Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigaton of morphologic and electrical properties of nitride-based (III-V) semiconductor?s heterostructure
- Tez No: 245614
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Seri direnç, Series resistance
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
GaN(kep)/Al0,3Ga0,7N/AlN heteroyapının morfolojik, yapısal ve elektriksel özellikleri araştırıldı. Yüzey analizi ile vida tipli dislokasyonlu (~108 cm-2) yapının GaN yüzeyi, basamaklı mod ile büyütüldüğü gösterildi. Yapısal analizi ile heteroyapının kristal yapı kalitesi incelendi ve epitaksiyel tabakaları doğrulandı. Yapının elektriksel özelliklerin incelenmesinde; sıcaklığa bağlı (20-350 K) Hall etkisi ölçümü ile taşıyıcı yoğunluğu (nH) ve mobilite (µ) değerleri hesaplandı. Heteroyapının 2DEG tipli yapı sergilediği görüldü. Yapı üzerinde Schottky ve omik kontak oluşturularak, sıcaklığa bağlı (295-415 K) akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri yapıldı. Doğru beslem I-V ölçümlerinden; yapının idealite faktörü (n), seri direnç (Rs), potansiyel engel yüksekliği (?B), C-V ve G/w-V ölçümlerinden; arayüzey durum (Nss) yoğunluğu, taşıyıcı yoğunluğu (ND), Rs, ?B gibi temel elektriksel parametreler hesaplandı. Gaussian dağılım fonksiyonu kullanılarak, potansiyel engel yüksekliğinin ortalama değeri ( ) ve Richardson sabiti (A*) gibi önemli parametrelerin değerleri hesaplandı teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.
Özet (Çeviri)
Morphologic, structural and electrical properties of GaN(cap)/Al0.3Ga0.7N/AIN heterostructure were investigated. The screw type dislocation density on the GaN surface of the heterostructure was measured as ~108 cm-2. Its growth has been shown as step-flow mode with the surface analysis. The crystal quality and epitaxial layers of the heterostructure were verified with the structural analysis. Carrier density (nH) and mobility (µ) values were measured in the temperature range of 20-350 K by Hall effect analysis. As a result the heterostructure exhibited 2DEG type structure. Current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements were carried out in the temperature range of 295-415 K by creating ohmic and Schottky contacts on the surface. Parameters like the ideality factor (n), series resistance (Rs), barrier height (?B), interface state density (Nss), carrier density (ND) were calculated of which were determined from I-V, C-V and G/w-V measurements. Mean barrier height ( ) and Richardson constant (A*) were also calculated using Gaussian distribution function and were compared with theoretical results.
Benzer Tezler
- Nitrit temelli alxga1-xn hemt yapısının yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of nitride based alxga1-xn hemt structure
ÖZLEM BAYAL
- Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells
Nitrojen içeren III-V kuantum kuyularının bant-derinlik oranının hesaplanması
FATMA KOÇAK
- Tıbbi uygulamalar için bor içeren ftalosiyaninler
Boron substituted phthalocyanines for medicinal applications
BAHAR BİRSÖZ
- Mobil telefon kullanımına bağlı oluşan 900-1800 mhz radyo frekans dalgalarının meydana getirdiği elektromanyetik alanın iliak kanat kemik mineral yoğunluğuna etkisi
The effect of electromagnetic fields on bone mineral density of iliac bone produced by 900-1800 mhz radio frequency waves dependent on cellular phone usage
BEŞİR ANDAÇ AKSOY
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2006
Süleyman Demirel ÜniversitesiOrtopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
