Geri Dön

Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure

  1. Tez No: 245614
  2. Yazar: ZEKİ TEKELİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 139

Özet

GaN(kep)/Al0,3Ga0,7N/AlN heteroyapının morfolojik, yapısal ve elektriksel özellikleri araştırıldı. Yüzey analizi ile vida tipli dislokasyonlu (~108 cm-2) yapının GaN yüzeyi, basamaklı mod ile büyütüldüğü gösterildi. Yapısal analizi ile heteroyapının kristal yapı kalitesi incelendi ve epitaksiyel tabakaları doğrulandı. Yapının elektriksel özelliklerin incelenmesinde; sıcaklığa bağlı (20-350 K) Hall etkisi ölçümü ile taşıyıcı yoğunluğu (nH) ve mobilite (µ) değerleri hesaplandı. Heteroyapının 2DEG tipli yapı sergilediği görüldü. Yapı üzerinde Schottky ve omik kontak oluşturularak, sıcaklığa bağlı (295-415 K) akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri yapıldı. Doğru beslem I-V ölçümlerinden; yapının idealite faktörü (n), seri direnç (Rs), potansiyel engel yüksekliği (?B), C-V ve G/w-V ölçümlerinden; arayüzey durum (Nss) yoğunluğu, taşıyıcı yoğunluğu (ND), Rs, ?B gibi temel elektriksel parametreler hesaplandı. Gaussian dağılım fonksiyonu kullanılarak, potansiyel engel yüksekliğinin ortalama değeri ( ) ve Richardson sabiti (A*) gibi önemli parametrelerin değerleri hesaplandı teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

Morphologic, structural and electrical properties of GaN(cap)/Al0.3Ga0.7N/AIN heterostructure were investigated. The screw type dislocation density on the GaN surface of the heterostructure was measured as ~108 cm-2. Its growth has been shown as step-flow mode with the surface analysis. The crystal quality and epitaxial layers of the heterostructure were verified with the structural analysis. Carrier density (nH) and mobility (µ) values were measured in the temperature range of 20-350 K by Hall effect analysis. As a result the heterostructure exhibited 2DEG type structure. Current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements were carried out in the temperature range of 295-415 K by creating ohmic and Schottky contacts on the surface. Parameters like the ideality factor (n), series resistance (Rs), barrier height (?B), interface state density (Nss), carrier density (ND) were calculated of which were determined from I-V, C-V and G/w-V measurements. Mean barrier height ( ) and Richardson constant (A*) were also calculated using Gaussian distribution function and were compared with theoretical results.

Benzer Tezler

  1. Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure

    ÖZLEM BAYAL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK

  2. Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells

    Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması

    FATMA KOÇAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL

  3. Sıçanlarda oluşturulan deneysel yanık modelinde Aloe vera temelli Nerium oleander ekstraktlarının antioksidan, anti-inflamatuvar ve yara iyileştirici özelliklerinin araştırılması

    The investigation of antioxidant, anti-inflammatory and wound healing properties of Aloe vera based Nerium oleander extracts via experimental thermal burn model in rats

    SEVCAN GÜL AKGÜN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Eczacılık ve FarmakolojiMarmara Üniversitesi

    Farmasötik Toksikoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMRA ŞARDAŞ

  4. High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications

    Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler

    NECMİ BIYIKLI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. EKMEL ÖZBAY

    PROF. ORHAN AYTÜR

  5. Keratin temelli biyokompozit sentezi

    Keratin based biocomposite synthesis

    ÖMER AKKANAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OYA ATICI