(Al-TiW+PtSi)/n-Si Sckottky diyotlarının sıcaklığa bağlı temel parametreleri
Temperature dependence of characteristic parameters of the (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes
- Tez No: 196626
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
iii(Al-Ti10W90+PtSi)/n-Si SCHOTTKY DİYOTLARIN SICAKLIĞABAĞLI TEMEL PARAMETRELERİ(Yüksek Lisans Tezi)Elif MARILGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜAralık 2005ÖZETBu çalışmada, [111] doğrultusunda büyütülmüş ve özdirenci 0.7 â¦.cm olan n-tipi Si kristali kullanıldı. Hazırlanan (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınakım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 79-360 K sıcaklıkaralığında ölçüldü ve arayüzeyde engel yüksekliklerinin homojensizliğindendolayı bir Gaussian dağılıma sahip olduğu gözlendi. Deneysel I-V verilerindensıcaklığın artmasıyla engel yüksekliğinde (ΦBO) artış ve idealite faktöründe (n)ise bir azalma olduğu gözlendi. Engel yüksekliğinin sıcsklığın tersi ile değişimigrafiğinden Gaussian dağılımı için ortalama engel yüksekliği ve standart sapmadeğerleri sırasıyla Φ bo=0.815 eV ve Ïs=0.09 V olarak elde edildi. Böylece,modife edilen Ln(I0/T 2) - q2 Ï o /2k2T 22nin (q/kT) eğrisinde ortalama engelyüksekliği ve Richardson sabitinin değeri sırasıyla 0.82 eV ve 104.85 Acm-2K-2olarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diyotlarınsıcaklığa bağlı I-V karakteristislerinden Φb'nin Gaussian dağılıma sahip olmasıTE mekanizmasıyla açıklandı.Bilim Kodu : 404. 05. 01Anahtar Kelimeler : Amorf metal film, I-V ölçümleri, Engel homojensizliği,TünellemeSayfa Adedi : 55Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Şemsettin ALTINDAL
Özet (Çeviri)
ivTEMPERATURE DEPENDENCE OF CHARACTERISTICPARAMETERS OF THE (Al-TiW+PtSi)-n-Si SCHOTTKY DIODES(M.Sc. Thesis)Elif MARILGAZI UNIVERSITYINSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYDecember 2005ABSTRACTIn this study, we have used n-Si wafers with (111) orientation and having0.7 â¦.cm resistivity. The forward current-voltage (I-V) and reverse capacitance-voltage (C-V) characteristics of (Al-TiW+PtSi)-n-Si Schottky diodes have beenmeausered in the temperature range of 79-360 K and have been interpretedbased on of the assumption of a Gaussian distribution of barrier heights (BHs)due to BH inhomogeneities that prevail at the interface. The evaluation of theexperimental I-V data reveals an increase of zero bias barrier height (Φbo) and adecrease of idealty factor (n) with increasing temperature. Zero bias barrierheigth (Φbo) versus inverse temperature (1/T) plot was drawn to obtainedevidence of a Gaussian distribution of the BHs,and values of Φ bo=0.815 eV andÏs=0.09 V for the mean BH and zero-bias standard deviation have beenobtained from this plot, respectively.vThus, a modified Ln(I0/T 2) - q2 Ï o /2k2T 2 vs q/kT) plot gives Φ bo and A* as 0.822eV and 104.85 Acm-2K-2, respectively. It has been councluded that thetemperature dependent I-V characteristics of the devices can be succesfullyexplained on the basis of TE mechanism with Gaussian distribution of the Φb.Science Code : 404. 05. 01Keywords : Amorphous metal film, I-V measurements, Barrierinhomogeneities, TunnelingPage Number : 55Adviser :Associate Professor Şemsettin ALTINDAL
Benzer Tezler
- (Al-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin frekans ve aydınlanma şiddetine bağlı incelenmesi
Investigation of electrical characteristics of (aAl-TiW+PtSi)/n-Si Schottky diodes depending on frequency and illumination
MEHMET HAMDİ KURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Pulmoner rehabilitasyonun ankilozan spondilitli hastalarda ergospirometre parametreleri ve klinik bulguları üzerine etkileri
Başlık çevirisi yok
SİBEL DEMİR DEVİREN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1997
Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonSağlık BakanlığıFiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı
- Mechanical properties of PM AI-Sic compasides produced by conventional hot-pressing method
Geleneksel sıcak presleme yöntemi ile üretilmiş TM AI-Sic kompozitlerin mekanik özellikleri
GÜRLER KAYA
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RIZA GÜRBÜZ
- Al matrisli Al2O3 takviyeli kompozit malzemelerinin katı hal teknikleri ile kaynak edilebilirliğinin araştırılması
The investigation of weldability of al matrix-Al2O3 reinforced composite materials with solid state bonding methods
SONER BUYTOZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Eğitim ve ÖğretimFırat ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NURİ ORHAN
- Al-alaşımlarında yaşlandırma sertleşmesiyle aşınma dayanımının iyileştirilmesi
Improvement of resistance to corrosion with ageing hardness in aluminium alloys
ÜMİT GÜRKAN BİRİCİK
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Makine MühendisliğiUludağ ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. HALİM DEMİRCİ