Geri Dön

In2Se3 yarıiletken materyallerin yeni bir metot olan ko-depozisyon metoduyla sentezi ve karakterizasyonu

Synthesis and characterization of In2Se3 semiconductor materials with a new co-deposition method

  1. Tez No: 274654
  2. Yazar: SIDDIK DEMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÜMİT DEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Kimya, Chemistry
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Kimya Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 107

Özet

İkili bileşik yarıiletkenler çeşitli optik ve elektronik cihazlardaki yaygın uygulamalarından dolayı önemli teknolojik materyaller olarak kabul görmektedirler. İndiyum selenit ince filmler, birbirlerinden oldukça farklı fiziksel ve elektronik özellikler gösteren a, b ve g gibi değişik kristal yüzeylere sahiptir. In2Se3 ince filmler, yüksek absorpsiyon katsayısına ve güneş enerji dönüşümü için optimum aralıkta bir yasak enerji bant aralığına sahip olmalarından dolayı CdS/In2Se3 veya In2S3/In2Se3 olarak fotovoltaik ve fotokimyasal hücrelerde absorplayıcı tabaka olarak kullanılan oldukça ilgi çekici materyallerdir. CuInSe2 veya Cu(InGa)Se2 ince filmleri elde etmek için bir taban materyali olarak ta kullanılabilirler. Bu tez kapsamında, indiyum ve selenyumun UPD (potansiyel altı depozisyon) potansiyelleri dönüşümlü voltametri tekniği kullanılarak belirlendi. Son yıllarda geliştirilen Upd temeline dayanan pratik bir elektrokimyasal ko-depozisyon tekniği kullanılarak Au(111) yüzeyinde yarıiletken In2Se3 ince filmlerinin depozisyonu sağlandı. Bu yöntemle sentezlenen epitaksiyel yarıiletken In2Se3 ince filmlerin yapısal ve morfolojik karakterizasyonu için XRD ve STM yöntemleri kullanıldı. Optiksel özellikleri Uv-vis absorpsiyon spektroskopisi kullanılarak incelendi.

Özet (Çeviri)

Binary compound semiconductors due to the common practice in the various optical and electronic devices as they see important technological materials. Indium selenite thin films, each showing a very different physical and electronic properties, such as ?, ß and ? have different crystal surfaces. In2Se3 thin films, high absorption coefficient and optimum range for solar energy conversion due to their having a ban energy band gap In2S3/In2Se3 or CdS/In2Se3 absorption layer as photovoltaic and photochemical cell in the materials used are quite interesting. Moreover, CuInSe2 or Cu(InGa) Se2 thin films to obtain can be used as a starting material. In this thesis, ındium and selenium in the upd potential was determined using cyclic voltammetry. Upd (under potential deposition) has been developed in recent years based on a practical electrochemical co-deposition technique using Au (111) surface of the semiconductor In2Se3 thin film deposition was achieved. In2Se3 epitaxial semiconductor thin films synthesized by this method the structural and morphological characterization were used for the XRD and STM methods. UV-vis absorption spectroscopy using optical properties in the study.

Benzer Tezler

  1. M-selenit (M: CU, ZN, GA ve IN) nanopartiküllerinin sentezi için yeni ıslak kimyasal yöntemlerin geliştirilmesi

    Development of new wet-chemical methods for the synthesis of m-selenide (M: CU, ZN, GA, and IN) nanoparticles

    AHMET EMRE KASAPOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ÖNDER METİN

  2. ITO cam üzerine büyütülen InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heteroeklemlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of the structural, optical and electrical characteristics of InSe/rubrene, CIS/rubrene, CIGS/rubrene, InSe/coronene, CIS/coronene, CIGS/coronene heterojoints growth on ITO glass

    FATİH ÜNAL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TEKİN İZGİ

    PROF. DR. BEHZAD BARIŞ

  3. SILAR yöntemiyle In2S3 yarıiletken filminin elde edilmesi ve bazı fizksel özelliklerinin incelenmesi

    Production of In2S3 semiconductor film by SILAR method and investigation of some physical properties

    TURAN TAŞKÖPRÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. EVREN TURAN

  4. Zn (In2S3)S yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri

    Some physical properties of the Zn (In2S3)S semiconducting films

    AHMET ŞENOL AYBEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MUHSİN ZOR

  5. Cd (In2S3)S yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri

    Some physical properties of the Cd (In2S3)S semiconducting films

    METİN KUL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. MUHSİN ZOR