Geri Dön

(Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi

Investigation of electrical characteristics of (aAl-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes depending on frequency and illumination

PDF İndir

  1. Tez No: 200957
  2. Yazar: MEHMET HAMDİ KURAL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

Bu çalısmada, magnetron sputtering yöntemi ile (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schotty diyotları üretilmis ve bu diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) ölçümleri oda sıcaklıgında, karanlıkta, ısık altında ve farklı frekanslar için gerçeklestirilmistir. Doyum akımı (I0), sıfır beslem engel yüksekligi (FBo), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) degerleri, sırası ile karanlıkta 4,2x10-10 A, 0,755 eV, 1,24 ve 896 ; aydınlıkta ise 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 ve 419,7 olarak bulunmustur. Ayrıca diyotun kırılma voltajının da 21 V civarında oldugu görülmüstür. Aydınlatma islemi (C-V) ve (G/w-V) egrilerinde ters beslem yönünde 150 mV civarında ve artan aydınlanma siddeti ile artan bir kaymaya sebep olmustur. Bu davranısın aydınlanma ile ara yüzey durum yogunluklarında degismeye neden olan metal yarı iletken arasında uyarılan sabit yüklerden kaynaklandıgı seklinde açıklanmıstır. Ayrıca seri direncin (Rs) aydınlanma ile azaldıgı ve kapasitan-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) özelliklerinde anlamlı degisiklere neden oldugu görülmüstür. I-V özellikleri ideal davranısa sahip degildir ve idealite faktörü (n), yarı iletken ile dengede olan ara yüzey durum yogunluklarına (Nss) tarafından kontrol edilmektedir.

Özet (Çeviri)

In this study, (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes were fabricated by a magnetrons sputtering method and their current-voltage (I-V) and admittance-voltage (C-V, G/w-V) measurements were carried out in dark and under illumination. The values of saturation current (Io), zero-bias barrier height (Bo), ideality factor (n) and series resistance (Rs) are found equal to 4,2x10-10A, 0,755 eV, 1,24 and 896 in the dark and to 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 and 419,7 W under illumination, respectively. In addition to this, the break down voltage of the (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky is found to be near 21 V. The illumination process causes shift the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G / -V) curves toward reverse bias about 150 mV and increases with increasing illumination level. This behavior can be explained by the built-up of fixed charge between metal and semiconductor attributed to changes in the number of interface states (Nss) due to the illumination process. In addition to these, the series resistance (Rs) of diodes can significantly alter the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) characteristics and decrease with increasing illumination level. I-V characteristics have not ideal behavior and ideality factor (n) is controlled by the Nss in equilibrium with the semiconductor.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    196626

    (Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri

    Temperature dependence of characteristic parameters of the (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes

    ELİF MARIL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Tez No

    59467

    Pulmoner rehabilitasyonun ankilozan spondilitli hastalarda ergospirometre parametreleri ve klinik bulguları üzerine etkileri

    Başlık çevirisi yok

    SİBEL DEMİR DEVİREN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonSağlık Bakanlığı

    Fiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı

  3. Tez No

    412088

    Süyuti'nin el-Muzhir isimli eserinin içerik ve metot açısından incelenmesi

    The examining of al-Suyuti's work titled al-Muzhir in terms of content and methods

    SENAN UMUYEV

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    DilbilimSakarya Üniversitesi

    Temel İslam Bilimleri Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HAMZA ERMİŞ

  4. Tez No

    413700

    Al-Ukyânûsu'l-Basît fî Tarcamati'l-Kâmûsi'l-Muhît - Bâbu'l Kaf Faslu'l-fâ «al-uʾāk - al-İfāka» giriş -Metin - sözlük -dizin

    Al-Ukyânûsu 'l-Basît fî Tarcamati̇'l-Kâmûsi̇ 'l-Muhît Bâbu'l-Kâf - fâ - Arti̇cle « al-fuʾāk - al-ifāka» introduction –Text - vocabulary - index

    MERAL YAĞMUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Türk Dili ve EdebiyatıErzincan Üniversitesi

    Türk Dili ve Edebiyatı Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FAYSAL OKAN ATASOY

  5. Tez No

    415272

    Al/Poly(Methyl methacrylate)/p-Si organik schottky diyotların üretimi, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Fabrication, investigation electrical and dielectric properties of Al/poly(methyl methacrylate)/p-Si organic schottky diodes

    FİKRET GONCA ARAS

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL

    PROF. DR. ELİF ORHAN

Geri Dön