Geri Dön

(Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi

Investigation of electrical characteristics of (aAl-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes depending on frequency and illumination

PDF İndir

  1. Tez No: 200957
  2. Yazar: MEHMET HAMDİ KURAL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

Bu çalısmada, magnetron sputtering yöntemi ile (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schotty diyotları üretilmis ve bu diyotların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) ölçümleri oda sıcaklıgında, karanlıkta, ısık altında ve farklı frekanslar için gerçeklestirilmistir. Doyum akımı (I0), sıfır beslem engel yüksekligi (FBo), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) degerleri, sırası ile karanlıkta 4,2x10-10 A, 0,755 eV, 1,24 ve 896 ; aydınlıkta ise 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 ve 419,7 olarak bulunmustur. Ayrıca diyotun kırılma voltajının da 21 V civarında oldugu görülmüstür. Aydınlatma islemi (C-V) ve (G/w-V) egrilerinde ters beslem yönünde 150 mV civarında ve artan aydınlanma siddeti ile artan bir kaymaya sebep olmustur. Bu davranısın aydınlanma ile ara yüzey durum yogunluklarında degismeye neden olan metal yarı iletken arasında uyarılan sabit yüklerden kaynaklandıgı seklinde açıklanmıstır. Ayrıca seri direncin (Rs) aydınlanma ile azaldıgı ve kapasitan-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) özelliklerinde anlamlı degisiklere neden oldugu görülmüstür. I-V özellikleri ideal davranısa sahip degildir ve idealite faktörü (n), yarı iletken ile dengede olan ara yüzey durum yogunluklarına (Nss) tarafından kontrol edilmektedir.

Özet (Çeviri)

In this study, (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes were fabricated by a magnetrons sputtering method and their current-voltage (I-V) and admittance-voltage (C-V, G/w-V) measurements were carried out in dark and under illumination. The values of saturation current (Io), zero-bias barrier height (Bo), ideality factor (n) and series resistance (Rs) are found equal to 4,2x10-10A, 0,755 eV, 1,24 and 896 in the dark and to 7,47x10-10A, 0,740 eV, 1,18 and 419,7 W under illumination, respectively. In addition to this, the break down voltage of the (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky is found to be near 21 V. The illumination process causes shift the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G / -V) curves toward reverse bias about 150 mV and increases with increasing illumination level. This behavior can be explained by the built-up of fixed charge between metal and semiconductor attributed to changes in the number of interface states (Nss) due to the illumination process. In addition to these, the series resistance (Rs) of diodes can significantly alter the capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) characteristics and decrease with increasing illumination level. I-V characteristics have not ideal behavior and ideality factor (n) is controlled by the Nss in equilibrium with the semiconductor.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    196626

    (Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri

    Temperature dependence of characteristic parameters of the (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes

    ELİF MARIL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Tez No

    59467

    Pulmoner rehabilitasyonun ankilozan spondilitli hastalarda ergospirometre parametreleri ve klinik bulguları üzerine etkileri

    Başlık çevirisi yok

    SİBEL DEMİR DEVİREN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonSağlık Bakanlığı

    Fiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı

  3. Tez No

    82658

    Mechanical properties of PM AI-Sic compasides produced by conventional hot-pressing method

    Geleneksel sıcak presleme yöntemi ile üretilmiş TM AI-Sic kompozitlerin mekanik özellikleri

    GÜRLER KAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RIZA GÜRBÜZ

  4. Tez No

    83904

    Al matrisli Al2O3 takviyeli kompozit malzemelerinin katı hal teknikleri ile kaynak edilebilirliğinin araştırılması

    The investigation of weldability of al matrix-Al2O3 reinforced composite materials with solid state bonding methods

    SONER BUYTOZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Eğitim ve ÖğretimFırat Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURİ ORHAN

  5. Tez No

    84839

    Al-alaşımlarında yaşlandırma sertleşmesiyle aşınma dayanımının iyileştirilmesi

    Improvement of resistance to corrosion with ageing hardness in aluminium alloys

    ÜMİT GÜRKAN BİRİCİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Makine MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. HALİM DEMİRCİ

Geri Dön