Geri Dön

(Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri

Temperature dependence of characteristic parameters of the (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes

PDF İndir

  1. Tez No: 196626
  2. Yazar: ELİF MARIL
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 69

Özet

iii(Al-Ti10W90+PtSi)/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞABAĞLI TEMEL PARAMETRELERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif MARILGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2005ÖZETBu çalışmada, [111] doğrultusunda büyütülmüş ve özdirenci 0.7 Ω.cm olan n-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınakım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 79-360 K sıcaklıkaralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğindendolayı bir Gaussian dağılıma sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerindensıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (ΦBO) artış ve idealite faktöründe (n)ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcsklığın tersi ile değişimigrafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapmadeğerleri sırasıyla Φ bo=0.815 eV ve σs=0.09 V olarak elde edildi. Böylece,modife edilen Ln(I0/T 2) - q2 σ o /2k2T 22nin (q/kT) eğrisinde ortalama engelyüksekliği ve Richardson sabitinin değeri sırasıyla 0.82 eV ve 104.85 Acm-2K-2olarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınsıcaklığa bağlı I-V karakteristislerinden Φb'nin Gaussian dağılıma sahip olmasıTE mekanizmasıyla açıklandı.Bilim Kodu : 404. 05. 01Anahtar Kelimeler : Amorf metal film, I-V ölçümleri, Engel homojensizliği,TünellemeSayfa Adedi : 55Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL

Özet (Çeviri)

ivTEMPERATURE DEPENDENCE OF CHARACTERISTICPARAMETERS OF THE (Al-TiW+PtSi)-n-Si SCHOTTKY DIODES(M.Sc. Thesis)Elif MARILGAZI UNIVERSITYINSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYDecember 2005ABSTRACTIn this study, we have used n-Si wafers with (111) orientation and having0.7 Ω.cm resistivity. The forward current-voltage (I-V) and reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics of (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes have beenmeausered in the temperature range of 79-360 K and have been interpretedbased on of the assumption of a Gaussian distribution of barrier heights (BHs)due to BH inhomogeneities that prevail at the interface. The evaluation of theexperimental I-V data reveals an increase of zero bias barrier height (Φbo) and adecrease of idealty factor (n) with increasing temperature. Zero bias barrierheigth (Φbo) versus inverse temperature (1/T) plot was drawn to obtainedevidence of a Gaussian distribution of the BHs,and values of Φ bo=0.815 eV andσs=0.09 V for the mean BH and zero-bias standard deviation have beenobtained from this plot, respectively.vThus, a modified Ln(I0/T 2) - q2 σ o /2k2T 2 vs q/kT) plot gives Φ bo and A* as 0.822eV and 104.85 Acm-2K-2, respectively. It has been councluded that thetemperature dependent I-V characteristics of the devices can be succesfullyexplained on the basis of TE mechanism with Gaussian distribution of the Φb.Science Code : 404. 05. 01Keywords : Amorphous metal film, I-V measurements, Barrierinhomogeneities, TunnelingPage Number : 55Adviser :Associate Professor Şemsettin ALTINDAL

Benzer Tezler

  1. Tez No

    200957

    (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi

    Investigation of electrical characteristics of (aAl-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes depending on frequency and illumination

    MEHMET HAMDİ KURAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Tez No

    59467

    Pulmoner rehabilitasyonun ankilozan spondilitli hastalarda ergospirometre parametreleri ve klinik bulguları üzerine etkileri

    Başlık çevirisi yok

    SİBEL DEMİR DEVİREN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonSağlık Bakanlığı

    Fiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı

  3. Tez No

    412088

    Süyuti'nin el-Muzhir isimli eserinin içerik ve metot açısından incelenmesi

    The examining of al-Suyuti's work titled al-Muzhir in terms of content and methods

    SENAN UMUYEV

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    DilbilimSakarya Üniversitesi

    Temel İslam Bilimleri Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HAMZA ERMİŞ

  4. Tez No

    413700

    Al-Ukyânûsu'l-Basît fî Tarcamati'l-Kâmûsi'l-Muhît - Bâbu'l Kaf Faslu'l-fâ «al-uʾāk - al-İfāka» giriş -Metin - sözlük -dizin

    Al-Ukyânûsu 'l-Basît fî Tarcamati̇'l-Kâmûsi̇ 'l-Muhît Bâbu'l-Kâf - fâ - Arti̇cle « al-fuʾāk - al-ifāka» introduction –Text - vocabulary - index

    MERAL YAĞMUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Türk Dili ve EdebiyatıErzincan Üniversitesi

    Türk Dili ve Edebiyatı Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FAYSAL OKAN ATASOY

  5. Tez No

    415272

    Al/Poly(Methyl methacrylate)/p-Si organik schottky diyotların üretimi, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    Fabrication, investigation electrical and dielectric properties of Al/poly(methyl methacrylate)/p-Si organic schottky diodes

    FİKRET GONCA ARAS

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL

    PROF. DR. ELİF ORHAN

Geri Dön