Geri Dön

Al/n-Si schottky diyotlarında arayüzey hallerinin I-V, C-V ve C-f karakteristiklerine etkileri

In Al/n-Si schottky diodes effects of interface states on I-V, C-V, C-f characteristics

  1. Tez No: 183534
  2. Yazar: ASIM ALTAŞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Arayüzey halleri, Engel yüksekliği, Omik kontak.Schottky diyodu
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 48

Özet

ÖZETAl/N-Sİ SCHOTTKY DİYOTLARINDA ARAYÜZEYHALLERİNİN I-V,C-V,C-f KAREKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİALTAŞ, AsımYüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim DalıTez Danışmanı: Yrd. Doç. Dr. Bahri BatıNisan 2006, 38 SayfaGünümüz teknolojisinde ve elektronik sanayide çok fazla kullanılan Schottky kontaklar geniş biruygulama alanına sahiptir. Bu nedenle bu elemanlar üzerinde çok fazla durulması gerekir.Bu çalışmada n-tipi Silisyum kristal üzerine Aleminyum kontağı yapıldı. Al/n-Si/Al Schottkydiyotun ln(I)-V, C-V, C-f, karakteristikleri incelendi.Al/n-Si/Al diyotun ln(I)-V grafiğinden idealite faktörü (n), engel yüksekliği (eФbn), donaryoğunluğu (ND), doyma akımı (Io) ve seri direnci (Rs), hesaplandı. Ayrıca Cheung Fonksiyonları yardımıylaaynı parametreler kontrol edildi.Diyotun belirli frekans aralığında C-V karakteristikleri incelendi ve elde edilen grafikte pikdeğerleri gözlendi. Al/n-Si/Al diyotun C-f karakteristikleri incelendi. Uzay yükü kapasitesine ilavekapasitenin nedenleri araştırıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACTIN Al/N-Si SCHOTTKY DIODES EFFECTS OF INTERFACE STATES ON I-V, C-V, C-fCHARACTERISTICSALTAŞ,AsımMsc, PhysicsSupervisor: Assist. Prof. Dr. Bahri BATIApril 2006, 38 pagesIn nowadays technology and in electronic industry Schottky contacts are widely used and they havelarge applied field. Due to that useful necessity of them, they must be vastly investigated.In this study, on the n-type silicon crystal the contacts of aluminum have been made and thecharacteristics of ln (I)-V, C-V, C-f of Al/n-Si/Al Schottky diode have been investigated.From ln(I)-V plot of the Al/n-Si/Al diode, idealizing factor (n), barrier height (eΦbn), donor density(ND), saturation current (I0) and serial resistor (Rs) have been calculated. In addition by using of Cheungfunctions the same parameters have been checked.In a certain frequency interval of the diode C-V characteristics have been examined and in obtainedgraphic peak values have been observed. The C-f characteristics of the Al/n-Si/Al diode have been studied.Causes of addition capacity of the space charge have also been researched.Key words : Barrier height, Interface states , Ohmic contact, Schottky diode.

Benzer Tezler

  1. Al/N-Si (MIS) Schottky diyotlarında arayüzey hallerinin ve seri direncin I-V, C-V, C-f karakteristiklerine etkileri

    In Al/N-Si Schottky diodes effects of interface states on I-V, C-V, C-f characteristics

    HALİL SEYMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI

  2. Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması

    In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters

    İKRAM KELEŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI

  3. Au/n-Si/Al Schottky diyotlarında arayüzey hallerinin akım-voltaj karakteristiklerine etkileri

    Interface effects on current voltage characteristics of Au/n-Si/Al Schottky diodes

    MÜCAHİDE GÖNDÜK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NEZİR YILDIRIM

  4. Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması

    y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode

    SERHAT GÜLOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN

  5. Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi

    Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature

    İLBİLGE DÖKME

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL