Büyütülen yarıiletkenin yapısal analizi X-ışını kırınımı yöntemi ile yapılmıştır. Elde edilen Rocking eğriierindeki uydu piklerin varlığı büyütülen epitabakaların yeterli ineelikte ve homojenlikte olduğunu kanıtlamaktadır. Büyütülen pin diyot yapısının elektriksel karakteristiklerinin incelenebilmesi için Au kontaklar yapılmış ve yapının sıcaklık bağımlı (79 K- 400 K) akım-gerilim (I-V), ve admitans-gerilim (C-V, G/w -V) özellikleri incelenmiştir. Elde edilen sıfır-beslem engel yüksekliği sıcaklıkla artarken idealite faktörü sıcaklıkla azalır. Bu davranış, özellikle düşük sıcaklıklarda, düşük engel yüksekliğine sahip olan bölgelerden oluşan kaçak akıma yani engel homojensizliğine atfedilirken, arayüzey durum yoğunluğunun sıcaklıkla azalması yarıiletken arayüzeyinin moleküler açıdan yeniden yapılanmasına ve düzenlenmesine atfedilir. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
IV THE GROWTH OF AlxGai.xAs/GaAs NANOSTRUCTURES WITH MBE METHOD AND THE INVESTIGATION OF ELECTROPHYSICAL PROPERTIES (M.Sc. Thesis) Aylin BENGİ GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY July 2005 ABSTRACT In this work, the AlxGai"xAs/GaAs (x=0,24) pie diode structure were grown by using MBE device. The structural analysis of the grown semiconductor was made by X-ray diffraction. The presence of the satellite peaks in the obtained Rocking curves proved that the growth epiiayers have enough thickness and homogenity. For the investigation of the electrical characteristics of the growth pin diode structure, the Au contacts were formed and the temperature dependent (79 K- 400 K) current- voltage (I-V) and admittance-voltage (C-V, G/w -V) properties were investigated. The ideality factor was found to be decrease as the zero-bias barrier height was found to be increasing with temperature. Especially at low temperatures, while this behaviour was attributed to the leakage current, which may be contributed to the large amount of patch with low barrier height, that is barrier inhomogenity, the decreasing of the interface states with temperature was attributed to the result of molecular restructuring and reordering at the metal-semiconductor interface. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi
Examination of AlxGa1-xAs/GaAs nanostructures with chemical etching method
YUSUF ALPER ULU
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TOFİG MAMMADOV
- AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi
Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures
HALİT ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- AlxGa1-xAs/GaAs süperörgünün optiksel özelliklerinin incelenmesi
Examination of optical properties of AlxGa1-xAs/GaAs superlattice
ESRA YÜKSELTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- GaAs/ AlxGa1-xAs kuantum kuyu kızılötesi fotodedektörlerin optoelektronik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optoelectronic properties of GaAs/ AlxGa1-xAs qauntum well infrared photodetectors
EMİNE ALTIN
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN