MIS yapıların frekans ve radyasyona bağlı temel elektriksel parametreleri
Frequency and radiation dependence of basic electrical parameters of the MIS structures
- Tez No: 180105
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MIS yapı, frekansa bağlılık, radyasyon etkisi, seri direnç, arayüzey durumlar, MIS structure, frequency dependent, radiation effect, seriesresistance, interface statesPage Number : 54Adviser : Associate Professor Şemsettin ALTINDAL
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Al/SiO2/p-Si (MIS) yapıların bazı temel elektrikselparametreleri frekans ve radyasyona bağlı incelendi. Al/SiO2/p-Si yapınınkapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/Ï-V) ölçümleri farklıfrekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu ölçümlerden yapınınseri direnç, arayüzey durumları gibi bazı temel elektriksel parametreleri60frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co gama ışını kaynağındafarklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalartekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapılarınhemen hemen tüm temel elektiksel parametrelerinin yapıdaki arayüzeydurum yoğunluğuna, seri dirence, uygulanan d.c. gerilimine, frekansa veradyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiği gözlenmiştir.Bilim Kodu : 202. 1. 147
Özet (Çeviri)
In this study, we have investigated some basic electrical parameters depend onfrequency and radiation of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures. Al/SiO2/p-Si structurecapacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/Ï-V) measurements fordifferent frequency were made in room temperature. From these measurementswe calculate frequency dependent series resistance, interface state density of60structure. After than with the Co gamma-ray source in different doses, wemade same measurement and calculations. Results show that in experimentsthis structure almost all basic electrical parameters of change by interface statedensity, series resistance, d.c. voltage, frequency and radiation.Science Code : 202. 1. 147
Benzer Tezler
- Al/SiO2/p-Si (MIS) yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekansa ve radyasyona bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and radiation dependent of main physical parametres of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures
İLKE TAŞÇIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi
Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer
AHMET KAYMAZ
Doktora
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİBE TECİMER
- Mobil telefon kullanımına bağlı oluşan 900-1800 mhz radyo frekans dalgalarının meydana getirdiği elektromanyetik alanın iliak kanat kemik mineral yoğunluğuna etkisi
The effect of electromagnetic fields on bone mineral density of iliac bone produced by 900-1800 mhz radio frequency waves dependent on cellular phone usage
BEŞİR ANDAÇ AKSOY
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2006
Ortopedi ve TravmatolojiSüleyman Demirel ÜniversitesiOrtopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı
PROF.DR. NEVRES HÜRRİYET AYDOĞAN
- Design and implementation of fault-tolerant superscalar out-of-order RISC-V processor
Hata toleranslı süperölçekli sıradışı yürütme özellikli RISC-V işlemci tasarımı ve gerçeklemesi
MUSTAFA ENSAR IŞKIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SIDDIKA BERNA ÖRS YALÇIN
- Sistem parametrelerinin ultrasonik medikal görüntüler üzerindeki etkilerinin incelenmesi
Analysis of the system parameters effects on medical ultrasound images
GERÇEK SUNMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İNCİ ÇİLESİZ