Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure
- Tez No: 245614
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 139
Özet
GaN(kep)/Al0,3Ga0,7N/AlN heteroyapının morfolojik, yapısal ve elektriksel özellikleri araştırıldı. Yüzey analizi ile vida tipli dislokasyonlu (~108 cm-2) yapının GaN yüzeyi, basamaklı mod ile büyütüldüğü gösterildi. Yapısal analizi ile heteroyapının kristal yapı kalitesi incelendi ve epitaksiyel tabakaları doğrulandı. Yapının elektriksel özelliklerin incelenmesinde; sıcaklığa bağlı (20-350 K) Hall etkisi ölçümü ile taşıyıcı yoğunluğu (nH) ve mobilite (µ) değerleri hesaplandı. Heteroyapının 2DEG tipli yapı sergilediği görüldü. Yapı üzerinde Schottky ve omik kontak oluşturularak, sıcaklığa bağlı (295-415 K) akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri yapıldı. Doğru beslem I-V ölçümlerinden; yapının idealite faktörü (n), seri direnç (Rs), potansiyel engel yüksekliği (?B), C-V ve G/w-V ölçümlerinden; arayüzey durum (Nss) yoğunluğu, taşıyıcı yoğunluğu (ND), Rs, ?B gibi temel elektriksel parametreler hesaplandı. Gaussian dağılım fonksiyonu kullanılarak, potansiyel engel yüksekliğinin ortalama değeri ( ) ve Richardson sabiti (A*) gibi önemli parametrelerin değerleri hesaplandı teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
Morphologic, structural and electrical properties of GaN(cap)/Al0.3Ga0.7N/AIN heterostructure were investigated. The screw type dislocation density on the GaN surface of the heterostructure was measured as ~108 cm-2. Its growth has been shown as step-flow mode with the surface analysis. The crystal quality and epitaxial layers of the heterostructure were verified with the structural analysis. Carrier density (nH) and mobility (µ) values were measured in the temperature range of 20-350 K by Hall effect analysis. As a result the heterostructure exhibited 2DEG type structure. Current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements were carried out in the temperature range of 295-415 K by creating ohmic and Schottky contacts on the surface. Parameters like the ideality factor (n), series resistance (Rs), barrier height (?B), interface state density (Nss), carrier density (ND) were calculated of which were determined from I-V, C-V and G/w-V measurements. Mean barrier height ( ) and Richardson constant (A*) were also calculated using Gaussian distribution function and were compared with theoretical results.
Benzer Tezler
- Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure
ÖZLEM BAYAL
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
- Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
FATMA KOÇAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Sıçanlarda oluşturulan deneysel yanık modelinde Aloe vera temelli Nerium oleander ekstraktlarının antioksidan, anti-inflamatuvar ve yara iyileştirici özelliklerinin araştırılması
The investigation of antioxidant, anti-inflammatory and wound healing properties of Aloe vera based Nerium oleander extracts via experimental thermal burn model in rats
SEVCAN GÜL AKGÜN
Doktora
Türkçe
2017
Eczacılık ve FarmakolojiMarmara ÜniversitesiFarmasötik Toksikoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMRA ŞARDAŞ
- High performance AlxGa1-xN based UV photodetectors for visible/solar-blind applications
Görünür/güneş körü uygulamalar için yüksek performanslı AlxGa1-xN temelli mor-ötesi fotodetektörler
NECMİ BIYIKLI
Doktora
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. EKMEL ÖZBAY
PROF. ORHAN AYTÜR