Geri Dön

Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi

The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/w-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structures

  1. Tez No: 309475
  2. Yazar: ŞENAY SEZGİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 78

Özet

Bu çalışmada, n tipi silisyum (Si) alttaş üzerine radyo frekans (RF) püskürtme metoduyla hazırlanmış Si3N4 yalıtkan tabakalı Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapının kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) karakteristikleri incelendi. C-V ve G/ ? -V ölçümleri, HP 4192A LF Empedans Analizörü kullanılarak ve seri direnç (Rs) ve arayüzey durum (Nss) etkisi dikkate alınarak, sırasıyla 1 kHz-1 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Rs hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile azalmaktadır. Ayrıca, ölçülen kapasitans ve iletkenlik değerleri MIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenliğini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmiştir. Nss'nin varlığı, C-V ve G/ ? -V eğrilerinin ideal durumdan sapmasına yol açar. Arayüzey durumları özellikle düşük frekanslarda ac sinyalini kolayca takip edebilir ve böylece kapasitansa katkıda bulunurlar.

Özet (Çeviri)

In this study, capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ ? -V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS) structure with insulator layer Si3N4 deposited on n type Si substrate by radio frequency (RF) supettering method was investigated. The C-V and G/ ? -V measurements were performed by use of HP 4192A LF Impedance Analyser and considering series resistance (Rs) and interface state (Nss) effect in the frequency and temperature ranges of 1 kHz-1 MHz and 80-400 K, respectively. The Rs decreases with both increasing frequency and temperature. Also, the measured capacitance and conductance values were corrected for the effect of series resistance to obtain the real capacitance and conductance of MIS structure. The presence of Nss causes the C-V and G/ ? -V characteristics deviate from the ideal case. Interface states can follow ac signal particulary at low frequencies and thereby yield an excess capacitance.

Benzer Tezler

  1. Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/n-Si structures

    TUĞÇE ATASEVEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  2. Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

    An investigation into current- voltage (I-V) characteristics of Au/Si3N4/n-Si (MIS)structures

    FATMA ZEHRA PÜR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  3. Silisyum nitrat arayüzey yalıtkan tabakalı MIS yapının elektrik ve dielektrik parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkileri

    The effects of gama radiation on the electrical and dielectric parameters of MIS structure with silicon nitrate interfacial insulator layer

    RAZİYE ERTUĞRUL UYAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU

  4. Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures

    FATİH YİĞİTEROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ

  5. Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) kondansatörün dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of dielectric properties of Au/Si3N4/p-GaAs (MOS) capacitor

    SEMA YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADEM TATAROĞLU